添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13692101218  13751165337
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13692101218
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符P型号页 > 首字符P的型号第1247页 > PESD3V3L2UM
分立半导体
数据表
M3D883
底部视图
PESDxL2UM系列
低电容ESD双
保护二极管
产品数据表
取代2003年的数据8月5日
2005年5月23日
恩智浦半导体
产品数据表
低电容ESD双重保护
二极管
特点
两行单向ESD保护或
一条线的双向ESD保护
反向隔离电压3.3和5 V
低电容二极管
超低漏电流
无铅超小型SOT883表面贴装封装
(1
×
0.6
×
0.5 mm)
电路板空间1.17毫米
2
（ SOT23的约10 ％ ）
ESD保护>15千伏
IEC 61000-4-2 ; 4级（ ESD ） ; 15千伏（空气）或
8千伏（接触） 。
应用
手机及配件
便携式电子产品
计算机及外设
通信系统
音频和视频设备。
记号
底部视图
2
顶视图
PESDxL2UM系列
描述
在三盘低电容ESD保护二极管
无引脚SOT883超小塑料封装设计
保护多达两个传输线或数据线
静电放电（ ESD ）损坏。
钉扎
针
1
2
3
阴极1
阴极2
共阳极
描述
2
1
3
3
1
MLE220
类型编号
PESD3V3L2UM
PESD5V0L2UM
标识代码
F2
F1
Fig.1简化外形（ SOT883 ）和符号。
2005年5月23日
2
恩智浦半导体
产品数据表
低电容ESD双重保护
二极管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
每二极管
I
pp
峰值脉冲电流
PESD3V3L2UM
PESD5V0L2UM
P
pp
I
FSM
I
ZSM
峰值脉冲功率
非重复峰值正向电流
非重复性峰值反向电流
PESD3V3L2UM
PESD5V0L2UM
P
合计
P
ZSM
T
英镑
T
j
ESD
总功耗
非重复性峰值反向功率
耗散
储存温度
结温
静电放电
T
AMB
= 25
°C;
注4
8/20
s
脉冲;注意到1,2和3
t
p
= 1毫秒;方波脉冲
t
p
= 1毫秒;方波脉冲
8/20
s
脉冲;注意到1,2和3
参数
条件
PESDxL2UM系列
分钟。
马克斯。
单位
65
IEC 61000-4-2 （接触放电）
HBM MIL -STD 883
15
10
t
p
= 1毫秒;方波脉冲;见图4
3
2.5
30
3.5
0.9
0.8
250
6
+150
150
A
A
W
A
A
A
mW
W
°C
°C
kV
kV
笔记
1.非重复性电流脉冲8/20
s
指数衰减波形;见图5 。
2.引脚1和3或2和3 。
3.引脚1和2 。
4.设备安装在标准的印刷电路板。
ESD标准符合性
IEC 61000-4-2第4级（ ESD ）
HBM MIL -STD 883 ，第3类
热特性
符号
R
日J-一
参数
从结点到环境的热阻
条件
所有的二极管装;注1
一个二极管装;注意2
笔记
1.参考SOT883标准安装条件（足迹） ， FR4 60
m
铜带线。
2. FR4单面铜1厘米
2
.
价值
500
290
单位
K / W
K / W
>15千伏（空气） ; >8千伏（接触）
>4千伏
2005年5月23日
3
恩智浦半导体
产品数据表
低电容ESD双重保护
二极管
电气特性
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
每二极管
V
F
V
RWM
正向电压
相反的立场-O FF电压
PESD3V3L2UM
PESD5V0L2UM
I
RM
反向漏电流
PESD3V3L2UM
PESD5V0L2UM
V
（CL ）R
钳位电压
PESD3V3L2UM
V
R
= 3.3 V
V
R
= 5 V
8/20
s
脉冲
I
pp
= 1 ;注1和2
I
pp
= 3 A;注1和2
I
pp
= 1 ;注1和3
I
pp
= 3 A;注1和3
PESD5V0L2UM
I
pp
= 1 ;注1和2
I
pp
= 2.5 A;注1和2
I
pp
= 1 ;注1和3
I
pp
= 2.5 A;注1和3
V
BR
击穿电压
PESD3V3L2UM
PESD5V0L2UM
S
Z
温度COEF网络cient
PESD3V3L2UM
PESD5V0L2UM
r
差异
微分电阻
PESD3V3L2UM
PESD5V0L2UM
C
d
二极管电容
PESD3V3L2UM
PESD5V0L2UM
F = 1兆赫; V
R
= 0
F = 1兆赫; V
R
= 5
F = 1兆赫; V
R
= 0
F = 1兆赫; V
R
= 5
笔记
1.非重复性电流脉冲8/20
s
指数衰减波形;见图5 。
2.引脚1和3或2和3 。
3.引脚1和2 。
I
R
= 1毫安
I
Z
= 1毫安
I
Z
