PESD5V0S1UJ ; PESD12VS1UJ
瞬态电压单向ESD保护
抑制
牧师01 - 2009年6月3日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
单向的静电放电( ESD )保护二极管在一个非常小
表面贴装器件( SMD )塑料封装设计用于保护一条信号线
免受ESD和瞬态过电压的损害。
表1中。
产品概述
包
恩智浦
PESD5V0S1UJ
PESD12VS1UJ
SOD323F
JEITA
SC-90
单身
CON组fi guration
类型编号
1.2产品特点
I
瞬态电压抑制( TVS )
保护一行
I
马克斯。峰值脉冲功率:P
PP
= 890 W
I
低钳位电压: V
CL
= 19 V
I
低漏电流:I
RM
= 300 nA的
I
ESD保护高达30千伏
I
IEC 61000-4-2 ; 4级( ESD )
I
IEC 61000-4-5 (浪涌) ;我
PP
= 47 A
I
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
1.3应用
I
计算机及外设
I
音频和视频设备
I
手机及配件
I
通信系统
I
便携式电子产品
I
医疗和工业设备
1.4快速参考数据
表2中。
快速参考数据
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
V
RWM
参数
反向断态电压
PESD5V0S1UJ
PESD12VS1UJ
C
d
二极管电容
PESD5V0S1UJ
PESD12VS1UJ
F = 1兆赫; V
R
= 0 V
-
-
480
160
530
180
pF
pF
-
-
-
-
5
12
V
V
条件
民
典型值
最大
单位
恩智浦半导体
PESD5V0S1UJ ; PESD12VS1UJ
瞬态电压抑制单向ESD保护
2.管脚信息
表3中。
针
1
2
钉扎
描述
阴极
阳极
[1]
简化的轮廓
1
2
图形符号
1
2
006aaa152
[1]
标记栏显示的阴极。
3.订购信息
表4 。
订购信息
包
名字
PESD5V0S1UJ
PESD12VS1UJ
SC-90
描述
塑料表面贴装封装; 2引线
VERSION
SOD323F
类型编号
4.标记
表5 。
标记代码
标识代码
1Q
1R
类型编号
PESD5V0S1UJ
PESD12VS1UJ
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
P
PP
参数
峰值脉冲功率
PESD5V0S1UJ
PESD12VS1UJ
I
PP
峰值脉冲电流
PESD5V0S1UJ
PESD12VS1UJ
t
p
= 8/20
s
[1][2]
条件
t
p
= 8/20
s
[1][2]
民
-
-
-
-
最大
890
600
47
22.5
单位
W
W
A
A
PESD5V0S1UJ_PESD12VS1UJ_1
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师01 - 2009年6月3日
2 14
恩智浦半导体
PESD5V0S1UJ ; PESD12VS1UJ
瞬态电压抑制单向ESD保护
表6 。
极限值
- 续
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
P
合计
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
[3]
[4]
参数
总功耗
结温
环境温度
储存温度
条件
T
AMB
≤
25
°C
[3]
[4]
民
-
-
-
55
65
最大
420
720
150
+150
+150
单位
mW
mW
°C
°C
°C
非重复性电流脉冲8/20
s
根据IEC 61000-4-5指数衰减波形。
焊接点阴极标签。
设备安装在一FR4印刷电路板(PCB) ,单面铜,镀锡和标准
足迹。
设备安装在一FR4印刷电路板,单面铜,镀锡,安装焊盘用于阴极1厘米
2
.
表7中。
ESD最大额定值
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
V
ESD
参数
静电放电电压
条件
IEC 61000-4-2
(接触放电)
机器型号
MIL -STD- 883 (人
人体模型)
[1]
强调设备与十个非重复的ESD脉冲。
[1]
民
-
-
-
最大
30
400
16
单位
kV
V
kV
表8 。
标准
ESD标准符合性
条件
> 15千伏(空气) ; > 8千伏(接触)
& GT ; 4千伏
IEC 61000-4-2 ; 4级( ESD )
MIL -STD- 883 ;第3类(人体模型)
PESD5V0S1UJ_PESD12VS1UJ_1
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师01 - 2009年6月3日
3 14
恩智浦半导体
PESD5V0S1UJ ; PESD12VS1UJ
瞬态电压抑制单向ESD保护
001aaa631
120
I
PP
(%)
80
100 % I
PP
; 8
s
001aaa630
I
PP
100 %
90 %
e
t
50 % I
PP
; 20
s
40
10 %
t
r
=
0.7 ns至1纳秒
0
10
20
30
T(微秒)
40
30纳秒
60纳秒
t
0
图1 。
8/20
s
根据脉冲波形
IEC 61000-4-5
图2 。
根据ESD脉冲波形
IEC 61000-4-2
6.热特性
表9 。
符号
R
号(j -a)的
R
日(J -SP )
[1]
[2]
[3]
热特性
参数
从热阻
结到环境
从热阻
结点到焊点
条件
在自由空气
[1]
[2]
[3]
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
290
170
35
单位
K / W
K / W
K / W
设备安装在一FR4 PCB ,单面铜,镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4印刷电路板,单面铜,镀锡,安装焊盘用于阴极1厘米
2
.
焊接点阴极标签。
PESD5V0S1UJ_PESD12VS1UJ_1
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师01 - 2009年6月3日
4 14
恩智浦半导体
PESD5V0S1UJ ; PESD12VS1UJ
瞬态电压抑制单向ESD保护
7.特点
表10.特性
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
V
RWM
参数
反向断态电压
PESD5V0S1UJ
PESD12VS1UJ
I
RM
反向漏电流
PESD5V0S1UJ
PESD12VS1UJ
V
BR
击穿电压
PESD5V0S1UJ
PESD12VS1UJ
C
d
二极管电容
PESD5V0S1UJ
PESD12VS1UJ
V
CL
钳位电压
PESD5V0S1UJ
I
PP
= 47 A
I
PP
= 25 A
I
PP
= 5 A
PESD12VS1UJ
I
PP
= 22.5 A
I
PP
= 15 A
I
PP
= 5 A
r
DIF
微分电阻
PESD5V0S1UJ
PESD12VS1UJ
[1]
[1]
条件
民
-
-
典型值
-
-
0.3
<1
6.8
14.5
最大
5
12
4
100
7.3
15.75
单位
V
V
A
nA
V
V
V
RWM
= 5 V
V
RWM
= 12 V
I
R
= 5毫安
-
-
6.2
13.3
F = 1兆赫;
V
R
= 0 V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
480
160
-
-
-
-
-
-
2
5
530
180
19
13.5
9.8
27
23.5
19
100
100
pF
pF
V
V
V
V
V
V
I
R
= 5毫安
非重复性电流脉冲8/20
s
根据IEC 61000-4-5指数衰减波形。
PESD5V0S1UJ_PESD12VS1UJ_1
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师01 - 2009年6月3日
5 14