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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符P型号页 > 首字符P的型号第1278页 > PEMH4
分立半导体
数据表
M3D744
PEMH4
NPN电阻配备双
晶体管R1 = 10 kΩ的， R2 =开放
初步speci fi cation
2001年09月14日
飞利浦半导体
初步speci fi cation
NPN电阻配备双晶体管
R1 = 10 kΩ的， R2 =开放
特点
300 mW的总功耗
很小1.6毫米
×
1.2 mm
×
0.55毫米超薄
包
出色的共面性，由于直脚
减少了部件更换两个数
SC- 75 / SC- 89封装的晶体管
减少了所需的电路板空间
减少取放成本。
应用
通用开关和放大
逆变器和接口电路
电路的驱动程序。
描述
NPN电阻配备双晶体管在SOT666
塑料封装。
记号
类型编号
PEMH4
钉扎
针
1, 4
2, 5
6, 3
辐射源
BASE
集热器
描述
TR1 ; TR2
TR1 ; TR2
TR1 ; TR2
MBK120
PEMH4
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
CM
TR1
TR2
R1
参数
集电极 - 发射极电压
峰值集电极电流
NPN
NPN
偏置电阻
马克斯。
50
100
10
单位
V
mA
k
手册， halfpage
6
5
4
6
5
4
R1
TR1
R1
TR2
1
顶视图
2
3
MAM453
1
2
3
Fig.1
标识代码
H4
简化外形（ SOT666 ）和符号。
2, 5
1, 4
6, 3
图2等效逆变器符号。
2001年09月14日
2
飞利浦半导体
初步speci fi cation
NPN电阻配备双晶体管
R1 = 10 kΩ的， R2 =开放
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
每个晶体管
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
O
I
CM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
每个器件
P
合计
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
热特性
符号
R
日J-一
笔记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
2.唯一推荐的焊接方法是回流焊。
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1和2
价值
416
总功耗
T
AMB
≤
25
°C;
注1
300
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
发射极开路
开基
集电极开路
65
65
50
50
5
100
100
200
+150
150
+150
参数
条件
分钟。
PEMH4
马克斯。
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
°C
mW
单位
K / W
2001年09月14日
3
飞利浦半导体
初步speci fi cation
NPN电阻配备双晶体管
R1 = 10 kΩ的， R2 =开放
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
每个晶体管
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
R1
C
c
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
输入电阻
集电极电容
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
I
E
= 0; V
CB
= 50 V
I
B
= 0; V
CE
= 50 V
I
B
= 0; V
CE
= 30 V ;牛逼
j
= 150
°C
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
I
C
= 1毫安; V
CE
= 5 V
I
C
= 5毫安;我
B
= 0.25毫安
200
7
10
参数
条件
分钟。
典型值。
PEMH4
马克斯。
单位
100
1
50
100
150
13
2.5
nA
A
A
A
mV
k
pF
MGM902
手册， halfpage
(1)
600
手册， halfpage
10
1
MGM901
的hFE
(1)
(2)
(3)
VCEsat晶体管
(V)
400
(2)
(3)
200
0
10
1
1
10
IC （MA ）
10
2
10
2
10
1
1
10
IC （MA ）
10
2
V
CE
= 5 V.
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
= 40
°C.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
AMB
= 100
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
= 40
°C.
Fig.3
直流电流增益作为集电体的功能
电流;典型值。
Fig.4
集电极 - 发射极饱和电压为
集电极电流的函数;典型值。
2001年09月14日
4
飞利浦半导体
初步speci fi cation
NPN电阻配备双晶体管
R1 = 10 kΩ的， R2 =开放
包装外形
塑料表面贴装封装; 6引线
PEMH4
SOT666
D
A
E
X
S
S
HE
6
5
4
PIN 1 INDEX
A
1
e1
e
2
bp
3
w
M
A
Lp
细节X
c
0
1
规模
2 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
0.6
0.5
b
p
0.27
0.17
c
0.18
0.08
D
1.7
1.5
E
1.3
1.1
e
1.0
e
1
0.5
H
E
1.7
1.5
L
p
0.3
0.1
w
0.1
y
0.1
概要
VERSION
SOT666
参考文献：
IEC
JEDEC
EIAJ
欧洲
投影
发行日期
01-01-04
01-08-27
2001年09月14日
5
分立半导体
数据表
PEMH4 ; PUMH4
NPN / NPN电阻配备
晶体管; R1 = 10 kΩ的， R2 =开放
产品数据表
取代2003年的数据10月2日
2004年4月14日
恩智浦半导体
产品数据表
NPN / NPN电阻配备晶体管;
R1 = 10 kΩ的， R2 =开放
特点
内置偏置电阻
简化的电路设计
减少元件数量
减少取放成本。
应用
低电流外设驱动器
更换的通用晶体管在数字
应用
控制IC的输入。
描述
NPN / NPN电阻配备晶体管（见“简体
大纲，符号和钉扎“的包的详细信息） 。
产品概述
包
类型编号
飞利浦
PEMH4
PUMH4
记
1. * = P ：香港制造。
* = T：在马来西亚进行。
简化外形，象征与钉扎
SOT666
SOT363
SC-88
EIAJ
H4
H*4
标识代码
(1)
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
O
TR1
TR2
R1
R2
PEMH4 ; PUMH4
参数
集电极 - 发射极
电压
输出直流（DC）
NPN
NPN
偏置电阻
偏置电阻
典型值。
10
开放
马克斯。
50
100
单位
V
mA
kΩ
NPN / PNP
补
PEMD4
PUMD4
PNP / PNP
补
PEMB4
PUMB4
钉扎
类型编号
PEMH4
PUMH4
手册， halfpage
6
简化的外形和符号
针
5
4
6
5
4
描述
发射TR1
基地TR1
收藏家TR2
发射TR2
基地TR2
收藏家TR1
1
2
3
R1
TR1
R1
TR2
4
5
6
1
顶视图
2
3
MAM453
1
2
3
2004年4月14日
2
恩智浦半导体
产品数据表
NPN / NPN电阻配备晶体管;
R1 = 10 kΩ的， R2 =开放
订购信息
包
类型编号
名字
