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PESD24VS1UA
单向ESD保护二极管
第1版 - 2011年3月7日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
单向的静电放电( ESD)的保护SOD323二极管( SC- 76 )非常
小型表面贴装器件( SMD )塑料封装设计用于保护一条信号线
免受ESD和其他瞬变的损害。
1.2特点和优点
一条线的单向ESD保护
马克斯。峰值脉冲功率:P
PP
= 160 W
超低漏电流:I
RM
< 1 nA的
ESD保护高达23 kV的
IEC 61000-4-2第4级( ESD )
IEC 61000-4-5 (浪涌) ;我
PP
= 3 A
1.3应用
计算机及外设
通信系统
音频和视频设备
数据线
控制器区域网络( CAN )总线保护
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
RWM
C
d
快速参考数据
参数
反向断态电压
二极管电容
V
R
= 0 V ; F = 1 MHz的
条件
-
-
典型值
-
23
最大
24
50
单位
V
pF
2.管脚信息
表2中。
1
2
钉扎
描述
阴极
阳极
[1]
简化的轮廓
1
2
图形符号
1
2
006aaa152
恩智浦半导体
PESD24VS1UA
单向ESD保护二极管
[1]
标记栏显示的阴极。
3.订购信息
表3中。
订购信息
名字
PESD24VS1UA
SC-76
描述
塑料表面贴装封装; 2引线
VERSION
SOD323
类型编号
4.标记
表4 。
标记代码
标识代码
2E
类型编号
PESD24VS1UA
5.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
P
PP
I
PP
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
参数
峰值脉冲功率
峰值脉冲电流
结温
环境温度
储存温度
条件
t
p
= 8/20
μs
t
p
= 8/20
μs
[1]
[1]
-
-
-
65
65
最大
160
3
150
+150
+150
单位
W
A
°C
°C
°C
非重复性电流脉冲8/20
μs
根据IEC 61000-4-5指数衰减波形。
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2 13
恩智浦半导体
PESD24VS1UA
单向ESD保护二极管
表6 。
ESD最大额定值
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
V
ESD
参数
静电放电
电压
条件
IEC 61000-4-2
(接触放电)
MIL-STD-883
(人体模型)
[1]
强调设备与十个非重复的ESD脉冲。
[1]
-
-
最大
23
10
单位
kV
kV
表7中。
标准
ESD标准符合性
条件
> 15千伏(空气) ; > 8千伏(接触)
& GT ; 4千伏
IEC 61000-4-2 ; 4级( ESD )
MIL -STD- 883 ;第3类(人体模型)
001aaa631
120
I
PP
(%)
80
100 % I
PP
; 8
μs
001aaa630
I
PP
100 %
90 %
e
t
50 % I
PP
; 20
μs
40
10 %
t
r
=
0.7 ns至1纳秒
0
10
20
30
T(微秒)
40
30纳秒
60纳秒
t
0
图1 。
8/20
μs
根据脉冲波形
IEC 61000-4-5
图2 。
根据ESD脉冲波形
IEC 61000-4-2
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恩智浦半导体
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单向ESD保护二极管
6.特性
表8 。
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
V
RWM
I
RM
V
BR
C
d
V
CL
参数
反向隔离
电压
反向漏
当前
击穿电压
二极管电容
钳位电压
I
PP
= 1 A
I
PP
= 3 A
r
DYN
[1]
[2]
[3]
条件
-
典型值
-
<1
27.0
23
-
-
1.53
最大
24
50
27.5
50
36
70
-
单位
V
nA
V
pF
V
V
Ω
V
RWM
= 24 V
I
R
= 5毫安
F = 1兆赫; V
R
= 0 V
[1][2]
-
26.5
-
-
-
[2][3]
动态电阻
I
R
= 10 A
-
非重复性电流脉冲8/20
μs
根据IEC 61000-4-5指数衰减波形。
从测量引脚1到引脚2 。
非重复性电流脉冲,传输线路脉冲( TLP )T
p
= 100纳秒;方波脉冲;
ANS / IESD STM5-1-2008 。
10
4
P
pp
(W)
10
3
006aac519
1.2
P
PP
P
PP(25°C)
0.8
001aaa193
10
2
0.4
10
1
10
10
2
10
3
t
p
(μs)
10
4
0
0
50
100
150
T
j
(°C)
200
T
AMB
= 25
°C
图3 。
峰值脉冲功率耗散的一个函数
脉冲时间;典型值
图4 。
峰值脉冲功率相对变化为
结温度的函数;典型
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单向ESD保护二极管
50
C
d
(PF )
40
006aac520
10
006aac521
I
R
I
R(25°C)
30
1
20
10
0
0
5
10
15
20
V
R
(V)
25
10
–1
–100
–50
0
50
100
T
j
(°C)
150
F = 1兆赫;牛逼
AMB
= 25
°C
V
RWM
= 24 V
图5 。
二极管电容反向的函数
电压;典型值
图6 。
反向漏电流相对变化
作为结点温度的函数;典型
I
V
CL
V
BR
V
RWM
I
RM
I
R
P -N
V
+
I
PP
006aaa407
图7 。
VI特性单向ESD保护二极管
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    -
    -
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    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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