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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符P型号页 > 首字符P的型号第1307页 > PEMB2
分立半导体
数据表
PEMB2 ; PUMB2
PNP / PNP电阻配备齐全
晶体管; R 1 = 47千欧，R2 = 47千欧
产品数据表
取代2001年的数据09月14日
2003年10月15
恩智浦半导体
产品数据表
PNP / PNP电阻配备晶体管;
R 1 = 47千欧，R2 = 47千欧
特点
内置偏置电阻
简化的电路设计
减少元件数量
减少取放成本。
应用
低电流外设驱动程序
更换的通用晶体管在数字
应用
控制IC的输入。
描述
PNP / PNP电阻配备晶体管（见“简体
大纲，符号和钉扎“的包的详细信息） 。
产品概述
包
类型编号
飞利浦
PEMB2
PUMB2
记
1. * = P ：香港制造。
* = T：在马来西亚进行。
* = W ：中国制造。
简化外形，象征与钉扎
SOT666
SOT363
EIAJ
SC-88
B2
B*2
(1)
标识代码
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
O
TR1
TR2
R1
R2
PEMB2 ; PUMB2
参数
集电极 - 发射极
电压
输出直流（DC）
PNP
PNP
偏置电阻
偏置电阻
典型值。
47
47
马克斯。
50
100
单位
V
mA
kΩ
kΩ
NPN / PNP
补
PEMD12
PUMD12
NPN / NPN
补
PEMH2
PUMH2
钉扎
类型编号
PEMB2
PUMB2
6
5
4
简化的外形和符号
针
6
5
4
描述
发射TR1
基地TR1
收藏家TR2
发射TR2
基地TR2
收藏家TR1
1
2
3
R1
TR1
R2
R2
TR2
R1
4
5
6
1
顶视图
2
3
1
MAM477
2
3
2003年10月15
2
恩智浦半导体
产品数据表
PNP / PNP电阻配备晶体管;
R 1 = 47千欧，R2 = 47千欧
订购信息
包
类型编号
名字
PEMB2
PUMB2
描述
塑料表面贴装封装; 6引线
塑料表面贴装封装; 6引线
PEMB2 ; PUMB2
VERSION
SOT666
SOT363
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
每个晶体管
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
SOT363
SOT666
T
英镑
T
j
T
AMB
每个器件
P
合计
总功耗
SOT363
SOT666
笔记
1.设备安装在一FR4印刷电路板，单双面铜，标准的足迹。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
T
AMB
≤
25
°C
注1
注1和2
300
300
mW
mW
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C
注1
注1和2
65
65
200
200
+150
150
+150
mW
mW
°C
°C
°C
+10
40
100
100
V
V
mA
mA
发射极开路
开基
集电极开路
50
50
5
V
V
V
参数
条件
分钟。
马克斯。
单位
2003年10月15
3
恩智浦半导体
产品数据表
PNP / PNP电阻配备晶体管;
R 1 = 47千欧，R2 = 47千欧
热特性
符号
每个晶体管
R
日J-一
从结点到环境的热阻
SOT363
SOT666
每个器件
R
日J-一
从结点到环境的热阻
SOT363
SOT666
笔记
T
AMB
≤
25
°C
注1
注1
T
AMB
≤
25
°C
注1
注1和2
参数
条件
PEMB2 ; PUMB2
价值
单位
625
625
K / W
K / W
416
416
K / W
K / W
1.设备安装在一FR4印刷电路板，单双面铜，标准的足迹。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2
-------
-
R1
C
c
参数
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
饱和电压
输入截止电压
输入导通电压
输入电阻
电阻率
集电极电容
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
10
V;
F = 1 MHz的
条件
V
CB
=
50
V ;我
E
= 0
V
CE
=
30
V ;我
B
= 0
V
CE
=
30
V ;我
B
= 0; T
j
= 150
°C
V
EB
=
5
V ;我
C
= 0
V
CE
=
5
V ;我
C
=
5
mA
I
C
=
10
毫安;我
B
=
0.5
mA
V
CE
=
5
V ;我
C
=
100 μA
V
CE
=
0.3
V ;我
C
=
2
mA
分钟。
80
3
33
0.8
典型值。
1.2
1.6
47
1
马克斯。
100
1
50
90
150
0.8
61
1.2
3
pF
mV
V
V
kΩ
单位
nA
μA
μA
μA
2003年10月15
4
恩智浦半导体
产品数据表
PNP / PNP电阻配备晶体管;
R 1 = 47千欧，R2 = 47千欧
包装纲要
PEMB2 ; PUMB2
塑料表面贴装封装; 6引线
SOT666
D
A
E
X
S
S
HE
6
5
4
PIN 1 INDEX
A
1
e1
e
2
bp
3
w
M
A
Lp
细节X
c
0
1
规模
2 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
0.6
0.5
b
p
0.27
0.17
c
0.18
0.08
D
1.7
1.5
E
1.3
1.1
e
1.0
e
1
0.5
H
E
1.7
1.5
L
p
0.3
0.1
w
0.1
y
0.1
概要
VERSION
SOT666
参考文献：
IEC
JEDEC
EIAJ
欧洲
投影
发行日期
01-01-04
01-08-27
2003年10月15
5
分立半导体
数据表
M3D744
PEMB2
PNP电阻配备双
晶体管R1 = 47千欧，R2 = 47千欧
产品speci fi cation
2001年09月14日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP电阻配备双晶体管
R 1 = 47千欧，R2 = 47千欧
特点
300 mW的总功耗
很小1.6毫米
×
1.2 mm
×
0.55毫米超薄
包
出色的共面性，由于直脚
减少了部件更换两个数
