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PESD12VV1BL
非常低电容双向ESD保护二极管
第1版 - 2012年4月3日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
非常低电容双向静电放电（ ESD ）保护二极管
设计用于保护免受ESD和其他瞬变的损害一条信号线。
该器件采用无铅超小型DFN1006-2 （ SOD882 ）表面贴装
器件（SMD ）塑料封装。
1.2特点和优点
一条线的双向ESD保护
低二极管电容C
d
= 17 pF的
额定峰值脉冲功率：P
PPM
= 290 W
超低漏电流I
RM
< 1 nA的
ESD保护高达30千伏
IEC 61000-4-2 ; 4级（ ESD ）
IEC 61000-4-5 （浪涌） ;我
PPM
= 7.8 A
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
1.3应用
计算机及外设
音频和视频设备
手机及配件
便携式电子产品
通信系统
1.4快速参考数据
表1中。
快速参考数据
T
AMB
= 25
C除非另有规定ED 。
符号
V
RWM
C
d
参数
反向断态电压
二极管电容
F = 1兆赫; V
R
= 0 V
条件
民
-
-
典型值
-
17
最大
12
25
单位
V
pF
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
钉扎
描述
阴极
阴极
1
2
1
sym045
简化的轮廓
图形符号
2
透明
顶视图
恩智浦半导体
PESD12VV1BL
非常低电容双向ESD保护二极管
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PESD12VV1BL DFN1006-2
描述
无铅超小型塑料封装; 2接线端子;
机身1.0
0.6
0.5 mm
VERSION
SOD882
类型编号
4.标记
表4 。
标记代码
标识代码
MW
类型编号
PESD12VV1BL
5.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
P
PPM
I
PPM
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
参数
额定峰值脉冲功率
额定峰值脉冲电流
结温
环境温度
储存温度
条件
[1]
民
-
-
-
55
65
[1]
最大
290
7.8
150
+150
+150
单位
W
A
C
C
C
t
p
= 8/20
s
设备与十个非重复的电流脉冲强调（ 8/20
s
按指数衰减波形
IEC 61000-4-5和IEC 61643-321 ） 。
表6 。
ESD最大额定值
T
AMB
= 25
C除非另有规定ED 。
符号
V
ESD
参数
静电
放电电压
条件
IEC 61000-4-2
（接触放电）
机器型号
MIL-STD-883
（人体模型）
[1]
强调设备与十个非重复的ESD脉冲。
[1]
民
-
-
-
最大
30
400
10
单位
kV
V
kV
表7中。
标准
ESD标准符合性
条件
> 15千伏（空气） ; > 8千伏（接触）
> 8千伏
IEC 61000-4-2 ; 4级（ ESD ）
MIL -STD- 883 ; 3B级（人体模型）
PESD12VV1BL
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产品数据表
第1版 - 2012年4月3日
2 12
恩智浦半导体
PESD12VV1BL
非常低电容双向ESD保护二极管
001aaa631
120
I
PP
(%)
80
100 % I
PP
; 8
μs
001aaa630
I
PP
100 %
90 %
e
t
50 % I
PP
; 20
μs
40
10 %
t
r
=
0.7 ns至1纳秒
0
10
20
30
T（微秒）
40
30纳秒
60纳秒
t
0
图1 。
8/20
s
根据脉冲波形
IEC 61000-4-5和IEC 61643-321
图2 。
根据ESD脉冲波形
IEC 61000-4-2
6.特性
表8 。
特征
T
AMB
= 25
C除非另有规定ED 。
符号参数
V
RWM
I
RM
V
BR
C
d
V
CL
r
DYN
[1]
[2]
条件
民
-
-
14.6
-
[1]
[1]
[2]
典型值
-
<1
15.7
17
-
-
0.7
最大
12
10
16.8
25
22
38
-
单位
V
nA
V
pF
V
V
反向隔离
电压
反向漏电流V
RWM
= 12 V
击穿电压
二极管电容
钳位电压
动态电阻
I
R
= 5毫安
F = 1兆赫; V
R
= 0 V
I
PP
= 1 A
I
PPM
= 7.8 A
I
R
= 10 A
-
-
-
器件强调了与8/20
s
根据IEC 61000-4-5和IEC 61643-321指数衰减波形。
非重复性电流脉冲，传输线路脉冲（ TLP ）T
p
= 100纳秒;方波脉冲;
ANS / IESD STM5-1-2008 。
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3 12
恩智浦半导体
PESD12VV1BL
非常低电容双向ESD保护二极管
10
3
P
PP
(W)
10
2
aaa-002723
＆放大器;
G
S)


DDD


10

1
10
-4
10
-3
t
p
(μs)
10
-2







9
5
9


T
AMB
= 25
C
F = 1兆赫;牛逼
AMB
= 25
C
图3 。
额定峰值脉冲功率的函数
方波脉冲的持续时间;典型值
I
PPM
I
PP
图4 。
二极管电容反向的函数
电压;典型值
V
CL
V
BR
V
RWM
I
R
I
RM
I
RM
I
R
V
RWM
V
BR
V
CL
+
I
PP
I
PPM
006aab325
图5 。
VI特性双向ESD保护二极管
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4 12
恩智浦半导体
PESD12VV1BL
非常低电容双向ESD保护二极管
防静电测试仪
Rd
450 Ω
RG 223 / U
50 COAX
4 GHz数字
示波器
10x
衰减器
50 Ω
Cs
IEC 61000-4-2网
C
s
= 150 pF的;
d
= 330 Ω
DUT
（设备
下
测试）
垂直比例尺= 2千伏/ DIV
水平比例= 10 ns /格
垂直比例尺= 20 V / DIV
水平比例尺= 50 ns /格
GND
GND
松开8 kV的ESD脉冲波形
（ IEC 61000-4-2网）
夹紧8千伏静电放电脉冲波形
（ IEC 61000-4-2网）
垂直比例尺= 2千伏/ DIV
水平比例= 10 ns /格
GND
GND
垂直比例尺= 20 V / DIV
水平比例尺= 50 ns /格
松开-8千伏ESD脉冲波形
（ IEC 61000-4-2网）
夹-8千伏ESD脉冲波形
（ IEC 61000-4-2网）
aaa-002726
图6 。
ESD钳位测试设置和波形
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