= 1毫安
5.32
6.46
I
F
= 200毫安
参数
条件
PESDxL2UM系列
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
1
75
5
5.6
6.8
1.3
2.9
22
12
16
8
1.2
3.3
5
300
25
8
12
9
13
10
13
11
15
5.88
7.14
200
100
28
17
19
11
V
V
V
nA
nA
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
毫伏/ K
毫伏/ K
pF
pF
pF
pF
2005年5月23日
4
恩智浦半导体
产品数据表
低电容ESD双重保护
二极管
PESDxL2UM系列
手册， halfpage
10
MLE215
手册， halfpage
26
Cd
22
MLE216
IZSM
(A)
（PF ）
18
PESD3V3L2UM
1
PESD3V3L2UM
14
PESD5V0L2UM
PESD5V0L2UM
10
10
1
10
2
10
1
1
TP（ ms）的
10
6
0
1
2
3
4
VR （ V）
5
T
j
= 25
°C;
F = 1兆赫。
Fig.2
非反向重复峰值电流为
函数的脉冲时间（矩形脉冲） 。
Fig.3
二极管电容反向的函数
电压;典型值。
10
2
手册， halfpage
PZSM
(W)
MLE217
手册， halfpage
120
MLE218
IPP
(%)
100 ％伊普; 8
s
80
PESD3V3L2UM
10
PESD5V0L2UM
40
e
t
50 ％伊普; 20
s
1
10
2
10
1
1
TP（ ms）的
10
0
0
10
20
30
T（微秒）
40
P
ZSM
= V
ZSM
X我
ZSM
.
V
ZSM
是我的非重复性峰值反向电压
ZSM
.
Fig.4
最大非重复性峰值反向
功耗为脉冲的函数
持续时间（矩形脉冲） 。
Fig.5
8/20
s
根据脉冲波形
IEC 61000-4-5 。
2005年5月23日
5
分立半导体
数据表
M3D883
底部视图
PESDxL2UM系列
低电容ESD双
保护二极管
产品speci fi cation
2003年8月5
飞利浦半导体
产品speci fi cation
低电容双重ESD保护二极管
特点
两行单向ESD保护或
一条线的双向ESD保护
反向隔离电压3.3和5 V
低电容二极管
超低漏电流
无铅超小型SOT883表面贴装封装
(1
×
0.6
×
0.5 mm)
电路板空间1.17毫米
2
（ SOT23的约10 ％ ）
ESD保护>15千伏
IEC 61000-4-2 ; 4级（ ESD ） ; 15千伏（空气）或
8千伏（接触） 。
应用
手机及配件
便携式电子产品
计算机及外设
通信系统
音频和视频设备。
记号
类型编号
PESD3V3L2UM
PESD5V0L2UM
标识代码
F2
F1
2
顶视图
PESDxL2UM系列
描述
在三盘低电容ESD保护二极管
无引脚SOT883超小塑料封装设计
保护多达两个传输线或数据线
静电放电（ ESD ）损坏。
钉扎
针
1
2
3
阴极1
阴极2
共阳极
描述
手册， halfpage
2
1
3
3
1
底部视图
MLE220
Fig.1简化外形（ SOT883 ）和符号。
2003年8月5
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
低电容双重ESD保护二极管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
每二极管
I
pp
峰值脉冲电流
PESD3V3L2UM
PESD5V0L2UM
P
pp
I
FSM
I
ZSM
峰值脉冲功率
非重复峰值正向电流
非重复性峰值反向电流
PESD3V3L2UM
PESD5V0L2UM
P
合计
P
ZSM
T
英镑
T
j
ESD
总功耗
非重复性峰值反向功率
耗散
储存温度
结温
静电放电
T
AMB
= 25
°C;
注4
8/20
s
脉冲;注意到1,2和3
t
p
= 1毫秒;方波脉冲
t
p
= 1毫秒;方波脉冲
8/20
s
脉冲;注意到1,2和3
参数
条件
PESDxL2UM系列
分钟。
马克斯。
单位
65
IEC 61000-4-2 （接触放电）
HBM MIL -STD 883
15
10
t
p
= 1毫秒;方波脉冲;见图4
3
2.5
30
3.5
0.9
0.8
250
6
+150
150
A
A
W
A
A
A
mW
W
°C
°C
kV
kV
笔记
1.非重复性电流脉冲8/20
s
指数衰减波形;见图5 。
2.引脚1和3或2和3 。
3.引脚1和2 。
4.设备安装在标准的印刷电路板。
ESD标准符合性
IEC 61000-4-2第4级（ ESD ）
HBM MIL -STD 883 ，第3类
热特性
符号
R
日J-一
参数
从结点到环境的热阻
条件
所有的二极管装;注1
一个二极管装;注意2
笔记
1.参考SOT883标准安装条件（足迹） ， FR4 60
m
铜带线。
2. FR4单面铜1厘米
2
.
