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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符P型号页 > 首字符P的型号第259页 > PEMH7
分立半导体
数据表
PEMH7 ; PUMH7
NPN / NPN电阻配备
晶体管; R1 = 4.7千欧， R2 =开放
产品数据表
取代2001年的数据10月22日
2003 10月2日
恩智浦半导体
产品数据表
NPN / NPN电阻配备晶体管;
R1 = 4.7千欧， R2 =开放
特点
内置偏置电阻
简化的电路设计
减少元件数量
减少取放成本。
应用
低电流外设驱动器
更换的通用晶体管在数字
应用
控制IC的输入。
描述
NPN / NPN电阻配备晶体管（见“简体
大纲，符号和钉扎“的包的详细信息） 。
产品概述
包
类型编号
飞利浦
PEMH7
PUMH7
记
1. * = P ：香港制造。
* = T：在马来西亚进行。
简化外形，象征与钉扎
SOT666
SOT363
SC-88
EIAJ
H3
H*7
标识代码
(1)
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
O
TR1
TR2
R1
R2
PEMH7 ; PUMH7
参数
集电极 - 发射极
电压
输出直流（DC）
NPN
NPN
偏置电阻
偏置电阻
典型值。
4.7
开放
马克斯。
50
100
单位
V
mA
kΩ
NPN / PNP
补
PEMD6
PUMD6
PNP / PNP
补
PEMB3
PUMB3
钉扎
类型编号
PEMH7
PUMH7
手册， halfpage
6
简化的外形和符号
针
5
4
6
5
4
描述
发射TR1
基地TR1
收藏家TR2
发射TR2
基地TR2
收藏家TR1
1
2
3
R1
TR1
R1
TR2
4
5
6
1
顶视图
2
3
MAM453
1
2
3
2003 10月2日
2
恩智浦半导体
产品数据表
NPN / NPN电阻配备晶体管;
R1 = 4.7千欧， R2 =开放
订购信息
包
类型编号
名字
PEMH7
PUMH7
描述
塑料表面贴装封装; 6引线
塑料表面贴装封装; 6引线
PEMH7 ; PUMH7
VERSION
SOT666
SOT363
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
每个晶体管
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
O
I
CM
P
合计
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
SOT363
SOT666
T
英镑
T
j
T
AMB
每个器件
P
合计
总功耗
SOT363
SOT666
笔记
1.设备安装在一FR4印刷电路板，单双面铜，标准的足迹。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
T
AMB
≤
25
°C
注1
注1和2
300
300
mW
mW
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C
注1
注1和2
65
65
200
200
+150
150
+150
mW
mW
°C
°C
°C
发射极开路
开基
集电极开路
50
50
5
100
100
V
V
V
mA
mA
参数
条件
分钟。
马克斯。
单位
2003 10月2日
3
恩智浦半导体
产品数据表
NPN / NPN电阻配备晶体管;
R1 = 4.7千欧， R2 =开放
热特性
符号
每个晶体管
R
日J-一
从结点到环境的热阻
SOT363
SOT666
每个器件
R
日J-一
从结点到环境的热阻
SOT363
SOT666
笔记
T
AMB
≤
25
°C
注1
注1和2
T
AMB
≤
25
°C
注1
注1和2
参数
条件
PEMH7 ; PUMH7
价值
单位
625
625
K / W
K / W
416
416
K / W
K / W
1.设备安装在一FR4印刷电路板，单双面铜，标准的足迹。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
每个晶体管
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
R1
C
c
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
输入电阻
集电极电容
V
CB
= 10 V ;我
E
= i
e
= 0; F = 1 MHz的
V
CB
= 50 V ;我
E
= 0
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0; T
j
= 150
°C
V
EB
= 5 V ;我
C
= 0
V
CE
= 5 V ;我
C
= 1毫安
I
C
= 5毫安;我
B
= 0.25毫安
200
3.3
330
4.7
100
1
50
100
100
6.1
2.5
mV
kΩ
pF
nA
μA
μA
nA
参数
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
2003 10月2日
4
恩智浦半导体
产品数据表
NPN / NPN电阻配备晶体管;
R1 = 4.7千欧， R2 =开放
包装外形
PEMH7 ; PUMH7
塑料表面贴装封装; 6引线
SOT666
D
A
E
X
S
S
HE
6
5
4
PIN 1 INDEX
A
1
e1
e
2
bp
3
w
M
A
Lp
细节X
c
0
1
规模
2 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
0.6
0.5
b
p
0.27
0.17
c
0.18
0.08
D
1.7
1.5
E
1.3
1.1
e
1.0
e
1
0.5
H
E
1.7
1.5
L
p
0.3
0.1
w
0.1
y
0.1
概要
VERSION
SOT666
参考文献：
IEC
JEDEC
EIAJ
欧洲
投影
发行日期
01-01-04
01-08-27
2003 10月2日
5
分立半导体
数据表
M3D744
PEMH7
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 4.7千欧， R2 =开放
初步speci fi cation
2001年10月22日
飞利浦半导体
初步speci fi cation
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 4.7千欧， R2 =开放
特点
300 mW的总功耗
很小1.6
×
1.2毫米超薄封装
焊接过程中，由于直导线自校准
替换2个SC -75 / SC- 89封装的晶体管
同样的PCB面积
减少所需PCB面积
减少取放成本。
应用
通用开关和放大
逆变器和接口电路
电路的驱动程序。
描述
NPN电阻配备晶体管在SOT666塑料
封装。
记号
类型编号
PEMH7
标识代码
H3
1
顶视图
TR1
手册， halfpage
6
PEMH7
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
