晶闸管模块
PK
（ PD ， PE）
55FG
UL ; E76102 M）
（
大功率晶闸管/二极管模块
PK55FG
系列设计用于各种整流电路
和电源控制。为了您的电路程序，遵循内部连接和宽
额定电压高达1600V可用。和电绝缘安装底座化妆
您的机械设计简单。
２φ6．
- ０
２．
５０
１．
２０
92．
０
2 ． 2 ． 2 ．
００ ００ ００
１．
７５
３． ７． 3．
5 ５ 5
６５
．
MAX 2 。
９０
K2G2
●
I
T（ AV ）
55A ，我
T（ RMS ）
86A ，我
TSM
●
的di / dt
●
dv / dt的
1300A
内部配置
K2
G2
3
2
100A/
μs
1000V/
μs
M ×1
５ ０
K2
G2
A1K2
（K2）
K1
（A2）
（应用程序）
各种整流器
交流/直流马达驱动器
加热器控制
调光器
静态开关
１０
３±
．
０
０．
５
A1K2
（K2）
K1
（A2）中的G1
1
3
2
1
１．
９５
４０
．
28 4- ＃ 1选项卡
．
１０
铭牌
PK
K2
3
2
PE
８ ．± ．
００ ０２
1
A1K2
（K2）
K1
（A2）中的G1
克
PD
单位：
A
=最大
评级
评级
符号
项
PK55FG40
PD55FG40
PE55FG40
400
480
400
PK55FG80
PD55FG80
PE55FG80
800
960
800
条件
（Tj＝25℃
除非另有规定编）
PK55FG120
PD55FG120
PE55FG120
1200
1300
1200
PK55FG160
PD55FG160
PE55FG160
1600
1700
1600
评级
55
86
1190/1300
7040
10
1
3
10
5
I
G
＝100mA，
D
＝
1 2
V
DRM
，
G
/dt＝0.1A/
V
／
di
μs
交流1分钟
100
2500
-40到+125
-40到+125
2.7（28）
2.7（28）
170
单位
V
RRM
V
RSM
V
DRM
符号
*重复
峰值反向电压
*不重复
峰值反向电压
*重复
峰值断态电压
项
V
V
V
单位
A
A
A
A
2
S
W
W
A
V
V
A/
μs
V
℃
℃
N½m
（㎏f½B）
g
（
I
牛逼AV）
*平均
通态电流
（
I
牛逼RMS ）
* R.M.S 。
通态电流
单相半波， 180 °
导通， TC = 81 ℃
单相半波， 180 °
导通， TC = 81 ℃
1
／
2
I
TSM
I
2
t
P
GM
（AV）
P
G
-Surge
通态电流
＊I
2
t
栅极峰值功耗
平均门功耗
栅极峰值电流
峰值栅极电压（正向）
峰值栅极电压（反向）
通态电流临界上升率
*隔离
击穿电压
（ R.M.S ）
*工作
结温
*存储
温度
MOUNTING
力矩
块
周期， 50 / 60H
Z
，峰值，非重复性
一个周期浪涌电流值
I
FGM
V
FGM
V
RGM
的di / dt
V
ISO
Tj
TSTG
MOUNTING
（M5）
推荐值1.5-2.5 （ 15-25 ）
终端M5 ）推荐值1.5-2.5 （ 15-25 ）
（
典型的价值
ⅵELECTRICAL
特征
符号
I
DRM
I
RRM
V
TM
I
GT
V
GT
V
GD
dv / dt的
项
重复峰值断态电流，最大
*重复
峰值反向电流，最大
*在状态
电压，最大
门极触发电流，最大值
门极触发电压，最大
门极触发电压，分
对断态电压，最小临界上升率
条件
Tj＝125℃，V
D
＝V
DRM
Tj＝125℃，V
D
＝V
DRM
I
T
＝165A
V
D
＝6V，I
T
＝1A
V
D
＝6V，I
T
＝1A
Tj＝125℃，V
D
＝
1 2
V
DRM
／
Tj＝125℃，V
D
＝
2 3
V
DRM
／
结到外壳
评级
15
15
1.6
50
3
0.25
1000
0.50
单位
mA
mA
V
mA
V
V
V/
μs
℃/W
RTH J- C） *热阻抗，最大
（
*标记：晶闸管
和二极管组成部分。无标记：晶闸管组成部分
三社电机50海景大道。纽约州华盛顿港11050-4618 PH （ 516 ） 625-1313传真（ 516 ） 625-8845电邮： semi@sanrex.com
PK(PD,PE)55FG
１０
０
５
０
２
０
１
０
５
２
１
０５
．
０２
．
GATE特性
１０
００
导通电压最大值
V
FGM
（10V）
P
G
M
（
通态电流
（A）
５０
０
栅极电压
（V）
10
W
２０
０
１０
０
５
０
Ｔ= ５
½２ ℃
最大
）
I
FGM
３
（ A）
P
G
（
２℃
５
AV
）
（１
W
）
V
GD
２
０
５０ １０ ２０
０
００ ００
５０ １００
００ ００
１
０
０５
．
1．
０
１５
．
２０
．
２５
．
０１
．
１
０
２
０
５ １０ ２０
０ ０
０
栅电流
（MA ）
瞬态热阻抗
θ
（℃/W）
J-
通态电压
（V）
１０
４０
浪涌通态电流额定值
（不重复）
０６
.
