分立半导体
数据表
M3D744
PEMD48
NPN / PNP电阻配备齐全
晶体管; R1 ， R2 = 47千欧， 47千欧
和2.2千欧， 47千欧
产品speci fi cation
取代2001年的数据9月24日
2001年11月7日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN / PNP电阻配备晶体管;
R1 ， R2 = 47 kΩ的， 47 kΩ和2.2 kΩ的， 47千欧
特点
300 mW的总功耗
很小1.6毫米
×
1.2 mm
×
0.55毫米超薄
包
减少了部件更换两个数
SC- 75 / SC- 89封装的晶体管
减少了所需的电路板空间
减少取放成本
焊接由于直导线中的自我定位。
应用
通用开关和放大
逆变器和接口电路
电路的驱动程序。
描述
NPN / PNP电阻配备晶体管在SOT666
塑料封装。
1
2
3
1
顶视图
MAM448
PEMD48
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
CM
R1
R2
参数
集电极 - 发射极电压
峰值集电极电流
马克斯。
50
100
单位
V
mA
晶体管TR1 （ NPN ）
偏置电阻
偏置电阻
47
47
k
k
晶体管TR2 （ PNP ）
R1
R2
偏置电阻
偏置电阻
2.2
47
k
k
手册， halfpage
6
5
4
R1
TR1
R2
5
4
6
R2
TR2
R1
记号
类型编号
PEMD48
钉扎
针
1, 4
2, 5
6, 3
辐射源
BASE
集热器
描述
TR1 ; TR2
TR1 ; TR2
TR1 ; TR2
标识代码
48
2
3
Fig.1简化外形（ SOT666 ）和符号。
2, 5
1, 4
MBK120
6, 3
图2等效逆变器符号。
2001年11月7日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN / PNP电阻配备晶体管;
R1 ， R2 = 47 kΩ的， 47 kΩ和2.2 kΩ的， 47千欧
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
参数
条件
T
AMB
≤
25
°C;
注1
65
65
T
AMB
≤
25
°C;
注1
分钟。
PEMD48
马克斯。
单位
每个晶体管;为PNP晶体管具有负的极性
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压TR1
积极
负
输入电压TR2
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
每个器件
P
合计
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
热特性
符号
R
日J-一
笔记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
2.唯一推荐的焊接方法是回流焊。
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1和2
价值
416
单位
K / W
总功耗
300
mW
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
+5
12
100
100
200
+150
150
+150
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
°C
+40
10
V
V
发射极开路
开基
集电极开路
50
50
10
V
V
V
2001年11月7日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN / PNP电阻配备晶体管;
R1 ， R2 = 47 kΩ的， 47 kΩ和2.2 kΩ的， 47千欧
特征
T
AMB
= 25
°C;
除非另有规定ED 。
符号
参数
条件
分钟。
80
3
33
0.8
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 0; V
EB
=
5
V
I
C
=
10
毫安; V
CE
=
5
V
I
C
=
100 A;
V
CE
=
5
V
I
C
=
5
毫安; V
CE
=
0.3
V
100
1.1
1.54
17
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
10
V ; F = 1 MHz的
典型值。
1.2
0.6
47
1
0.6
0.75
2.2
21
PEMD48
马克斯。
单位
每个晶体管;为PNP晶体管具有负的极性
I
CBO
I
首席执行官
集电极截止电流
集电极截止电流
I
E
= 0; V
CB
= 50 V
I
B
= 0; V
CE
= 50 V
I
B
= 0; V
CE
= 30 V ;牛逼
j
= 150
°C
晶体管TR1 （ NPN ）
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2
-------
-
R1
C
c
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2
-------
-
R1
C
c
发射极截止电流
直流电流增益
输入过电压
输入电压
输入电阻
电阻率
集电极电容
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
I
C
= 5毫安; V
CE
= 5 V
I
C
= 100
A;
V
CE
= 5 V
I
C
= 2毫安; V
CE
= 0.3 V
90
150
0.8
61
1.2
2.5
180
100
0.5
2.86
26
3
pF
mV
V
V
k
pF
A
mV
V
V
k
A
100
1
50
nA
A
A
集电极 - 发射极饱和电压I
C
= 10毫安;我
B
- 0.5毫安
晶体管TR2 （ PNP ）
发射极截止电流
直流电流增益
输入过电压
输入电压
输入电阻
电阻率
集电极电容
集电极 - 发射极饱和电压I
C
=
5
毫安;我
B
=
0.25
mA
2001年11月7日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN / PNP电阻配备晶体管;
R1 ， R2 = 47 kΩ的， 47 kΩ和2.2 kΩ的， 47千欧
PEMD48
10
3
手册， halfpage
(2)
MHC007
10
1
手册， halfpage
VCEsat晶体管
(V)
MHC006
的hFE
(1)
10
2
(3)
(1)
(2)
(3)
10
1
10
1
1
10
IC （MA ）
10
2
10
2 1
10
1
10
IC （MA ）
10
2
TR1 （ NPN型） ;
V
CE
= 5 V.