SC- 75 / SC- 89封装的晶体管
减少了所需的电路板空间
减少取放成本。
应用
通用开关和放大
逆变器和接口电路
电路的驱动程序。
描述
PNP电阻配备双晶体管在SOT666
塑料封装。
记号
类型编号
PEMB2
钉扎
针
1, 4
2, 5
3, 6
辐射源
BASE
集热器
描述
TR1 ; TR2
TR1 ; TR2
TR1 ; TR2
MBK120
PEMB2
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
CM
TR1
TR2
R1
R2
参数
集电极 - 发射极电压
峰值集电极电流
PNP
PNP
偏置电阻
偏置电阻
马克斯。
50
100
47
47
单位
V
mA
k
k
手册， halfpage
6
5
4
6
5
4
R1
TR1
R2
R2
TR2
R1
1
顶视图
2
3
1
MAM451
2
3
Fig.1
标识代码
B2
简化外形（ SOT666 ）和符号。
2, 5
1, 4
6, 3
图2等效逆变器符号。
2001年09月14日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP电阻配备双晶体管
R 1 = 47千欧，R2 = 47千欧
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
每个晶体管
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
每个器件
P
合计
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
总功耗
T
AMB
≤
25
°C;
注1
300
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
65
65
+10
40
100
100
200
+150
150
+150
发射极开路
开基
集电极开路
50
50
10
参数
条件
分钟。
马克斯。
PEMB2
单位
V
V
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
°C
mW
2001年09月14日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP电阻配备双晶体管
R 1 = 47千欧，R2 = 47千欧
热特性
符号
R
日J-一
笔记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
2.唯一推荐的焊接方法是回流焊。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
每个晶体管
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2
------
-
R1
C
c
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
输入截止电压
输入导通电压
输入电阻
电阻率
集电极电容
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
10
V ; F = 1 MHz的
I
E
= 0; V
CB
=
50
V
I
B
= 0; V
CE
=
50
V
I
B
= 0; V
CE
=
30
V ;牛逼
j
= 150
°C
I
C
= 0; V
EB
=
5
V
I
C
=
5
毫安; V
CE
=
5
V
I
C
=
10
毫安;我
B
=
0.5
mA
I
C
=
100 A;
V
CE
=
5
V
I
C
=
2
毫安; V
CE
=
0.3
V
80
3
33
0.8
1.2
1.6
47
1
参数
条件
分钟。
典型值。
参数
从结点到环境的热阻
条件
注意1和2
价值
416
PEMB2
单位
K / W
马克斯。
100
1
50
90
150
0.8
61
1.2
3
单位
nA
A
A
A
mV
V
V
k
pF
2001年09月14日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP电阻配备双晶体管
R 1 = 47千欧，R2 = 47千欧
PEMB2
手册， halfpage
10
3
MDA993
手册， halfpage
(1)
(2)
(3)
10
1
MDA992
的hFE
VCEsat晶体管
(V)
(1)
(2)
10
2
(3)
10
1
10
1
1
10
IC （MA ）
10
2
10
2
10
1
1
10
IC （MA ）
10
2
V
CE
=
5
V.
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
40 °C.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
AMB
= 100
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
40 °C.
Fig.3
直流电流增益作为集电体的功能
电流;典型值。
Fig.4
集电极 - 发射极饱和电压为
集电极电流的函数;典型值。
手册， halfpage
10
MDA995
10
2
手册， halfpage
第六章（上）
(V)
MDA994
六（关闭）
(V)
(1)
(2)
(3)
10
1
1
(1)
(2)
(3)
10
1
10
2
10
1
1
IC （MA ）
10
10
1
10
1
1
10
IC （MA ）
10
2
V
CE
=
5
V.
(1) T
AMB
=
40 °C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
= 100
°C.
V
CE
=
0.3
V.
(1) T
AMB
=
40 °C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
= 100
°C.
Fig.5
输入截止电压作为集电体的功能
电流;典型值。
Fig.6
输入导通电压作为集电体的功能
电流;典型值。
2001年09月14日
5
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PSD4235F2V-B-90MI
PSD833F3A-70MI
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    -
    -
    -
    -
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PEMB2
NXP
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