产品speci fi cation
PE64102
概述
该PE64102是沙丘 - 增强的数字可调
电容器（ DTC ）的基础上Peregrine公司的UltraCMOS
技术。 DTC产品提供了单片
为要求苛刻的综合阻抗调谐解决方案
RF应用。它们还提供了一个线性电容
改变与调整状态和优异的谐波
性能相比变容二极管的调谐
的解决方案。
这种高度多功能产品可安装在串联
或并联配置，并采用了3线（ SPI
兼容）串行接口。它具有很高的ESD额定值
在做这个终极的所有端口2 kV的HBM
集成和坚固性。在DTC将被提供
一个标准12导联2.0× 2.0× 0.55毫米QFN
商业包装。
百富勤公司的DuNE 技术提供的增强功能
高线性度和出色的谐波性能。
这是UltraCMOS技术的创新功能
过程中，
提供性能优于砷化镓与
经济一体化和传统的CMOS 。
图1.功能框图
的UltraCMOS
数字可调电容器
（ DTC ） 100 - 3000兆赫
特点
3线（ SPI兼容）的8位串行接口
用内置的偏置电压的产生和
待机模式为减少功率
消费
的DuNE
TM
- 增强的UltraCMOS
设备
5位32国家数字可调电容器
C = 1.88 - 14.0 pF的：在（ 7.4 1调谐比）
离散391 fF的步骤
RF功率处理（高达26 dBm时， 6 V
PK
RF）
和高线性
高品质因数
宽电源电压范围（ 2.3 3.6V ）和
低电流消耗
（典型值我
DD
= 30 μA @ 2.8V ）
优化分流配置，但可
也可在串联配置中使用
对优秀的2 kV的HBM ESD容差
所有引脚
应用包括：
天线调谐
可调谐滤波器
移相器
阻抗匹配
图2.封装类型
12导联2×2× 0.55毫米QFN
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PE64102
产品speci fi cation
表1.电气规格@ 25 ° C，V
DD
= 2.8V
参数
工作频率范围
7
最小电容
最大电容
调谐比
步长
品质因数（C
民
)
1
CON组fi guration
两
分流
6
分流
6
分流
6
分流
6
分流
6
状态= 00000 ， 100 MHz的射频（RF +接地的RF- ）
状态= 11111 ， 100 MHz的射频（RF +接地的RF- ）
C
最大
/C
民
， 100兆赫
5位（ 32个国家） ，恒步长（ 100兆赫）
470 - 582 MHz的带有L
s
删除
698 - 960兆赫，带L
s
删除
2110至70年兆赫，带L
s
删除
470 - 582 MHz的带有L
s
删除
698 - 960兆赫，带L
s
删除
2110至70年兆赫，带L
s
删除
州00000
州11111
470 582兆赫，引脚+26 dBm时， 50Ω
698到915兆赫，引脚+26 dBm时， 50Ω
1710年至1910年兆赫，引脚+26 dBm时， 50Ω
470 582兆赫，引脚+20 dBm时， 50Ω
698到915兆赫，引脚+20 dBm时， 50Ω
1710年至1910年兆赫，引脚+20 dBm时， 50Ω
IIP3 = （ Pblocker + 2 * PTX - [ IMD3 ] ） / 2，其中的IMD3 = -95 dBm时
PTX = +20 dBm的和Pblocker = -15 dBm的
状态更改为10 /90％增量的电容只有两个之间
国
从V时代
DD
在规范之内的所有演出
规范
从待机模式状态变化到RF状态，所有的
在规定范围内演出
60
2
5
5
10
20
20
条件
民
100
-10%
-10%
1.88
14.0
7.4:1
0.391
50
50
28
25
20
5
4.7
1.6
-36
-36
-36
-36
-36
-36
GHz的
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
s
s
s
pF
典型值
最大
3000
+10%
+10%
单位
兆赫
pF
pF
品质因数（C
最大
)
1
自谐振频率
分流
6
分流
7
分流
6
谐波（ 2
fo
和3
fo
)
4
系列
5
分流
6
分流
6
分流
6
分流
6
3阶截取点
开关时间
2, 3
启动时间
2
唤醒时间
2,3
注意：基于一个系列的RLC等效电路1.问一个并联的DTC
Q = X
C
/ R = （ X-X的
L
） / R，其中X = X
L
+ X
C
, X
L
= 2 * PI * F * L，X
C
= -1 /（2 * PI * F * C）中，它等于除去的寄生电感L的效果
S
必须提供2.直流接地路径的RF +和RF-以达到规定的性能
3.状态变化对SEN的下降沿启动下一个数据字
4.之间50Ω使用脉冲RF输入与4620端口以串联或并联配置VS期间，占空比为50％ ，每3GPPTS45.005测
