恩智浦半导体
PEMB18 ; PUMB18
PNP / PNP电阻配备晶体管; R1 = 4.7千欧， R2 = 10 kΩ的
2.管脚信息
表3中。
针
1
2
3
4
5
6
钉扎
描述
GND （发射器） TR1
输入端（基极）的TR1
输出（集电极） TR2
GND （发射器） TR2
输入端（基极） TR2
输出（集电极） TR1
1
2
3
001aab555
TR1
R2
R1
R1
R2
TR2
简化的轮廓
6
5
4
符号
6
5
4
1
2
3
006aaa212
3.订购信息
表4 。
订购信息
包
名字
PEMB18
PUMB18
-
SC-88
描述
塑料表面贴装封装; 6引线
塑料表面贴装封装; 6引线
VERSION
SOT666
SOT363
类型编号
4.标记
表5 。
PEMB18
PUMB18
[1]
* = - ：香港制造
* = P ：香港制造
* = T：在马来西亚
* = W ：中国制造
标记代码
标识代码
[1]
6A
B8*
类型编号
PEMB18_PUMB18_4
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
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2 9
恩智浦半导体
PEMB18 ; PUMB18
PNP / PNP电阻配备晶体管; R1 = 4.7千欧， R2 = 10 kΩ的
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
SOT363
SOT666
T
英镑
T
j
T
AMB
每个器件
P
合计
总功耗
SOT363
SOT666
[1]
[2]
条件
发射极开路
开基
集电极开路
民
-
-
-
-
-
-
-
最大
50
50
7
+7
20
100
100
200
200
+150
150
+150
单位
V
V
V
V
V
mA
mA
mW
mW
°C
°C
°C
每个晶体管
T
AMB
≤
25
°C
[1]
[1] [2]
-
-
65
-
65
储存温度
结温
环境温度
T
AMB
≤
25
°C
[1]
[1] [2]
-
-
300
300
mW
mW
设备安装在一FR4印刷电路板（PCB） ，单面铜，镀锡和标准
足迹。
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
6.热特性
表7中。
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
从热阻
结到环境
SOT363
SOT666
每个器件
R
号（j -a）的
从热阻
结到环境
SOT363
SOT666
[1]
[2]
PEMB18_PUMB18_4
条件
T
AMB
≤
25
°C
[1]
[1] [2]
民
典型值
最大
单位
每个晶体管
-
-
-
-
625
625
K / W
K / W
T
AMB
≤
25
°C
[1]
[1] [2]
-
-
-
-
416
416
K / W
K / W
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
NXP B.V. 2009保留所有权利。
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PEMB18 ; PUMB18
PNP / PNP电阻配备晶体管; R1 = 4.7千欧， R2 = 10 kΩ的
7.特点
表8 。
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定编
符号
I
CBO
I
首席执行官
参数
集电极 - 基极截止
当前
条件
V
CB
=
50
V ;我
E
= 0 A
民
-
-
-
-
50
-
-
2.5
3.3
1.7
V
CB
=
10
V ;我
E
= i
e
= 0 A;
F = 1 MHz的
-
典型值
-
-
-
-
-
-
0.9
1.5
4.7
2.1
-
最大
100
1
50
600
-
150
0.3
-
6.1
2.6
3
pF
mV
V
V
k
单位
nA
A
A
A
每个晶体管
集电极 - 发射极截止V
CE
=
30
V ;我
B
= 0 A
当前
V
CE
=
30
V ;我
B
= 0 A;
T
j
= 150
°C
发射极 - 基极截止
当前
直流电流增益
集电极 - 发射极
饱和电压
断态电压输入
通态输入电压
偏置电阻器1 （输入）
偏置电阻率
集电极电容
V
EB
=
5
V ;我
C
= 0 A
V
CE
=
5
V ;我
C
=
10
mA
I
C
=
10
毫安;我
B
=
0.5
mA
V
CE
=
5
V ;我
C
=
100 A
V
CE
=
0.3
V ;我
C
=
20
mA
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2/R1
C
c
PEMB18_PUMB18_4
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PNP / PNP电阻配备晶体管; R1 = 4.7千欧， R2 = 10 kΩ的
10
3
h
FE
006aaa202
10
3
006aaa203
(1)
(2)
(3)
V
CESAT
（毫伏）
10
2
(1)
(2)
(3)
10
2
10
1
10
1
1
10
I
C
（MA ）
10
2
10
1
10
I
C
（MA ）
10
2
V
CE
=
5
V
(1) T
AMB
= 100
°C
(2) T
AMB
= 25
°C
(3) T
AMB
=
40 °C
I
C
/I
B
= 20
(1) T
AMB
= 100
°C
(2) T
AMB
= 25
°C
(3) T
AMB
=
40 °C
图1 。
直流电流增益作为集电体的功能
电流;典型值
006aaa204
图2 。
集电极 - 发射极饱和电压为
集电极电流的函数;典型值
006aaa205
10
V
我（上）
(V)
8
2.0
V
我（关闭）
(V)
1.6
6
1.2
(1)
(2)
4
(1)
(2)
(3)
0.8
(3)
2
0.4
0
10
1
1
10
I
C
（MA ）
10
2
0
10
2
10
1
1
I
C
（MA ）
10
V
CE
=
0.3
V
(1) T
AMB
=
40 °C
(2) T
AMB
= 25
°C
(3) T
AMB
= 100
°C
V
CE
=
5
V
(1) T
AMB
=
40 °C
(2) T
AMB
= 25
°C
(3) T
AMB
= 100
°C
图3 。
导通状态的输入电压的一个函数
集电极电流;典型值
图4 。
断态输入电压的函数
集电极电流;典型值
PEMB18_PUMB18_4
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