产品speci fi cation
PE83512
产品说明
该PE83512是一个高性能的静态
的UltraCMOS
预分频器有4它的工作频率固定的分频比
范围为DC 1500兆赫。该PE83512运行在标称
3 V电源供电，并提请只有14毫安。它被装在一个小
8引脚MSOP封装胶，是理想的频率调整和
时钟发生解决方案。
该PE83512制造的百富勤的UltraCMOS
过程中，硅 - 绝缘体（ SOI）的一个专利的变异
技术在蓝宝石基板上，提供的性能
砷化镓随着经济一体化和传统的
CMOS 。
图1.功能示意图
直流 - 1500兆赫低功率的UltraCMOS
除以4分频器
军用工作温度范围
特点
DC至1500 MHz运行
4个固定的分频比
低功耗运行：14 mA典型
@ 3.0 V
超小型封装： 8引脚MSOP封装
图2.封装类型
8引脚MSOP
表1.电气规格
(Z
S
= Z
L
= 50
)
2.85 V
≤
V
DD
≤
3.15 V ; -55°C
≤
T
A
≤
125 ℃，除非另有说明
参数
电源电压
条件
最低
2.85
典型
3.0
7
14
最大
3.15
12
25
1500
+10
+10
+10
单位
V
mA
mA
兆赫
DBM
DBM
DBM
DBM
OUTB残疾人
电源电流
1
OUTB启用
输入频率（f
IN
)
100兆赫
≤
F
in
≤
1200兆赫
-55°C
≤
T
A
≤
85°C
100兆赫
≤
F
in
≤
1200兆赫
85°C
≥
T
A
≥
125°C
1200兆赫< F
in
≤
1500兆赫
-55°C
≤
T
A
≤
85°C
DC <翅
≤
1500兆赫
DC
-5
0
+5
+2
输入功率（P
IN
)
输出功率
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PE83512
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图3.引脚CON组fi guration （顶视图）
静电放电（ ESD ）注意事项
在处理这个的UltraCMOS 器件，观察
你将与使用相同的注意事项
其他ESD敏感设备。虽然这个设备
包含电路，以保护其免受损坏，由于
ESD ，应采取预防措施，以避免
超过表3规定的额定值。
闭锁避免
与传统的CMOS器件，的UltraCMOS
设备是免疫的闩锁。
V
DD
1
2
8
7
GND
IN
OUT
PE83512
N / C
3
4
6
5
CTL
GND
OUT
表2.引脚说明
PIN号
1
2
3
针
名字
V
DD
IN
N / C
设备功能的思考
描述
电源引脚。旁路是必需的
（例如1000 pF的& 100 pF的） 。
输入信号引脚。应该再加上一个
电容器（如1000 pF的） 。
无连接。该引脚应留
开。
接地引脚。在电路板上接地图案
应尽可能宽，以减少
接地阻抗。
倒分频输出。该引脚
应该再加上一个电容器
（如1000 pF的） 。
控制引脚。当接地OUTB是
启用。
分频的输出引脚。该引脚
应该再加上一个电容器
（如1000 pF的） 。
接地引脚。
4
GND
该
PE83512
将输入信号，由
频率为1500兆赫，通过四个从而一个因素
在四分之一的产生输出频率
输入频率。要在更高的正常工作
频率，所述输入信号和输出信号（管脚2,7
&可选5）必须通过外部交流耦合
电容。该输入可被直流耦合用于低
小心频率工作采取留
在规定的直流输入范围的设备。
电路板上的接地图案应
尽可能宽，以减少地面
阻抗。参见图8为布局的例子。
OUTB控制
6引脚控制是否OUTB启用或
禁用。 6脚有一个内部上拉电阻。
由于没有连接（浮） ， OUTB被禁用。
由接地引脚6 ， OUTB被启用。通过
有利OUTB ，这部分将使用大致5毫安
更多的电流。
5
OUTB
6
CTL
7
8
OUT
GND
表3.绝对最大额定值
符号
V
DD
P
in
V
IN
T
ST
T
OP
V
ESD
参数/条件
电源电压
输入功率
输入电压
存储温度范围
工作温度
范围
静电放电电压（人体
模型， MIL -STD 883 ）
民
最大
4.0
15
V
DD
+0.3
150
125
2000
单位
V
DBM
V
°C
°C
V
-0.3
-65
-55
绝对最大额定值是那些价值
在上表中列出。超过这些值
可能会造成永久性损坏设备。曝光
以长时间的绝对最大额定值
可能会影响器件的可靠性。
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典型性能数据： V
DD
= 3.0 V
图4.输入灵敏度
图5.设备电流（ OUTB启用）
图6.输出功率（ OUT或OUTB ）
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评估套件
评估套件操作
该
PE83512
EK板的目的是要缓解
百富勤的高性能客户评价
军工级分频预分频器4 。在此板上，
该设备输入端（引脚2）通过J1和一个50连接
传输线。串联电容（ C3 ）提供
必要DC块设备的输入。重要的是
要注意，此电容的值将影响
该装置的性能。 1000 pF的值
发现最适合于该板的布局;其他
应用可能需要不同的值。
器件输出（引脚7 ）被连接到连接器J3的
通过50
传输线。串联电容
（C ）提供了必要的DC块为设备
输出。注意，该电容必须被选择到
具有低阻抗，在所需要的输出频率
该设备。 1000pF的价值被选择
提供较宽的工作范围进行评价
板。
该板构成的2层FR4材料的
以0.031的总厚度“ 。底层
提供接地的RF传输线。该
输电线路采用共面设计
波导地上平面模特与走线宽度
0.030 “ ，追溯了0.007的差距” ，介质厚度
0.028 “ ，金属厚度0.0014 ”，并
ε
r
4.4 。记
的占主导地位的模式为这些传输线
是共面波导。
J 2提供直流电源的装置。从起始
左下针，第二针向右（ J2-3 ）为
连接到该设备VDD端子（1） 。两个解耦
电容（ 10pF的， 1000pF的）都包含在此跟踪。它
是客户的责任来确定适当的
电源去耦为他们设计的应用程序。
应用支持
如果你有一个问题，您的评估套件，或者如果你
有问题的应用程序调用（ 858 ） 731-9400 ，并
要求应用程序的支持。您也可以与我们联系
通过传真或电子邮件：
传真：
(858) 731-9499
电子信箱：
help@psemi.com
图7.评估板布局
百富勤规格101/0190
图8.评估板电路图
百富勤规格102/0201
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图9.包装图
8引脚MSOP
顶视图
0.65BSC
8
7
6
5
.525BSC
2.45±0.10
2X
3.00±0.10
0.51±0.13
-B-
1
2
3
4
0.25 A B C
0.51±0.13
2.95±0.10
-C-
0.86±0.08
2.95±0.10
1.10最大
-A-
0.10 A
0.33+0.07
-0.08
0.08
A B C
3.00±0.10
前视图
SIDE VIEW
0.10±0.05
3.00±0.10
4.90±0.15
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