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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符P型号页 > 首字符P的型号第239页 > PEMH9
分立半导体
数据表
M3D744
PEMH9
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 10 kΩ的， R2 = 47 kΩ的
产品speci fi cation
取代2001年的数据10月22日
2001年11月7日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 10 kΩ的， R2 = 47 kΩ的
特点
300 mW的总功耗
很小1.6
×
1.2毫米超薄封装
焊接过程中，由于直导线自校准
替换2个SC -75 / SC- 89封装的晶体管
同样的PCB面积
减少所需PCB面积
减少取放成本。
应用
通用开关和放大
逆变器和接口电路
电路的驱动程序。
描述
NPN电阻配备晶体管在SOT666塑料
封装。
记号
类型编号
PEMH9
标识代码
H9
1
顶视图
TR1
R2
手册， halfpage
6
PEMH9
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
CM
TR1
TR2
R1
R2
钉扎
针
1, 4
2, 5
6, 3
辐射源
BASE
集热器
描述
TR1 ; TR2
TR1 ; TR2
TR1 ; TR2
参数
集电极 - 发射极电压
峰值集电极电流
NPN
NPN
偏置电阻
偏置电阻
马克斯。
50
100
10
47
单位
V
mA
k
k
5
4
6
5
4
R1
R2
TR2
R1
2
3
1
MHC049
2
3
Fig.1简化外形（ SOT666 ）和符号。
2, 5
1, 4
MBK120
6, 3
图2等效逆变器符号。
2001年11月7日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 10 kΩ的， R2 = 47 kΩ的
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
每个晶体管
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
i
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
每个器件
P
合计
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
热特性
符号
R
日J-一
笔记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
2.唯一推荐的焊接方法是回流焊。
参数
热阻结到
环境
条件
注1和2
价值
416
总功耗
T
AMB
≤
25
°C;
注1
300
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
65
65
+40
10
100
100
200
+150
150
+150
发射极开路
开基
集电极开路
50
50
10
参数
条件
分钟。
PEMH9
马克斯。
单位
V
V
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
°C
mW
单位
K / W
2001年11月7日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 10 kΩ的， R2 = 47 kΩ的
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
每个晶体管
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2
-------
-
R1
C
c
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
输入过电压
输入电压
输入电阻
电阻率
集电极电容
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
V
CB
= 50 V ;我
E
= 0
V
CE
= 50 V ;我
B
= 0
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0; T
j
= 150
°C
V
EB
= 5 V ;我
C
= 0
V
CE
= 5 V ;我
C
= 5毫安
I
C
= 5毫安;我
B
= 0.25毫安
V
CE
= 5 V ;我
C
= 100
A
V
CE
= 0.3 V ;我
C
= 1毫安
100
1.4
7
3.7
0.7
0.8
10
4.7
参数
条件
分钟。
典型值。
PEMH9
马克斯。
单位
100
1
50
150
100
0.5
13
5.7
2.5
nA
A
A
A
mV
V
V
k
pF
2001年11月7日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 10 kΩ的， R2 = 47 kΩ的
PEMH9
10
3
手册， halfpage
的hFE
(1)
(2)
(3)
MHC070
10
3
手册， halfpage
VCEsat晶体管
（毫伏）
MHC071
10
2
10
2
10
(1)
(2)
(3)
1
10
1
1
10
IC （MA ）
10
2
10
10
1
1
10
IC （MA ）
10
2
V
CE
= 5 V.
(1) T
AMB
= 100
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
40 °C.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
AMB
= 100
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
40 °C.
Fig.3
直流电流增益作为集电体的功能
电流;典型值。
Fig.4
集电极 - 发射极饱和电压为
集电极电流的函数;典型值。
手册， halfpage
2
MHC072
六（关闭）
(V)
10
2
手册， halfpage
第六章（上）
(V)
10
MHC073
1.6
1.2
(1)
(2)
0.8
(3)
(1)
1
(2)
(3)
0.4
0
10
2
10
1
1
IC （MA ）
10
10
1
10
1
1
10
IC （MA ）
10
2
V
CE
= 5 V.
(1) T
AMB
=
40 °C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
= 100
°C.
V
CE
= 0.3 V.
(1) T
AMB
=
40 °C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
= 100
°C.