CM
TR1
TR2
R1
R2
钉扎
针
1, 4
2, 5
6, 3
辐射源
BASE
集热器
描述
TR1 ; TR2
TR1 ; TR2
TR1 ; TR2
参数
集电极 - 发射极电压
峰值集电极电流
NPN
NPN
偏置电阻
开放
马克斯。
50
100
4.7
单位
V
mA
k
5
4
6
5
4
R1
TR2
R1
2
3
MAM453
1
2
3
Fig.1简化外形（ SOT666 ）和符号。
2, 5
1, 4
MBK120
6, 3
图2等效逆变器符号。
2001年10月22日
2
飞利浦半导体
初步speci fi cation
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 4.7千欧， R2 =开放
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
每个晶体管
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
O
I
CM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
每个器件
P
合计
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
热特性
符号
R
日J-一
笔记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
2.唯一推荐的焊接方法是回流焊。
参数
热阻结到
环境
条件
注1和2
价值
416
总功耗
T
AMB
≤
25
°C;
注1
300
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
发射极开路
开基
集电极开路
65
65
50
50
5
100
100
200
+150
150
+150
参数
条件
分钟。
PEMH7
马克斯。
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
°C
mW
单位
K / W
2001年10月22日
3
飞利浦半导体
初步speci fi cation
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 4.7千欧， R2 =开放
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
每个晶体管
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
R1
C
c
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
输入电阻
集电极电容
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
V
CB
= 50 V ;我
E
= 0
V
CE
= 50 V ;我
B
= 0
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0; T
j
= 150
°C
V
EB
= 5 V ;我
C
= 0
V
CE
= 5 V ;我
C
= 1毫安
I
C
= 5毫安;我
B
= 0.25毫安
200
3.3
330
4.7
参数
条件
分钟。
典型值。
PEMH7
马克斯。
单位
100
1
50
100
100
6.1
2.5
nA
A
A
nA
mV
k
pF
手册， halfpage
10
3
MHC074
手册， halfpage
10
3
MHC075
的hFE
(1)
VCEsat晶体管
（毫伏）
(2)
10
2
(3)
(1)
(2)
(3)
10
2
10
1
1
10
IC （MA ）
10
2
10
10
1
1
10
IC （MA ）
10
2
V
CE
= 5 V.
(1) T
AMB
= 100
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
40 °C.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
AMB
= 100
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
40 °C.
Fig.3
直流电流增益作为集电体的功能
电流;典型值。
Fig.4
集电极 - 发射极饱和电压为
集电极电流的函数;典型值。
2001年10月22日
4
飞利浦半导体
初步speci fi cation
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 4.7千欧， R2 =开放
包装外形
塑料表面贴装封装; 6引线
PEMH7
SOT666
D
A
E
X
S
S
HE
6
5
4
PIN 1 INDEX
A
1
e1
e
2
bp
3
w
M
A
Lp
细节X
c
0
1
规模
2 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
0.6
0.5
b
p
0.27
0.17
c
0.18
0.08
D
1.7
1.5
E
1.3
1.1
e
1.0
e
1
0.5
H
E
1.7
1.5
L
p
0.3
0.1
w
0.1
y
0.1
概要
VERSION
SOT666
参考文献：
IEC
JEDEC
EIAJ
欧洲
投影
发行日期
01-01-04
01-08-27
2001年10月22日
5
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推荐型号
PKJ4111API
PJ-A3679-135.0
PBL386141
PBL38614-1
PLA17AS1522R0P2B
PD270S15-100
PDM-38-10G
PEC03SAAN
PCLH-201ASL000
PAL14H1ANM
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PN155
PM105-271K
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PAL16L2CJSTD
供货商
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厂家
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封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
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    PEMH7
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    -
    -
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PEMH7
NXP
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PEMH7
PHI
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