价值
500
290
单位
K / W
K / W
>15千伏（空气） ; >8千伏（接触）
>4千伏
2003年8月5
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
低电容双重ESD保护二极管
电气特性
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
每二极管
V
F
V
RWM
正向电压
相反的立场-O FF电压
PESD3V3L2UM
PESD5V0L2UM
I
RM
反向漏电流
PESD3V3L2UM
PESD5V0L2UM
V
（CL ）R
钳位电压
PESD3V3L2UM
V
R
= 3.3 V
V
R
= 5 V
8/20
s
脉冲
I
pp
= 1 ;注1和2
I
pp
= 3 A;注1和2
I
pp
= 1 ;注1和3
I
pp
= 3 A;注1和3
PESD5V0L2UM
I
pp
= 1 ;注1和2
I
pp
= 2.5 A;注1和2
I
pp
= 1 ;注1和3
I
pp
= 2.5 A;注1和3
V
BR
击穿电压
PESD3V3L2UM
PESD5V0L2UM
S
Z
温度COEF网络cient
PESD3V3L2UM
PESD5V0L2UM
r
差异
微分电阻
PESD3V3L2UM
PESD5V0L2UM
C
d
二极管电容
PESD3V3L2UM
PESD5V0L2UM
F = 1兆赫; V
R
= 0
F = 1兆赫; V
R
= 5
F = 1兆赫; V
R
= 0
F = 1兆赫; V
R
= 5
笔记
1.非重复性电流脉冲8/20
s
指数衰减波形;见图5 。
2.引脚1和3或2和3 。
3.引脚1和2 。
I
R
= 1毫安
I
Z
= 1毫安
I
Z
= 1毫安
5.32
6.46
I
F
= 200毫安
参数
条件
PESDxL2UM系列
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
1
75
5
5.6
6.8
1.3
2.9
22
12
16
8
1.2
3.3
5
300
25
8
12
9
13
10
13
11
15
5.88
7.14
200
100
28
17
19
11
V
V
V
nA
nA
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
毫伏/ K
毫伏/ K
pF
pF
pF
pF
2003年8月5
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
低电容双重ESD保护二极管
PESDxL2UM系列
手册， halfpage
10
MLE215
手册， halfpage
26
MLE216
Cd
IZSM
(A)
（PF ）
22
18
PESD3V3L2UM
1
PESD3V3L2UM
14
PESD5V0L2UM
PESD5V0L2UM
10
10
1
10
2
10
1
1
TP（ ms）的
10
6
0
1
2
3
4
VR （ V）
5
T
j
= 25
°C;
F = 1兆赫。
Fig.2
非反向重复峰值电流为
函数的脉冲时间（矩形脉冲） 。
Fig.3
二极管电容反向的函数
电压;典型值。
10
2
手册， halfpage
PZSM
(W)
MLE217
手册， halfpage
120
MLE218
IPP
(%)
100 ％伊普; 8
s
80
PESD3V3L2UM
10
PESD5V0L2UM
40
e
t
50 ％伊普; 20
s
1
10
2
10
1
1
TP（ ms）的
10
0
0
10
20
30
T（微秒）
40
P
ZSM
= V
ZSM
X我
ZSM
.
V
ZSM
是我的非重复性峰值反向电压
ZSM
.