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
40 °C.
TR1 （ NPN型） ;
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
AMB
= 100
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
40 °C.
Fig.3
直流电流增益作为集电体的功能
电流;典型值。
Fig.4
集电极 - 发射极饱和电压为
集电极电流的函数;典型值。
手册， halfpage
10
MHC009
10
2
手册， halfpage
第六章（上）
(V)
10
MHC008
六（关闭）
(V)
(1)
1
(2)
(3)
(1)
1
(3) (2)
10
1
10
2
10
1
1
IC （MA ）
10
10
1
10
1
1
10
IC （MA ）
10
2
TR1 （ NPN型） ;
V
CE
= 5 V.
(1) T
AMB
=
40 °C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
= 100
°C.
TR1 （ NPN型） ;
V
CE
= 0.3 V.
(1) T
AMB
=
40 °C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
= 100
°C.
Fig.5
输入截止电压作为集电体的功能
电流;典型值。
Fig.6
输入导通电压作为集电体的功能
电流;典型值。
2001年11月7日
5
PEMD48 ; PUMD48
NPN / PNP电阻配备晶体管;
R 1 = 47千欧，R2 = 47千欧，R1为2.2千欧，R2 = 47千欧
版本05 - 2010年4月13日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
NPN / PNP双阻器晶体管（ RET ）的小型表面贴装
器件（SMD ）塑料封装。
表1中。
产品概述
包
恩智浦
PEMD48
PUMD48
SOT666
SOT363
JEITA
-
SC-88
包
CON组fi guration
超小扁平的铅
非常小
类型编号
1.2特点和优点
内置偏置电阻
简化网络连接的ES电路设计
减少了元件数量
减少取放成本
1.3应用
低电流外设驱动器
更换的普通用途的晶体管在数字应用
控制IC的输入
1.4快速参考数据
表2中。
符号
V
首席执行官
I
O
R1
R2/R1
R1
R2/R1
快速参考数据
参数
集电极 - 发射极电压
输出电流
偏置电阻器1 （输入）
偏置电阻率
偏置电阻器1 （输入）
偏置电阻率
条件
开基
民
-
-
33
0.8
1.54
17
典型值
-
-
47
1
2.2
21
最大
50
100
61
1.2
2.86
26
kΩ
单位
V
mA
kΩ
每个晶体管;为PNP晶体管具有负的极性
晶体管TR1 （ NPN ）
晶体管TR2 （ PNP ）
恩智浦半导体
PEMD48 ; PUMD48
NPN / PNP电阻配备晶体管
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压TR1
积极
负
输入电压TR2
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
输出电流
峰值集电极电流
总功耗
PEMD48 （ SOT666 ）
PUMD48 （ SOT363 ）
每个器件
P
合计
总功耗
PEMD48 （ SOT666 ）
PUMD48 （ SOT363 ）
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
条件
发射极开路
开基
集电极开路
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
50
50
10
+40
10
+5
12
100
100
200
200
单位
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mW
mW
每个晶体管;为PNP晶体管具有负的极性
T
AMB
≤
25
°C
[1][2]
[1]
-
-
T
AMB
≤
25
°C
[1][2]
[1]
-
-
-
65
65
300
300
150
+150
+150
mW
mW
°C
°C
°C
结温
环境温度
储存温度
设备安装在一FR4印刷电路板（PCB） ，单面铜，镀锡和标准
足迹。
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
PEMD48_PUMD48_5
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2010保留所有权利。
产品数据表
版本05 - 2010年4月13日
3 12
恩智浦半导体
PEMD48 ; PUMD48
NPN / PNP电阻配备晶体管
6.热特性
表7中。
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
从热阻
结到环境
PEMD48 （ SOT666 ）
PUMD48 （ SOT363 ）
每个器件
R
号（j -a）的
从热阻
结到环境
PEMD48 （ SOT666 ）
PUMD48 （ SOT363 ）
[1]
[2]
条件
T
AMB
≤
25
°C
[1][2]
[1]
民
典型值
最大
单位
每个晶体管
-
-
-
-
625
625
K / W
K / W
T
AMB
≤
25
°C
[1][2]
[1]
-
-
-
-
416
416
K / W
K / W
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
PEMD48_PUMD48_5
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产品数据表
版本05 - 2010年4月13日
4 12
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