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PESD36VS2UT
低电容双单向ESD保护二极管
版本01 - 2009年7月16日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
低电容单向双静电放电（ ESD ）保护二极管
SOT23封装（ TO- 236AB ）小型表面贴装器件（ SMD ）塑料封装设计
最多保护免受ESD和其他瞬态损坏两条信号线。
1.2产品特点
I
单向ESD保护
两行
I
低电容二极管：C
d
= 17 pF的
I
马克斯。峰值脉冲功率：P
PP
= 160 W
I
低钳位电压： V
CL
= 55 V
I
超低漏电流：I
RM
≤
1
A
I
ESD保护高达30千伏
I
IEC 61000-4-2 ; 4级（ ESD ）
I
IEC 61000-4-5 （浪涌） ;我
PP
= 2.5 A
I
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
1.3应用
I
I
I
I
计算机及外设
音频和视频设备
手机及配件
订户身份模块（ SIM）卡
保护
I
便携式电子产品
I
通信系统
I
10/100 Mbit / s以太网
1.4快速参考数据
表1中。
快速参考数据
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
每二极管
V
RWM
C
d
反向断态电压
二极管电容
F = 1兆赫; V
R
= 0 V
-
-
-
17
36
35
V
pF
参数
条件
民
典型值
最大
单位
恩智浦半导体
PESD36VS2UT
低电容双单向ESD保护二极管
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
钉扎
描述
阴极（二极管1 ）
阴极（二极管2 ）
共阳极
1
2
3
3
简化的轮廓
图形符号
1
2
006aaa154
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PESD36VS2UT
-
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
VERSION
SOT23
类型编号
4.标记
表4 。
标记代码
标识代码
[1]
LF *
类型编号
PESD36VS2UT
[1]
* = - ：香港制造
* = P ：香港制造
* = T：在马来西亚
* = W ：中国制造
5.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
每二极管
P
PP
I
PP
每个器件
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
参数
峰值脉冲功率
峰值脉冲电流
结温
环境温度
储存温度
条件
t
p
= 8/20
s
t
p
= 8/20
s
[1][2]
[1][2]
民
-
-
-
55
65
最大
160
2.5
150
+150
+150
单位
W
A
°C
°C
°C
非重复性电流脉冲8/20
s
根据IEC 61000-4-5指数衰减波形。
从测量引脚1或2到3脚。
PESD36VS2UT_1
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
版本01 - 2009年7月16日
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恩智浦半导体
PESD36VS2UT
低电容双单向ESD保护二极管
表6 。
ESD最大额定值
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
每二极管
V
ESD
静电放电电压
IEC 61000-4-2
（接触放电）
机器型号
MIL -STD- 883 （人
人体模型）
[1]
[2]
强调设备与十个非重复的ESD脉冲。
从测量引脚1到引脚2 。
[1][2]
参数
条件
民
-
-
-
最大
30
400
8
单位
kV
V
kV
[2]
表7中。
标准
每二极管
ESD标准符合性
条件
> 15千伏（空气） ; > 8千伏（接触）
＆ GT ; 4千伏
IEC 61000-4-2 ; 4级（ ESD ）
MIL -STD- 883 ;第3类（人体模型）
001aaa631
120
I
PP
(%)
80
100 % I
PP
; 8
s
001aaa630
I
PP
100 %
90 %
e
t
50 % I
PP
; 20
s
40
10 %
t
r
=
0.7 ns至1纳秒
0
10
20
30
T（微秒）
40
30纳秒
60纳秒
t
0
图1 。
8/20
s
根据脉冲波形
IEC 61000-4-5
图2 。
根据ESD脉冲波形
IEC 61000-4-2
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版本01 - 2009年7月16日
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恩智浦半导体
PESD36VS2UT
低电容双单向ESD保护二极管
6.特性
表8 。
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
每二极管
V
RWM
I
RM
V
BR
C
d
V
CL
r
DIF
[1]
[2]
参数
反向断态电压
反向漏电流
击穿电压
二极管电容
钳位电压
微分电阻
条件
民
-
典型值
-
＆ LT ; 0.02
44
17
55
-
最大
36
1
-
35
60
300
单位
V
A
V
pF
V
V
RWM
= 30 V
I
R
= 5毫安
F = 1兆赫;
V
R
= 0 V
I
PP
= 1 A
I
R
- 0.5毫安
[1]
-
40
-
-
-
[1][2]
从测量引脚1或2到3脚。
非重复性电流脉冲8/20
s
根据IEC 61000-4-5指数衰减波形。
20
C
d
（PF ）
15
006aab615
10
5
0
0
10
20
30
V
R
(V)
40
F = 1兆赫;牛逼
AMB
= 25
°C
图3 。
二极管电容的反向电压的函数;典型值
PESD36VS2UT_1
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恩智浦半导体
PESD36VS2UT
低电容双单向ESD保护二极管
I
I
PP
V
CL
V
BR
V
RWM
I
RM
I
R
P -N
V
V
CL
V
BR
V
RWM
I
R
I
RM
I
RM
I
R
V
RWM
V
BR
V
CL
+
+
I
PP
006aaa407
I
PP
006aaa676
从测量引脚1或2到3脚。
从测量引脚1到引脚2 。
图4 。
为一个单向V-I特性
ESD保护二极管
图5 。
对于双向V-I特性
ESD保护二极管
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