Fig.4
最大非重复性峰值反向
功耗为脉冲的函数
持续时间（矩形脉冲） 。
Fig.5
8/20
s
根据脉冲波形
IEC 61000-4-5 。
2003年8月5
5
分立半导体
数据表
M3D883
底部视图
PESDxL2UM系列
低电容ESD双
保护二极管
产品speci fi cation
2003年8月5
飞利浦半导体
产品speci fi cation
低电容双重ESD保护二极管
特点
两行单向ESD保护或
一条线的双向ESD保护
反向隔离电压3.3和5 V
低电容二极管
超低漏电流
无铅超小型SOT883表面贴装封装
(1
×
0.6
×
0.5 mm)
电路板空间1.17毫米
2
（ SOT23的约10 ％ ）
ESD保护>15千伏
IEC 61000-4-2 ; 4级（ ESD ） ; 15千伏（空气）或
8千伏（接触） 。
应用
手机及配件
便携式电子产品
计算机及外设
通信系统
音频和视频设备。
记号
类型编号
PESD3V3L2UM
PESD5V0L2UM
标识代码
F2
F1
2
顶视图
PESDxL2UM系列
描述
在三盘低电容ESD保护二极管
无引脚SOT883超小塑料封装设计
保护多达两个传输线或数据线
静电放电（ ESD ）损坏。
钉扎
针
1
2
3
阴极1
阴极2
共阳极
描述
手册， halfpage
2
1
3
3
1
底部视图
MLE220
Fig.1简化外形（ SOT883 ）和符号。
2003年8月5
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
低电容双重ESD保护二极管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
每二极管
I
pp
峰值脉冲电流
PESD3V3L2UM
PESD5V0L2UM
P
pp
I
FSM
I
ZSM
峰值脉冲功率
非重复峰值正向电流
非重复性峰值反向电流
PESD3V3L2UM
PESD5V0L2UM
P
合计
P
ZSM
T
英镑
T
j
ESD
总功耗
非重复性峰值反向功率
耗散
储存温度
结温
静电放电
T
AMB
= 25
°C;
注4
8/20
s
脉冲;注意到1,2和3
t
p
= 1毫秒;方波脉冲
t
p
= 1毫秒;方波脉冲
8/20
s
脉冲;注意到1,2和3
参数
条件
PESDxL2UM系列
分钟。
马克斯。
单位
65
IEC 61000-4-2 （接触放电）
HBM MIL -STD 883
15
10
t
p
= 1毫秒;方波脉冲;见图4
3
2.5
30
3.5
0.9
0.8
250
6
+150
150
A
A
W
A
A
A
mW
W
°C
°C
kV
kV
笔记
1.非重复性电流脉冲8/20
s
指数衰减波形;见图5 。
2.引脚1和3或2和3 。
3.引脚1和2 。
4.设备安装在标准的印刷电路板。
ESD标准符合性
IEC 61000-4-2第4级（ ESD ）
HBM MIL -STD 883 ，第3类
热特性
符号
R
日J-一
参数
从结点到环境的热阻
条件
所有的二极管装;注1
一个二极管装;注意2
笔记
1.参考SOT883标准安装条件（足迹） ， FR4 60
m
铜带线。
2. FR4单面铜1厘米
2
.
价值
500
290
单位
K / W
K / W
>15千伏（空气） ; >8千伏（接触）
>4千伏
2003年8月5
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
低电容双重ESD保护二极管
电气特性
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
每二极管
V
F
V
RWM
正向电压
相反的立场-O FF电压
PESD3V3L2UM
PESD5V0L2UM
I
RM
反向漏电流
PESD3V3L2UM
PESD5V0L2UM
V
（CL ）R
钳位电压
PESD3V3L2UM
V
R
= 3.3 V
V
R
= 5 V
8/20
s
脉冲
I
pp
= 1 ;注1和2
I
pp
= 3 A;注1和2
I
pp
= 1 ;注1和3
I
pp
= 3 A;注1和3
PESD5V0L2UM
I
pp
= 1 ;注1和2
I
pp
= 2.5 A;注1和2
I
pp
= 1 ;注1和3
I
pp
= 2.5 A;注1和3
V
BR
击穿电压
PESD3V3L2UM
PESD5V0L2UM
S
Z
温度COEF网络cient
PESD3V3L2UM
PESD5V0L2UM
r
差异
微分电阻
PESD3V3L2UM
PESD5V0L2UM
C
d
二极管电容
PESD3V3L2UM
PESD5V0L2UM
F = 1兆赫; V
R
= 0
F = 1兆赫; V
R
= 5
F = 1兆赫; V
R
= 0
F = 1兆赫; V
R
= 5
笔记
1.非重复性电流脉冲8/20
s
指数衰减波形;见图5 。
2.引脚1和3或2和3 。
3.引脚1和2 。
I
R
= 1毫安
I
Z
= 1毫安
I
Z
= 1毫安
5.32
6.46
I
F
= 200毫安
参数
条件
PESDxL2UM系列
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
1
75
5
5.6
6.8
1.3
2.9
22
12
16
8
1.2
3.3
5
300
25
8
12
9
13
10
13
11
15
5.88
7.14
200
100
28
17
19
11
V
V
V
nA
nA
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
毫伏/ K
毫伏/ K
pF
pF
pF
pF
2003年8月5
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
低电容双重ESD保护二极管
PESDxL2UM系列
手册， halfpage
10
MLE215
手册， halfpage
26
MLE216
Cd
IZSM
(A)
（PF ）
22
18
PESD3V3L2UM
1
PESD3V3L2UM
14
PESD5V0L2UM
PESD5V0L2UM
10
10
1
10
2
10
1
1
TP（ ms）的
10
6
0
1
2
3
4
VR （ V）
5
T
j
= 25
°C;
F = 1兆赫。
Fig.2
非反向重复峰值电流为
函数的脉冲时间（矩形脉冲） 。
Fig.3
二极管电容反向的函数
电压;典型值。
10
2
手册， halfpage
PZSM
(W)
MLE217
手册， halfpage
120
MLE218
IPP
(%)
100 ％伊普; 8
s
80
PESD3V3L2UM
10
PESD5V0L2UM
40
e
t
50 ％伊普; 20
s
1
10
2
10
1
1
TP（ ms）的
10
0
0
10
20
30
T（微秒）
40
P
ZSM
= V
ZSM
X我
ZSM
.
