添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13692101218  13751165337
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13692101218
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符P型号页 > 首字符P的型号第1164页 > PEMD9
分立半导体
数据表
M3D744
PEMD9
NPN / PNP电阻配备齐全
晶体管;
R1 = 10 kΩ的， R2 = 47 kΩ的
初步speci fi cation
2001年10月22日
飞利浦半导体
初步speci fi cation
NPN / PNP电阻配备晶体管;
R1 = 10 kΩ的， R2 = 47 kΩ的
特点
300 mW的总功耗
很小1.6
×
1.2毫米超薄封装
焊接过程中，由于直导线自校准
替换2个SC -75 / SC- 89封装的晶体管
同样的PCB面积
减少所需PCB面积
减少取放成本。
应用
通用开关和放大
逆变器和接口电路
电路的驱动程序。
描述
NPN / PNP电阻配备晶体管在SOT666
塑料封装。
记号
类型编号
PEMD9
标识代码
D9
1
顶视图
2
3
1
MAM448
PEMD9
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
CM
TR1
TR2
R1
R2
钉扎
针
1, 4
2, 5
6, 3
辐射源
BASE
集热器
描述
TR1 ; TR2
TR1 ; TR2
TR1 ; TR2
参数
集电极 - 发射极电压
峰值集电极电流
NPN
PNP
偏置电阻
偏置电阻
马克斯。
50
100
10
47
单位
V
mA
k
k
手册， halfpage
6
5
4
R1
TR1
R2
5
4
6
R2
TR2
R1
2
3
Fig.1简化外形（ SOT666 ）和符号。
2, 5
1, 4
MBK120
6, 3
图2等效逆变器符号。
2001年10月22日
2
飞利浦半导体
初步speci fi cation
NPN / PNP电阻配备晶体管;
R1 = 10 kΩ的， R2 = 47 kΩ的
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
参数
条件
T
AMB
≤
25
°C;
注1
65
65
T
AMB
≤
25
°C;
注1
分钟。
PEMD9
马克斯。
单位
每个晶体管;为PNP晶体管具有负的极性
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
i
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压TR1
积极
负
输入电压TR2
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
每个器件
P
合计
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
热特性
符号
R
日J-一
笔记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
2.唯一推荐的焊接方法是回流焊。
参数
热阻结到
环境
条件
注1和2
价值
416
单位
K / W
总功耗
300
mW
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
+6
40
100
100
200
+150
150
+150
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
°C
+40
6
V
V
发射极开路
开基
集电极开路
50
50
10
V
V
V
2001年10月22日
3
飞利浦半导体
初步speci fi cation
NPN / PNP电阻配备晶体管;
R1 = 10 kΩ的， R2 = 47 kΩ的
特征
T
AMB
= 25
°C;
除非另有规定ED 。
符号
参数
条件
分钟。
100
1.4
7
3.7
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
典型值。
0.7
0.8
10
4.7
PEMD9
马克斯。
单位
每个晶体管;为PNP晶体管具有负的极性
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2
-------
-
R1
C
c
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
输入过电压
输入电压
输入电阻
电阻率
集电极电容
TR1 （ NPN ）
TR2 （ PNP ）
V
CB
= 50 V ;我
E
= 0
V
CE
= 50 V ;我
B
= 0
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0; T
j
= 150
°C
V
EB
= 5 V ;我
C
= 0
V
CE
= 5 V ;我
C
= 5毫安
I
C
= 5毫安;我
B
= 0.25毫安
V
CE
= 5 V ;我
C
= 100
A
V
CE
= 0.3 V ;我
C
= 1毫安
100
1
50
150
100
0.5
13
5.7
mV
V
V
k
nA
A
A
A
2.5
3
pF
pF
2001年10月22日
4
飞利浦半导体
初步speci fi cation
NPN / PNP电阻配备晶体管;
R1 = 10 kΩ的， R2 = 47 kΩ的
PEMD9
10
3
手册， halfpage
的hFE
(1)
(2)
(3)
MHC029
10
3
手册， halfpage
VCEsat晶体管
（毫伏）
MHC030
10
2
10
2
10
(1)
(2)
(3)
1
10
1
1
10
IC （MA ）
10
2
10
10
1
1
10
IC （MA ）
10
2
TR1 （ NPN型） ;
V
CE
= 5 V.
(1) T
AMB
= 100
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
40 °C.
TR1 （ NPN型） ;
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
AMB
= 100
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
40 °C.
Fig.3
直流电流增益作为集电体的功能
电流;典型值。
Fig.4
集电极 - 发射极饱和电压为
集电极电流的函数;典型值。
手册， halfpage
2
MHC031
六（关闭）
(V)
10
2
手册， halfpage
第六章（上）
(V)
MHC032
1.6
10
1.2
(1)
(2)
0.8
(3)
(1)
1
(2)
(3)
0.4
0
10
2
10
1
1
IC （MA ）
10
10
1
10
1
1
10
IC （MA ）
10
2
TR1 （ NPN型） ;
V
CE
= 5 V.
(1) T
AMB
=
40 °C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
= 100
°C.
TR1 （ NPN型） ;
V
CE
= 0.3 V.
