PEMD15 ; PUMD15
NPN / PNP电阻配备晶体管;
R1 = 4.7千欧， R2 = 4.7 kΩ的
牧师03 - 2009年9月2日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
NPN / PNP电阻配备齐全的晶体管（ RET ）
表1中。
产品概述
包
恩智浦
PEMD15
PUMD15
SOT666
SOT363
JEITA
-
SC-88
PNP / PNP
补
PEMB15
PUMB15
NPN / NPN
补
PEMH15
PUMH15
类型编号
1.2产品特点
I
I
I
I
内置偏置电阻
简化网络连接的ES电路设计
减少了元件数量
减少取放成本
1.3应用
I
低电流外设驱动器
I
IC的输入控制
I
取代通用晶体管数字应用
1.4快速参考数据
表2中。
符号
V
首席执行官
I
O
R1
R2/R1
快速参考数据
参数
集电极 - 发射极电压
输出直流（DC）
偏置电阻器1 （输入）
偏置电阻率
条件
开基
民
-
-
3.3
0.8
典型值
-
-
4.7
1
最大
50
100
6.1
1.2
单位
V
mA
k
恩智浦半导体
PEMD15 ; PUMD15
NPN / PNP电阻配备晶体管; R1 = 4.7千欧， R2 = 4.7 kΩ的
2.管脚信息
表3中。
针
1
2
3
4
5
6
钉扎
描述
GND （发射器） TR1
输入端（基极）的TR1
输出（集电极） TR2
GND （发射器） TR2
输入端（基极） TR2
输出（集电极） TR1
1
2
3
001aab555
TR1
R2
R1
R1
R2
TR2
简化的轮廓
6
5
4
符号
6
5
4
1
2
3
006aaa143
3.订购信息
表4 。
订购信息
包
名字
PEMD15
PUMD15
-
SC-88
描述
塑料表面贴装封装; 6引线
塑料表面贴装封装; 6引线
VERSION
SOT666
SOT363
类型编号
4.标记
表5 。
PEMD15
PUMD15
[1]
* = - ：香港制造
* = P ：香港制造
* = T：在马来西亚
* = W ：中国制造
标记代码
标识代码
[1]
5E
D0*
类型编号
PEMD15_PUMD15_3
NXP B.V. 2009保留所有权利。
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恩智浦半导体
PEMD15 ; PUMD15
NPN / PNP电阻配备晶体管; R1 = 4.7千欧， R2 = 4.7 kΩ的
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压TR1
积极
负
输入电压TR2
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
SOT363
SOT666
T
英镑
T
j
T
AMB
每个器件
P
合计
总功耗
SOT363
SOT666
[1]
[2]
条件
发射极开路
开基
集电极开路
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
50
50
10
+30
10
+10
30
100
100
200
200
+150
150
+150
单位
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mW
mW
°C
°C
°C
每个晶体管;为PNP晶体管具有负的极性
T
AMB
≤
25
°C
[1]
[1][2]
-
-
65
-
65
储存温度
结温
环境温度
T
AMB
≤
25
°C
[1]
[1][2]
-
-
300
300
mW
mW
设备安装在一FR4印刷电路板（PCB） ，单面铜，镀锡和标准
足迹。
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
PEMD15_PUMD15_3
NXP B.V. 2009保留所有权利。
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恩智浦半导体
PEMD15 ; PUMD15
NPN / PNP电阻配备晶体管; R1 = 4.7千欧， R2 = 4.7 kΩ的
6.热特性
表7中。
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
从热阻
结到环境
SOT363
SOT666
每个器件
R
号（j -a）的
从热阻
结到环境
SOT363
SOT666
[1]
[2]
条件
在自由空气
[1]
[1][2]
民
典型值
最大
单位
每个晶体管
-
-
-
-
625
625
K / W
K / W
在自由空气
[1]
[1][2]
-
-
-
-
416
416
K / W
K / W
设备安装在FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
7.特点
表8 。
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
参数
条件
民
-
-
-
-
30
-
-
2.5
3.3
0.8
典型值
-
-
-
-
-
-
1.1
1.9
4.7
1
最大
100
1
50
0.9
-
150
0.5
-
6.1
1.2
mV
V
V
k
单位
nA
A
A
mA
每个晶体管;为PNP晶体管具有负的极性
集电极 - 基极截止V
CB
= 50 V ;我
E
= 0 A
当前
集电极 - 发射极
截止电流
发射极 - 基极截止
当前
直流电流增益
集电极 - 发射极
饱和电压
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0 A
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0 A;
T
j
= 150
°C
V
EB
= 5 V ;我
C
= 0 A
V
CE
= 5 V ;我
C
= 10毫安
I
C
= 10毫安;我
B
- 0.5毫安
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2/R1
C
c
断态输入电压V
CE
= 5 V ;我
C
= 100
A
通态输入电压V
CE
= 0.3 V ;我
C
= 20毫安
偏置电阻器1 （输入）
偏置电阻率
集电极电容V
CB
= 10 V ;我
E
= i
e
= 0 A;
F = 1 MHz的
TR1 （ NPN ）
TR2 （ PNP ）
-
-
-
-
2.5
3
pF
pF
PEMD15_PUMD15_3
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
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4 10
恩智浦半导体
PEMD15 ; PUMD15
NPN / PNP电阻配备晶体管; R1 = 4.7千欧， R2 = 4.7 kΩ的
10
3
h
FE
006aaa030
1
006aaa031
(1)
(2)
(3)
V
CESAT
(V)
10
2
10
1
(1)
(2)
(3)
10
1
10
1
1
10
I
C
（MA ）
10
2
10
2
1
10
I
C
（MA ）
10
2
V
CE
= 5 V
(1) T
AMB
= 150
°C
(2) T
AMB
= 25
°C
(3) T
AMB
=
40 °C
I
C
/I
B
= 20
(1) T
AMB
= 100
°C
(2) T
AMB
= 25
°C
(3) T
AMB
=
40 °C
图1 。
TR1 （NPN） ：直流电流增益的函数
集电极电流;典型值
图2 。
TR1 （ NPN ） ：集电极 - 发射极饱和
电压作为集电极电流的函数;
典型值
10
006aaa033
10
006aaa032
V
我（上）
(V)
(1)
V
我（关闭）
(V)
(1)
1
(2)
(3)
1
(2)
(3)
10
1
10
1
1
10
I
C
（MA ）
10
2
10
1
10
2
10
1
1
I
C
（MA ）
10
V
CE
= 0.3 V
(1) T
AMB
=
40 °C
(2) T
AMB
= 25
°C
(3) T
AMB
= 100
°C
V
CE
= 5 V
(1) T
AMB
=
40 °C
(2) T
AMB
= 25
°C
(3) T
AMB
= 100
°C
图3 。
TR1 （ NPN ） ：通态输入电压为
集电极电流的函数;典型值
图4 。
TR1 （ NPN ） ：断态输入电压为
集电极电流的函数;典型值
PEMD15_PUMD15_3
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