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分立半导体
数据表
PEMD10 ; PUMD10
NPN / PNP电阻配备齐全
晶体管;
R1 = 2.2千欧，R2 = 47千欧
产品数据表
取代2003年的数据11月4日
2004年04月15日
恩智浦半导体
产品数据表
NPN / PNP电阻配备晶体管;
R1 = 2.2千欧，R2 = 47千欧
特点
内置偏置电阻
简化网络连接的ES电路设计
减少了元件数量
减少取放成本。
应用
低电流外设驱动器
更换的通用晶体管在数字
应用
控制IC的输入。
描述
NPN / PNP电阻配备晶体管（见“简体
大纲，符号和钉扎“的包的详细信息） 。
产品概述
包
类型编号
飞利浦
PEMD10
PUMD10
记
1. * = P ：香港制造。
* = T：在马来西亚进行。
* = W ：中国制造。
简化外形，象征与钉扎
SOT666
SOT363
SC-88
EIAJ
D1
D*0
(1)
标识代码
PEMD10 ; PUMD10
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
O
TR1
TR2
R1
R2
参数
集电极 - 发射极
电压
输出直流（DC）
NPN
PNP
偏置电阻
偏置电阻
典型值。
2.2
47
马克斯。
50
100
单位
V
mA
kΩ
kΩ
PNP / PNP
补
PEMB10
PUMB10
NPN / NPN
补
PEMH10
PUMH10
钉扎
类型编号
PEMD10 ; PUMD10
手册， halfpage
简化的外形和符号
针
6
5
4
R1
TR1
R2
1
顶视图
2
3
1
MAM448
描述
发射TR1
基地TR1
收藏家TR2
发射TR2
基地TR2
收藏家TR1
5
4
1
2
3
6
R2
TR2
R1
4
5
6
2
3
2004年04月15日
2
恩智浦半导体
产品数据表
NPN / PNP电阻配备晶体管;
R1 = 2.2千欧，R2 = 47千欧
订购信息
包
类型编号
名字
PEMD10
PUMD10
描述
塑料表面贴装封装; 6引线
塑料表面贴装封装; 6引线
PEMD10 ; PUMD10
VERSION
SOT666
SOT363
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
参数
条件
T
AMB
≤
25
°C;
注1
注1和2
65
65
T
AMB
≤
25
°C;
注1
注1和2
分钟。
马克斯。
单位
每个晶体管;为PNP晶体管具有负的极性
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压TR1
积极
负
V
I
输入电压TR2
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
SOT363
SOT666
T
英镑
T
j
T
AMB
每个器件
P
合计
总功耗
SOT363
SOT666
笔记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板，单双面铜，标准的足迹。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
300
300
mW
mW
储存温度
结温
工作环境温度
+5
12
100
100
200
200
+150
150
+150
mW
mW
°C
°C
°C
V
V
mA
mA
+12
5
V
V
发射极开路
开基
集电极开路
50
50
10
V
V
V
2004年04月15日
3
恩智浦半导体
产品数据表
NPN / PNP电阻配备晶体管;
R1 = 2.2千欧，R2 = 47千欧
热特性
符号
每个晶体管
R
号（j -a）的
热阻结到
环境
SOT363
SOT666
每个器件
R
号（j -a）的
热阻结到
环境
SOT363
SOT666
笔记
注1
注1和2
注1
注1和2
参数
条件
PEMD10 ; PUMD10
价值
单位
625
625
K / W
K / W
416
416
K / W
K / W
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板，单双面铜，标准的足迹。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
2004年04月15日
4
恩智浦半导体
产品数据表
NPN / PNP电阻配备晶体管;
R1 = 2.2千欧，R2 = 47千欧
特征
T
AMB
= 25
°C;
除非另有规定ED 。
符号
参数
条件
PEMD10 ; PUMD10
分钟。
100
1.1
1.54
17
典型值。
0.6
0.75
2.2
21
马克斯。
单位
每个晶体管;为PNP晶体管具有负的极性
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2
-------
-
R1
C
c
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
输入截止电压
输入导通电压
输入电阻
电阻率
集电极电容
TR1 （ NPN ）
TR2 （ PNP ）
V
CB
= 10 V ;我
E
= i
e
= 0 A;
F = 1 MHz的
2.5
3
pF
pF
V
CB
= 50 V ;我
E
= 0 A
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0 A
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0 ;吨
j
= 150
°C
V
EB
= 5 V ;我
C
= 0 A
V
CE
= 5 V ;我
C
= 10毫安
I
C
= 5毫安;我
B
= 0.25毫安
V
CE
= 5 V ;我
C
= 100
μA
V
CE
= 0.3 V ;我
C
= 5毫安
100
1
50
180
100
0.5
2.86
26
mV
V
V
kΩ
nA
μA
μA
μA
2004年04月15日
5
分立半导体
数据表
M3D744
PEMD10
NPN / PNP电阻配备齐全
晶体管;
R1 = 2.2千欧，R2 = 47千欧
初步speci fi cation
2001年09月11日
飞利浦半导体
初步speci fi cation
NPN / PNP电阻配备晶体管;
R1 = 2.2千欧，R2 = 47千欧
特点
300 mW的总功耗
很小1.6
×
1.2毫米超薄封装
出色的共面性，由于直脚
替换2个SC -75 / SC- 89封装的晶体管
同样的PCB面积
减少所需PCB面积
减少取放成本。
应用
通用开关和放大
逆变器和接口电路
电路的驱动程序。
描述
NPN / PNP电阻配备晶体管在SOT666
塑料封装。
TR1
手册， halfpage
PEMD10
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
CM
R1
R2
钉扎
针
1, 4
2, 5
6, 3
符号
TR1 ; TR2
TR1 ; TR2
TR1 ; TR2
BASE
集热器
描述
辐射源
参数
集电极 - 发射极电压
峰值集电极电流
偏置电阻
偏置电阻
马克斯。
50
100
2.2
47
单位
V
mA
k
k
6
5
4
R1
5
4
6
R2
TR2
记号
类型编号
PEMD10
标识代码
D1
1
顶视图
2
3
1
MAM448
R2
R1
2
3
Fig.1简化外形（ SOT666 ）和符号。
2, 5
1, 4
MBK120
6, 3
图2等效逆变器符号。
2001年09月11日
2
飞利浦半导体
初步speci fi cation
NPN / PNP电阻配备晶体管;
R1 = 2.2千欧，R2 = 47千欧
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
参数
条件
T
AMB
≤
25
°C;
注1
65
65
T
AMB
≤
25
°C;
注1
分钟。
PEMD10
马克斯。
单位
每个晶体管;为PNP晶体管具有负的极性
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压TR1
积极
负
输入电压TR2
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
每个器件
P
合计
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
热特性
符号
R
日J-一