PEMH4
PUMH4
描述
塑料表面贴装封装; 6引线
塑料表面贴装封装; 6引线
PEMH4 ; PUMH4
VERSION
SOT666
SOT363
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
每个晶体管
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
O
I
CM
P
合计
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
SOT363
SOT666
T
英镑
T
j
T
AMB
每个器件
P
合计
总功耗
SOT363
SOT666
笔记
1.设备安装在一FR4印刷电路板，单双面铜，标准的足迹。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
T
AMB
≤
25
°C
注1
注1和2
300
300
mW
mW
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C
注1
注1和2
65
65
200
200
+150
150
+150
mW
mW
°C
°C
°C
发射极开路
开基
集电极开路
50
50
5
100
100
V
V
V
mA
mA
参数
条件
分钟。
马克斯。
单位
2004年4月14日
3
恩智浦半导体
产品数据表
NPN / NPN电阻配备晶体管;
R1 = 10 kΩ的， R2 =开放
热特性
符号
每个晶体管
R
号（j -a）的
从结点到环境的热阻
SOT363
SOT666
每个器件
R
号（j -a）的
从结点到环境的热阻
SOT363
SOT666
笔记
T
AMB
≤
25
°C
注1
注1和2
T
AMB
≤
25
°C
注1
注1和2
参数
条件
PEMH4 ; PUMH4
价值
单位
625
625
K / W
K / W
416
416
K / W
K / W
1.设备安装在一FR4印刷电路板，单双面铜，标准的足迹。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
每个晶体管
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
R1
C
c
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
输入电阻
集电极电容
V
CB
= 10 V ;我
E
= i
e
= 0; F = 1 MHz的
V
CB
= 50 V ;我
E
= 0
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0; T
j
= 150
°C
V
EB
= 5 V ;我
C
= 0
V
CE
= 5 V ;我
C
= 1毫安
I
C
= 10毫安;我
B
- 0.5毫安
200
7
10
100
1
50
100
150
13
2.5
mV
kΩ
pF
nA
μA
μA
nA
参数
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
2004年4月14日
4
恩智浦半导体
产品数据表
NPN / NPN电阻配备晶体管;
R1 = 10 kΩ的， R2 =开放
包装外形
塑料表面贴装封装; 6引线
PEMH4 ; PUMH4
SOT666
D
A
E
X
S
S
HE
6
5
4
PIN 1 INDEX
A
1
e1
e
2
bp
3
w
M
A
Lp
细节X
c
0
1
规模
2 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
0.6
0.5
b
p
0.27
0.17
c
0.18
0.08
D
1.7
1.5
E
1.3
1.1
e
1.0
e
1
0.5
H
E
1.7
1.5
L
p
0.3
0.1
w
0.1
y
0.1
概要
VERSION
SOT666
参考文献：
IEC
JEDEC
JEITA
欧洲
投影
发行日期
04-11-08
06-03-16
2004年4月14日
5
查看更多PEMH4PDF信息
推荐型号
PI74LPT646AS
PS2711-1-F4
PT2126-F4A-NNM2-F
PSD913G1V-C-20MI
PT4202C
PCLH-102DSPL000
PIC16FF684-I/SLSQTP
PG104R
PRC207101K101MB
PJ-A3670-178.0
PIC16F1938-I/MV
PX0412/02S
PDM41256LA10SOI
PSD935G3-B-12U
PHB45N03LTA
PP0640EB
PN177
PIC16CR57B-04/SO
P87C576EHAA
PSD4135G1V-12U
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    PEMH4
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市俊晖半导体有限公司
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PEMH4
NXP
24+
7910
SOT-666
原装正品现货，可开增值税专用发票
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NXP
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SOT-666
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NXP
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真实库存只做原装
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PEMH4
NXP
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地址：深圳市福田区华强北街道佳和潮流前线商场负一楼1A236
PEMH4
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PEMH4
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电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
PEMH4
NXP
24+
27200
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全新原装现货，原厂代理。
深圳市华斯顿电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ：515102657 复制
电话：0755-83777708/83777607/82799993
联系人：朱咸华
地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
PEMH4
NXP
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深圳市华胜英科技有限公司
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电话：13711580601
联系人：郭
地址：深圳市福田区华强北华强广场B座
PEMH4
NXP
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1000
SOT-223
原装正品 力挺实单
深圳市科恒伟业电子有限公司
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电话：0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人：李小姐
地址：深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票！！
PEMH4
NXP/恩智浦
1926+
9854
SOT-666
只做进口原装正品现货，或订货假一赔十！
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