Fig.5
输入截止电压作为集电体的功能
电流;典型值。
Fig.6
输入导通电压作为集电体的功能
电流;典型值。
2001年11月7日
5
分立半导体
数据表
PIMH9 ; PUMH9 ; PEMH9
NPN / NPN电阻配备
晶体管; R1 = 10 kΩ的， R2 = 47 kΩ的
产品数据表
取代2003年的数据9月15日
2004年4月14日
恩智浦半导体
产品数据表
NPN / NPN电阻配备晶体管;
R1 = 10 kΩ的， R2 = 47 kΩ的
特点
内置偏置电阻
简化网络连接的ES电路设计
减少了元件数量
减少取放成本。
应用
通用开关和放大
逆变器和接口电路
电路的驱动程序。
描述
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
O
TR1
TR2
R1
R2
PIMH9 ; PUMH9 ;
PEMH9
参数
集电极 - 发射极
电压
输出直流（DC）
NPN
NPN
偏置电阻
偏置电阻
典型值。
10
47
马克斯。
50
100
单位
V
mA
kΩ
kΩ
NPN / NPN电阻配备晶体管（见“简体
大纲，符号和钉扎“的包的详细信息） 。
产品概述
包
类型编号
飞利浦
PEMH9
PIMH9
PUMH9
记
1. * = P ：香港制造。
* = T：在马来西亚进行。
* = W ：中国制造。
简化外形，象征与钉扎
钉扎
类型编号
PEMH9
PIMH9
PUMH9
R1
TR1
R2
R1
R2
TR2
手册， halfpage
6
标识代码
EIAJ
SC-74
SC-88
H9
H9
H*9
(1)
SOT666
SOT457
SOT363
PNP / PNP
补
PEMB9
PUMB9
NPN / PNP
补
PEMD9
PUMD9
简化的外形和符号
针
1
5
4
6
5
4
描述
发射TR1
基地TR1
收藏家TR2
发射TR2
基地TR2
collectorTR1
2
3
4
5
6
1
顶视图
2
3
1
MHC049
2
3
2004年4月14日
2
恩智浦半导体
产品数据表
NPN / NPN电阻配备晶体管;
R1 = 10 kΩ的， R2 = 47 kΩ的
订购信息
包
类型编号
名字
PEMH9
PIMH9
PUMH9
描述
PIMH9 ; PUMH9 ; PEMH9
VERSION
SOT666
SOT457
SOT363
塑料表面贴装封装; 6引线
塑料表面贴装封装; 6引线
塑料表面贴装封装; 6引线
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
每个晶体管
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
i
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
输出电流
峰值集电极电流
总功耗
SOT363
SOT457
SOT666
T
英镑
T
j
T
AMB
每个器件
P
合计
总功耗
SOT363
SOT457
SOT666
笔记
1.设备安装在一FR4印刷电路板，单双面铜，标准的足迹。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
T
AMB
≤
25
°C
注1
注1
注1和2
300
600
300
mW
mW
mW
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C
注1
注1
注1和2
65
65
200
300
200
+150
150
+150
mW
mW
mW
°C
°C
°C
+40
10
100
100
V
V
mA
mA
发射极开路
开基
集电极开路
50
50
10
V
V
V
参数
条件
分钟。
马克斯。
单位
2004年4月14日
3
恩智浦半导体
产品数据表
NPN / NPN电阻配备晶体管;
R1 = 10 kΩ的， R2 = 47 kΩ的
热特性
符号
每个晶体管
R
号（j -a）的
从结点到环境的热阻
SOT363
SOT457
SOT666
每个器件
R
号（j -a）的
从结点到环境的热阻
SOT363
SOT457
SOT666
笔记
T
AMB
≤
25
°C
注1
注1
注1和2
T
AMB
≤
25
°C
注1
注1
注1和2
参数
PIMH9 ; PUMH9 ; PEMH9
条件
价值
单位
625
417
625
K / W
K / W
K / W
416
208
416
K / W
K / W
K / W
1.设备安装在一FR4印刷电路板，单双面铜，标准的足迹。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2
-------
-
R1
C
c
参数
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
输入截止电压
输入导通电压
输入电阻
电阻率
集电极电容
V
CB
= 10 V ;我
E
= i
e
= 0 A;
F = 1 MHz的
条件
V
CB
= 50 V ;我
E
= 0 A
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0 A
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0 ;吨
j
= 150
°C
V
EB
= 5 V ;我
C
= 0 A
V
CE
= 5 V ;我
C
= 5毫安
V
CE
= 5 V ;我
C
= 100
μA
V
CE
= 0.3 V ;我
C
= 1毫安
分钟。
100
1.4
7
3.7
典型值。
0.7
0.8
10
4.7
马克斯。
100
1
50
150
100
0.5
13
5.7
2.5
pF
mV
V
V
kΩ
单位
nA
μA
μA
μA
集电极 - 发射极饱和电压I
C
= 5毫安;我
B
= 0.25毫安
2004年4月14日
4
恩智浦半导体
产品数据表
NPN / NPN电阻配备晶体管;
R1 = 10 kΩ的， R2 = 47 kΩ的
包装纲要
塑料表面贴装封装; 6引线
PIMH9 ; PUMH9 ; PEMH9
SOT666
D
A
E
X
S
S
HE
6
5
4
PIN 1 INDEX
A
1
e1
e
2
bp
3
w
M
A