5.在串联配置中的更大的RF功率或更高的RF电压，应适用于RF +
6. RF
-
应连接到地
7. DTC操作上面的SRF是可能的
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的UltraCMOS
RFIC解决方案
PE64102
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图3.引脚CON组fi guration （顶视图）
销1
12
11
10
表3.工作范围
1
参数
V
DD
电源电压
I
DD
电源电流
（正常模式）
6
符号
V
DD
I
DD
I
DD
V
IH
V
IL
1.2
0
民
2.3
典型值
2.8
30
20
最大
3.6
75
45
3.1
0.2
6
6
6
+26
+20
I
CTL
T
OP
T
ST
-40
-65
1
10
+85
+150
单位
V
A
A
V
V
V
PK
V
PK
V
PK
DBM
DBM
A
°C
°C
SEN
11
13
GND
8
9 RF +
I
DD
电源电流
（待机模式）
6
控制电压高
GND
22
33
8 GND
7
7 RF-
6
控制电压低
峰值工作电压RF
5
V
P
到V
M
V
P
到RFGND
V
M
到RFGND
RF输入功率（ 50Ω ）
3, 4, 5
分流
系列
输入控制电流
SCLK
4
5
6
表2.引脚说明
针＃
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
引脚名称
SEN
GND
SCLK
VDD
GND
RF-
RF-
GND
RF +
RF +
GND
SDAT
GND
串行启用
数字和射频接地
串行接口的时钟输入
电源电压
数字和射频接地
负RF端口
1
负RF端口
1
数字和射频接地
3
正RF端口
2
正RF端口
2
工作温度范围
存储温度范围
描述
注意事项： 1.操作应限制在工作范围表的限制
2. DTC是活性时STBY为低（设置为0 ），并在低电流
待机模式时为高电平（设置为1）
3.最大连续波功率可从50Ω源并联结构
4.最大CW功率可从50Ω源串联配置
5. RF +到RF-和RF +和/或RF-到地面。不能超过6 V
PK
或最大
RF输入功率（以先到为准）
6. I
DD
目前典型值是基于V
DD
= 2.8V 。我最大
DD
基于
V
DD
= 3.6V
表4.绝对最大额定值
符号
V
DD
V
I
V
ESD
V
ESD
参数/条件
电源电压
任何直流输入电压
电压ESD （HBM ， MIL_STD
883方法3015.7 ）
ESD电压（ MM ， JEDEC
JESD22-A115-A)
民
-0.3
-0.3
最大
4.0
4.0
2000
100
单位
V
V
V
V
数字和射频接地
串行接口数据输入
数字和射频接地
3
注：1.引脚6和7必须捆绑在一起的PCB板，以减少
电感
2.引脚9和10 ，必须捆绑在一起的PCB板，以减少
电感
3.引脚2，5， 8，11和13必须连接在一起的印刷电路板
超过绝对最大额定值可能会导致
永久性损坏。操作间的操作
范围最大和绝对最大值
长时间可能会降低可靠性。
静电放电（ ESD ）注意事项
在处理这个的UltraCMOS
设备，观察
你将与其他使用相同的注意事项
ESD敏感设备。虽然这个设备
包含电路，以保护其免受损坏，由于
ESD ，应采取预防措施，以避免
超过规定的额定值。
湿度敏感度等级
对湿度敏感等级评级
PE64102在12引线2× 2 QFN封装
MSL1.
闭锁避免
与传统的CMOS器件，而UltraCMOS
设备是免疫的闩锁。
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性能图解@ 25 ℃， 2.8V ，除非另有说明
图4.测量并联C（ @ 100MHz）的VS
状态（温度）
图5.测量分流S
11
（大国）
图6.测量步长VS国
（频率）
图7.测量系列S
11
/S
22
（大国）
图8.测量并联VS
频率（大国）
图9.测量系列S
21
与频率
（大国）
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RFIC解决方案
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图10.测量分流Q VS
频率（大国）
图11.测量2端口分流S21 VS
频率（大国）
图12.测量自共振
频率与国
图13.测量分流Q VS国
160
140
120
100
80
60
40
20
0
5
10
15
状态
20
25
30
Q
测得的Q随国家
100兆赫
470兆赫
698兆赫
1710兆赫
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