笔记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
2.唯一推荐的焊接方法是回流焊。
参数
热阻结到
环境
条件
注1和2
价值
416
单位
K / W
总功耗
300
mW
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
+5
12
100
100
200
+150
150
+150
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
°C
+12
5
V
V
发射极开路
开基
集电极开路
50
50
10
V
V
V
2001年09月11日
3
飞利浦半导体
初步speci fi cation
NPN / PNP电阻配备晶体管;
R1 = 2.2千欧，R2 = 47千欧
特征
T
AMB
= 25
°C;
除非另有规定ED 。
符号
参数
条件
分钟。
100
1.1
1.54
17
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
典型值。
0.6
0.75
2.2
21
PEMD10
马克斯。
单位
每个晶体管;为PNP晶体管具有负的极性
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2
-------
-
R1
C
c
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
输入过电压
输入电压
输入电阻
电阻率
集电极电容
TR1 （ NPN ）
TR2 （ PNP ）
V
CB
= 50 V ;我
E
= 0
V
CE
= 50 V ;我
B
= 0
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0; T
j
= 150
°C
V
EB
= 5 V ;我
C
= 0
V
CE
= 5 V ;我
C
= 10毫安
I
C
= 5毫安;我
B
= 0.25毫安
V
CE
= 5 V ;我
C
= 100
A
V
CE
= 0.3 V ;我
C
= 5毫安
100
1
50
180
100
0.5
2.86
26
mV
V
V
k
nA
A
A
A
2.5
3
pF
pF
2001年09月11日
4
飞利浦半导体
初步speci fi cation
NPN / PNP电阻配备晶体管;
R1 = 2.2千欧，R2 = 47千欧
包装外形
塑料表面贴装封装; 6引线
PEMD10
SOT666
D
A
E
X
S
S
HE
6
5
4
PIN 1 INDEX
A
1
e1
e
2
bp
3
w
M
A
Lp
细节X
c
0
1
规模
2 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
0.6
0.5
b
p
0.27
0.17
c
0.18
0.08
D
1.7
1.5
E
1.3
1.1
e
1.0
e
1
0.5
H
E
1.7
1.5
L
p
0.3
0.1
w
0.1
y
0.1
概要
VERSION
SOT666
参考文献：
IEC
JEDEC
EIAJ
欧洲
投影
发行日期
01-01-04
01-08-27
2001年09月11日
5
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推荐型号
PHE820M
P19001
PSD8542V20MT
PWR1202
PALC20R8Z40ISG
PD438B-L1_05
PSD933F4A-12MI
PC4N30V
P80C31UFAA-T
PSD4235F2V-A-20B81
P2160A-08ST
PDU18F-1MC5
PD60015
PIC12F683T-I/SN
PL34020101000DJEF
PTV08040WAH
PIC7518
PSD813F2V-70M
PRV6WLHK
PG4946
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    PEMD10
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳和润天下电子科技有限公司
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电话：0755-83798683
联系人：许先生
地址：深圳市前海深港合作区前湾一路 1 号 A 栋 201 室
PEMD10
NXP
22+
8000
SOT-563
终端免费提供样品 可开13%增值税发票
深圳市俊晖半导体有限公司
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电话：13410941925
联系人：李先生【原装正品,可开发票】
地址：深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋1511A12
PEMD10
NXP
24+
3900
SOT-563
原装正品现货，可开增值税专用发票
深圳市金嘉锐电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2581021098 复制

电话：0755-22929859
联系人：朱先生
地址：深圳福田区振兴路华康大厦211
PEMD10
Nexperia
2025+
26820
SOT-563
【原装优势★★★绝对有货】
深圳信泰电子器材有限公司
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电话：0755-83242658
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地址：广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
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NXP
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15000
SOT-563
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电话：13510131896
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地址：龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
PEMD10
NXP
15+
8800
SOT-563
原装正品支持实单
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电话：0755-88917652分机801-83200050
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联系人：朱小姐
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PEMD10
Nexperia
24+
32000
SOT666
原装正品热卖
深圳市创芯联盈电子有限公司
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电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
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PEMD10
NXP/恩智浦
2443+
23000
SOT-563
一级代理专营，原装现货，价格优势
深圳市诺洋电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881501653 复制

电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
PEMD10
NXP/恩智浦
24+
8640
SOT-563
全新原装现货，原厂代理。
深圳市华斯顿电子科技有限公司
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电话：0755-83777708/83777607/82799993
联系人：朱咸华
地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
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