(1) T
AMB
=
40 °C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
= 100
°C.
Fig.5
输入截止电压作为集电体的功能
电流;典型值。
Fig.6
输入导通电压作为集电体的功能
电流;典型值。
2001年10月22日
5
分立半导体
数据表
PEMD9 ; PUMD9
NPN / PNP电阻配备齐全
晶体管;
R1 = 10 kΩ的， R2 = 47 kΩ的
产品数据表
取代2003年的数据11月4日
2004年04月15日
恩智浦半导体
产品数据表
NPN / PNP电阻配备晶体管;
R1 = 10 kΩ的， R2 = 47 kΩ的
特点
内置偏置电阻
简化网络连接的ES电路设计
减少了元件数量
减少取放成本。
应用
低电流外设驱动器
更换的通用晶体管在数字
应用
控制IC的输入。
描述
NPN / PNP电阻配备晶体管在SOT666
塑料封装。
产品概述
包
类型编号
飞利浦
PEMD9
PUMD9
记
1. * = P ：香港制造。
* = T：在马来西亚进行。
* = W ：中国制造。
简化外形，象征与钉扎
SOT666
SOT363
SC-88
EIAJ
D9
D*9
(1)
标识代码
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
O
TR1
TR2
R1
R2
PEMD9 ; PUMD9
参数
集电极 - 发射极
电压
输出直流（DC）
NPN
PNP
偏置电阻
偏置电阻
典型值。马克斯。单位
10
47
50
100
V
mA
kΩ
kΩ
PNP / PNP
补
PEMB9
PUMB9
NPN / NPN
补
PEMH9
PUMH9
钉扎
类型编号
PEMD9 ; PUMD9
手册， halfpage
简化的外形和符号
针
6
5
4
R1
TR1
R2
1
顶视图
2
3
1
MAM448
描述
发射TR1
基地TR1
收藏家TR2
发射TR2
基地TR2
收藏家TR1
5
4
1
2
3
6
R2
TR2
R1
4
5
6
2
3
2004年04月15日
2
恩智浦半导体
产品数据表
NPN / PNP电阻配备晶体管;
R1 = 10 kΩ的， R2 = 47 kΩ的
订购信息
包
类型编号
名字
PEMD9
PUMD9
描述
塑料表面贴装封装; 6引线
塑料表面贴装封装; 6引线
PEMD9 ; PUMD9
VERSION
SOT666
SOT363
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
参数
条件
T
AMB
≤
25
°C;
注1
注1和2
65
65
T
AMB
≤
25
°C;
注1
注1和2
分钟。
马克斯。
单位
每个晶体管;为PNP晶体管具有负的极性
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压TR1
积极
负
V
I
输入电压TR2
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
SOT363
SOT666
T
英镑
T
j
T
AMB
每个器件
P
合计
总功耗
SOT363
SOT666
笔记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板，单双面铜，标准的足迹。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
300
300
mW
mW
储存温度
结温
工作环境温度
+6
40
100
100
200
200
+150
150
+150
mW
mW
°C
°C
°C
V
V
mA
mA
+40
6
V
V
发射极开路
开基
集电极开路
50
50
10
V
V
V
2004年04月15日
3
恩智浦半导体
产品数据表
NPN / PNP电阻配备晶体管;
R1 = 10 kΩ的， R2 = 47 kΩ的
热特性
符号
每个晶体管
R
号（j -a）的
热阻结到
环境
SOT363
SOT666
每个器件
R
号（j -a）的
热阻结到
环境
SOT363
SOT666
笔记
注1
注1和2
注1
注1和2
参数
条件
PEMD9 ; PUMD9
价值
单位
625
625
K / W
K / W
416
416
K / W
K / W
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板，单双面铜，标准的足迹。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
2004年04月15日
4
恩智浦半导体
产品数据表
NPN / PNP电阻配备晶体管;
R1 = 10 kΩ的， R2 = 47 kΩ的
特征
T
AMB
= 25
°C;
除非另有规定ED 。
符号
参数
条件
PEMD9 ; PUMD9
分钟。
100
1.4
7
3.7
典型值。
0.7
0.8
10
4.7
马克斯。
单位
每个晶体管;为PNP晶体管具有负的极性
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2
-------
-
R1
C
c
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
输入截止电压
输入导通电压
输入电阻
电阻率
集电极电容
TR1 （ NPN ）
TR2 （ PNP ）
V
CB
= 10 V ;我
E
= i
e
= 0 A;
F = 1 MHz的
2.5
3
pF
pF
V
CB
= 50 V ;我
E
= 0 A
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0 A
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0 ;吨
j
= 150
°C
V
EB
= 5 V ;我
C
= 0 A
V
CE
= 5 V ;我
C
= 5毫安
I
C
= 5毫安;我
B
= 0.25毫安
V
CE
= 5 V ;我
C
= 100
μA
V
CE
= 0.3 V ;我
C
= 1毫安
100
1
50
150
100
0.5
13
5.7
mV
V
V
kΩ
nA
μA
μA
μA
2004年04月15日
5
查看更多PEMD9PDF信息
推荐型号
PRVS6QPHG
PI74LPT240A
PRV6WHCD
PSD954F2-15M
PIC17LC756-08I/L
PLL702-03SI
PIA01CB485A
PSD913212MIT
P26TG-2412Z41
PAL18R10VM
P1812R-183K
PSD413A2-C-90JI
PT7C4302P
PVM4WBV
PI49FCT3805BH
PL34020101000GDBF
PL34020101000MDDF
PSD913F5V-12UIT
PCTL160
PSD853F5V-20M
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    PEMD9
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
瀚佳科技（深圳）有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3539722974 复制 点击这里给我发消息 QQ：2480898381 复制

