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PESD3V3L1UA ; PESD3V3L1UB ;
PESD3V3L1UL
低电容单向ESD保护二极管
版本01 - 2009年6月17日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
低电容单向的静电放电（ ESD ）保护二极管小
表面贴装器件（ SMD ）塑料封装设计用于保护一条信号线从
由ESD和其他瞬变的损害。
表1中。
产品概述
包
恩智浦
PESD3V3L1UA
PESD3V3L1UB
PESD3V3L1UL
SOD323
SOD523
SOD882
JEITA
SC-76
SC-79
-
非常小
超小扁平的铅
无铅超小
包装CON组fi guration
类型编号
1.2产品特点
I
单向ESD保护
一号线
I
低电容二极管：C
d
= 34 pF的
I
低钳位电压： V
CL
= 11 V
I
非常低的漏电流：I
RM
= 100 nA的
I
ESD保护高达30千伏
I
IEC 61000-4-2 ; 4级（ ESD ）
I
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
1.3应用
I
计算机及外设
I
音频和视频设备
I
手机及配件
I
通信系统
I
订户身份模块（ SIM）卡
保护
I
便携式电子产品
I
火线
I
高速数据线
1.4快速参考数据
表2中。
快速参考数据
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
V
RWM
C
d
参数
反向断态电压
二极管电容
F = 1兆赫; V
R
= 0 V
条件
民
-
-
典型值
-
34
最大
3.3
40
单位
V
pF
恩智浦半导体
PESD3V3L1UA/UB/UL
低电容单向ESD保护二极管
2.管脚信息
表3中。
针
1
2
钉扎
描述
阴极
阳极
[1]
简化的轮廓
图形符号
PESD3V3L1UA ; PESD3V3L1UB
1
001aab540
2
1
2
006aaa152
PESD3V3L1UL
1
2
阴极
阳极
[1]
1
2
1
2
006aaa152
透明
顶视图
[1]
标记栏显示的阴极。
3.订购信息
表4 。
订购信息
包
名字
PESD3V3L1UA
PESD3V3L1UB
PESD3V3L1UL
SC-76
SC-79
-
描述
塑料表面贴装封装; 2引线
塑料表面贴装封装; 2引线
无铅超小型塑料封装; 2接线端子;
机身1.0
×
0.6
×
0.5 mm
VERSION
SOD323
SOD523
SOD882
类型编号
4.标记
表5 。
标记代码
标识代码
1H
Z7
XW
类型编号
PESD3V3L1UA
PESD3V3L1UB
PESD3V3L1UL
PESD3V3L1UA_UB_UL_1
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
版本01 - 2009年6月17日
2 13
恩智浦半导体
PESD3V3L1UA/UB/UL
低电容单向ESD保护二极管
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
P
PP
I
PP
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
参数
峰值脉冲功率
峰值脉冲电流
结温
环境温度
储存温度
条件
t
p
= 8/20
s
t
p
= 8/20
s
[1][2]
[1][2]
民
-
-
-
55
65
最大
45
4.5
150
+150
+150
单位
W
A
°C
°C
°C
非重复性电流脉冲8/20
s
根据IEC 61000-4-5指数衰减波形。
从测量引脚1到引脚2 。
表7中。
ESD最大额定值
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
V
ESD
参数
静电放电电压
条件
IEC 61000-4-2
（接触放电）
机器型号
MIL -STD- 883 （人
人体模型）
[1]
强调设备与十个非重复的ESD脉冲。
[1]
民
-
-
-
最大
30
400
10
单位
kV
V
kV
表8 。
标准
ESD标准符合性
条件
> 15千伏（空气） ; > 8千伏（接触）
＆ GT ; 4千伏
IEC 61000-4-2 ; 4级（ ESD ）
MIL -STD- 883 ;第3类（人体模型）
PESD3V3L1UA_UB_UL_1
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版本01 - 2009年6月17日
3 13
恩智浦半导体
PESD3V3L1UA/UB/UL
低电容单向ESD保护二极管
001aaa631
120
I
PP
(%)
80
100 % I
PP
; 8
s
001aaa630
I
PP
100 %
90 %
e
t
50 % I
PP
; 20
s
40
10 %
t
r
=
0.7 ns至1纳秒
0
10
20
30
T（微秒）
40
30纳秒
60纳秒
t
0
图1 。
8/20
s
根据脉冲波形
IEC 61000-4-5
图2 。
根据ESD脉冲波形
IEC 61000-4-2
6.特性
表9 。
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
V
RWM
I
RM
V
BR
C
d
V
CL
参数
反向断态电压
反向漏电流
击穿电压
二极管电容
钳位电压
I
PP
= 1 A
I
PP
= 4.5 A
r
DIF
V
F
[1]
[2]
条件
V
RWM
= 3.3 V
I
R
= 5毫安
F = 1兆赫;
V
R
= 0 V
[1][2]
民
-
-
5.3
-
典型值
-
100
5.6
34
最大
3.3
300
6.0
40
单位
V
nA
V
pF
-
-
-
-
-
-
-
-
8
11
30
1.2
V
V
V
微分电阻
正向电压
I
R
= 5毫安
I
F
= 200毫安
非重复性电流脉冲8/20
s
根据IEC 61000-4-5指数衰减波形。
从测量引脚1到引脚2 。
PESD3V3L1UA_UB_UL_1
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版本01 - 2009年6月17日
4 13
恩智浦半导体
PESD3V3L1UA/UB/UL
低电容单向ESD保护二极管
I
35
C
d
（PF ）
30
006aab563
25
V
CL
V
BR
V
RWM
I
RM
I
R
V
20
15
P -N
+
10
0
1
2
3
4
V
R
(V)
5
I
PP
006aaa407
F = 1兆赫;牛逼
AMB
= 25
°C
图3 。
二极管电容反向的函数
电压;典型值
图4 。
为一个单向V-I特性
ESD保护二极管
PESD3V3L1UA_UB_UL_1
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5 13
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