V
ZSM
是我的非重复性峰值反向电压
ZSM
.
Fig.4
最大非重复性峰值反向
功耗为脉冲的函数
持续时间（矩形脉冲） 。
Fig.5
8/20
s
根据脉冲波形
IEC 61000-4-5 。
2003年8月5
5
查看更多PESD3V3L2UMPDF信息
推荐型号
PLA02A-090-R
P6SMB68CAT3G
PT6525D
P26TG-2412Z41H35M
PI3C3306LE
PSD913370JIT
PST3810
PCI350-AC04SN
PAL10L4CNLXXXX
PSD4235G2V-C-70B81I
PST573C
PIC18F2523-I/ML
PLY10BN1522R0D2M
PSD4235G3V-20MI
PT515
PDM41252SA20SOI
PCA82C251U
PSD913F2A-12UT
PWF2424D-6W
PVC12282
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    PESD3V3L2UM
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市科恒伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2236823936 复制

电话：0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人：李小姐
地址：深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票！！
PESD3V3L2UM
NXP
1926+
28562
SOT883
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险！！
深圳市银芯龙科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1184826453 复制

电话：13510131896
联系人：欧阳
地址：龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
PESD3V3L2UM
PHILIPS
15+
12000
SOT-883
进口原装现货
深圳市品优时代科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3003319701 复制
电话：0755-23612326
联系人：唐
地址：福田区振兴路华康大厦1栋519室
PESD3V3L2UM
PHILIPS
2019
19850
SOT-883
原装正品 钻石品质 假一赔十
深圳市品优时代科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3003319701 复制
电话：0755-23612326
联系人：唐
地址：福田区振兴路华康大厦1栋519室
PESD3V3L2UM
PHILIPS
2019
19850
19850
原装正品 钻石品质 假一赔十
深圳市悦兴晨电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1472701163 复制 点击这里给我发消息 QQ：1374504490 复制

电话：0755－82812004／82811605
联系人：朱先生
地址：广东深圳福田区华强北上步工业区405栋6楼607
PESD3V3L2UM
NXP
24+
432008
SOT883
进口原装！现货!假一赔十
上海熠富电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：565106636 复制 点击这里给我发消息 QQ：414322027 复制
电话：15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
PESD3V3L2UM
NXP/恩智浦
2024
20918
SOT883
上海原装现货库存，欢迎咨询合作
上海熠富电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：892174007 复制 点击这里给我发消息 QQ：2300949663 复制 点击这里给我发消息 QQ：2719079875 复制

电话：15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
PESD3V3L2UM
NXP/恩智浦
2024
20918
SOT883
原装现货上海库存，欢迎咨询
上海鑫丰电子技术有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：729272152 复制 点击这里给我发消息 QQ：1484215649 复制

电话：021-51875986/51872153
联系人：陈小姐 张先生
地址：上海市黄浦区北京东路668号科技京城西楼
PESD3V3L2UM
NXP/恩智浦
21+
29000
SOT883
全新原装，欢迎订购！
北京首天伟业科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
PESD3V3L2UM
NXP
2013+
86000
SOT883
全新原装正品/质量有保证
上海如美电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：823639999 复制

电话：021-51097965
联系人：杨全兴
地址：松江区石湖荡镇松蒸公路2183号22幢-19
PESD3V3L2UM
安世
20+
900000
全新原装
1￥/片,深圳，上海现货
查询更多PESD3V3L2UM供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！