电话：0755-23915992/23140719
联系人：李
地址：深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1709室
PEMD9
NEXPERIA
24+
68500
SOT666
一级代理/放心采购
深圳市川蓝电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2276945435 复制 点击这里给我发消息 QQ：2801615837 复制

电话：0755-82522939
联系人：彭小姐
地址：广东省深圳市福田区福华路嘉汇新汇商中心1020
PEMD9
NEXPERIA
12000
22+
原包装原标现货，假一罚十，
0.1
深圳市科恒伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881936556 复制 点击这里给我发消息 QQ：1838629145 复制 点击这里给我发消息 QQ：1366534167 复制

电话：0755-88917652分机801-83200050
联系人：柯
地址：深圳市福田区华强北振兴华101号华匀大厦二栋五楼516室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票！！
PEMD9
NXP/恩智浦
21+
9850
SOT666
只做原装正品现货或订货！代理渠道订货假一赔三！
北京元坤国际科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
PEMD9
NEXPERIA
22+
11000
SOT666
全新原装正品/质量有保证
深圳市华胜英科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2273544375 复制 点击这里给我发消息 QQ：1402770874 复制

电话：13711580601
联系人：郭
地址：深圳市福田区华强北华强广场B座
PEMD9
NEXPERIA
21+
10000
SOT666
原装正品 力挺实单
深圳信泰电子器材有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1248156793 复制 点击这里给我发消息 QQ：519794981 复制

电话：0755-83242658
联系人：廖先生
地址：广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
PEMD9
NXP
24+
15000
SOT666
100%原装正品，只做原装正品
深圳市科恒伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2236823936 复制

电话：0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人：李小姐
地址：深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票！！
PEMD9
NXP
1926+
9854
SOT363
只做进口原装正品现货，或订货假一赔十！
深圳市裕硕科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1454677900 复制 点击这里给我发消息 QQ：1909637520 复制
电话：0755-23613962/82706142
联系人：雷小姐
地址：深圳市福田区华强北街道华红社区红荔路3002号交行大厦一单元711
PEMD9
NXP
2024+
9675
SOT666
优势现货，全新原装进口
深圳市芯福林电子科技有限公司
QQ：
电话：0755-82574045
联系人：张女士
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
PEMD9
NEXPERIA
21+22+
62710
SOT666
原装正品
深圳市芯福林电子科技有限公司
QQ：
电话：0755-82574045
联系人：张女士
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
PEMD9
NEXPERIA
21+
137941
原装正品，支持实单
查询更多PEMD9供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！