Lp
细节X
c
0
1
规模
2 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
0.6
0.5
b
p
0.27
0.17
c
0.18
0.08
D
1.7
1.5
E
1.3
1.1
e
1.0
e
1
0.5
H
E
1.7
1.5
L
p
0.3
0.1
w
0.1
y
0.1
概要
VERSION
SOT666
参考文献：
IEC
JEDEC
JEITA
欧洲
投影
发行日期
04-11-08
06-03-16
2004年4月14日
5
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推荐型号
PDI40T1D0R
PDU15F-15
PIC16F616T-I/STQTP
P6SMB220C
PSD511B1-12LI
PDM41257SA15SOTY
PDSP16350A0GC
PSD934F4A-70MI
PHE426KD6330JR06L2
PI5A127W
P6KEXXXXRL
PAT1632C8DBB
PSD913F1-C-70MI
PIC16LCR83AT-04/SS
PAL12P8VC
PSD4235F1V-A-20MI
PS7142L-1A-E3
PT4471N
P4C163-25CMBLF
PIC16C62A-10E/TQ
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    PEMH9
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
辉华拓展
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880133232 复制 点击这里给我发消息 QQ：2880133232 复制 点击这里给我发消息 QQ：2880133232 复制

电话：0755-83202411
联系人：杨泽鹏
地址：深圳市福田区 汉国中心55楼
PEMH9
NXP(恩智浦)
22+
27345
原装原厂公司现货
深圳市集创讯科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2885393494 复制 点击这里给我发消息 QQ：2885393495 复制

电话：0755-83244680/82865294
联系人：吴小姐
地址：深圳市福田区华强北电子科技大厦A座36楼C09室
PEMH9
NXP/恩智浦
24+
68500
SOT666
原装进口正品现货，只做原装，长期供货
深圳市银芯龙科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1184826453 复制

电话：13510131896
联系人：欧阳
地址：龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
PEMH9
NXP
16+
68000
SOT666
原装进口,样品可出
深圳市科恒伟业电子有限公司
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电话：0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人：李小姐
地址：深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票！！
PEMH9
NEXPERIA
1926+
28562
SOT666
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险！！
深圳市力索微电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：370883777 复制 点击这里给我发消息 QQ：839051306 复制
电话：0755-83587431
联系人：钟彩香
地址：深圳市福田区深南中路世纪汇.都会轩3216室
PEMH9
NXP
2023+
669000
SOT666
只做原装，可开税票13%，大量现货******
北京元坤国际科技有限公司
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
PEMH9
NXP
21+
15000.00
SOT666
全新原装正品/质量有保证
深圳市百域芯科技有限公司
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电话：075582788161
联系人：王小姐
地址：深圳市华强北世纪汇都会轩4507
PEMH9
NEXPERIA
24+
3000
支持送样，BOM配单
上海鑫丰电子技术有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：729272152 复制 点击这里给我发消息 QQ：1484215649 复制

电话：021-51875986/51872153
联系人：陈小姐 张先生
地址：上海市黄浦区北京东路668号科技京城西楼
PEMH9
PHILIPS/飞利浦
20+
28000
SOT666
原装正品，价格优势
深圳市欧立现代科技有限公司
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电话：0755-23999932 / 0755-83222787
联系人：胡先生 林小姐 朱先生
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PEMH9
NXP
24+
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SOT666
全新原装现货,低价出售,欢迎询购！
深圳市悦兴晨电子科技有限公司
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电话：0755－82812004／82811605
联系人：朱先生
地址：广东深圳福田区华强北上步工业区405栋6楼607
PEMH9
NEXPERIA
24+
36000
SOT666
进口原装！现货!假一赔十
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