０５
.
０４
.
０３
.
０２
.
０１
.
瞬态热阻抗
浪涌通态电流
（A）
１０
２０
１０
００
８０
０
６０
０
４０
０
２０
０
０
１
T = 5开始
½２ ℃
６ H
Z
０
５ H
Z
０
每一个元素
结到外壳
每一个元素
２
５
１
０
２
０
５
０
１０
０
０
０． １０． ２ ０． ５０． ０ ０． ． ０２ ０５ １ ２
０ ０
０ ０ ０
０ ０
１０．
２ ０ １ ．
５０
．
时间
（周期）
时间
t
秒）
（
０
５ １
晶闸管模块
PK
（ PD ， PE）
55FG
UL ; E76102 M）
（
大功率晶闸管/二极管模块
PK55FG
系列设计用于各种整流电路
和电源控制。为了您的电路程序，遵循内部连接和宽
额定电压高达1600V可用。和电绝缘安装底座化妆
您的机械设计简单。
２φ6．
- ０
２．
５０
１．
２０
92．
０
2 ． 2 ． 2 ．
００ ００ ００
１．
７５
３． ７． 3．
5 ５ 5
６５
．
MAX 2 。
９０
K2G2
●
I
T（ AV ）
55A ，我
T（ RMS ）
86A ，我
TSM
●
的di / dt
●
dv / dt的
1300A
内部配置
K2
G2
3
2
100A/
μs
1000V/
μs
M ×1
５ ０
K2
G2
A1K2
（K2）
K1
（A2）
（应用程序）
各种整流器
交流/直流马达驱动器
加热器控制
调光器
静态开关
１０
３±
．
０
０．
５
A1K2
（K2）
K1
（A2）中的G1
1
3
2
1
１．
９５
４０
．
28 4- ＃ 1选项卡
．
１０
铭牌
PK
K2
3
2
PE
８ ．± ．
００ ０２
1
A1K2
（K2）
K1
（A2）中的G1
克
PD
单位：
A
=最大
评级
评级
符号
项
PK55FG40
PD55FG40
PE55FG40
400
480
400
PK55FG80
PD55FG80
PE55FG80
800
960
800
条件
（Tj＝25℃
除非另有规定编）
PK55FG120
PD55FG120
PE55FG120
1200
1300
1200
PK55FG160
PD55FG160
PE55FG160
1600
1700
1600
评级
55
86
1190/1300
7040
10
1
3
10
5
I
G
＝100mA，
D
＝
1 2
V
DRM
，
G
/dt＝0.1A/
V
／
di
μs
交流1分钟
100
2500
-40到+125
-40到+125
2.7（28）
2.7（28）
170
单位
V
RRM
V
RSM
V
DRM
符号
*重复
峰值反向电压
*不重复
峰值反向电压
*重复
峰值断态电压
项
V
V
V
单位
A
A
A
A
2
S
W
W
A
V
V
A/
μs
V
℃
℃
N½m
（㎏f½B）
g
（
I
牛逼AV）
*平均
通态电流
（
I
牛逼RMS ）
* R.M.S 。
通态电流
单相半波， 180 °
导通， TC = 81 ℃
单相半波， 180 °
导通， TC = 81 ℃
1
／
2
I
TSM
I
2
t
P
GM
（AV）
P
G
-Surge
通态电流
＊I
2
t
栅极峰值功耗
平均门功耗
栅极峰值电流
峰值栅极电压（正向）
峰值栅极电压（反向）
通态电流临界上升率
*隔离
击穿电压
（ R.M.S ）
*工作
结温
*存储
温度
MOUNTING
力矩
块
周期， 50 / 60H
Z
，峰值，非重复性
一个周期浪涌电流值
I
FGM
V
FGM
V
RGM
的di / dt
V
ISO
Tj
TSTG
MOUNTING
（M5）
推荐值1.5-2.5 （ 15-25 ）
终端M5 ）推荐值1.5-2.5 （ 15-25 ）
（
典型的价值
ⅵELECTRICAL
特征
符号
I
DRM
I
RRM
V
TM
I
GT
V
GT
V
GD
dv / dt的
项
重复峰值断态电流，最大
*重复
峰值反向电流，最大
*在状态
电压，最大
门极触发电流，最大值
门极触发电压，最大
门极触发电压，分
对断态电压，最小临界上升率
条件
Tj＝125℃，V
D
＝V
DRM
Tj＝125℃，V
D
＝V
DRM
I
T
＝165A
V
D
＝6V，I
T
＝1A
V
D
＝6V，I
T
＝1A
Tj＝125℃，V
D
＝
1 2
V
DRM
／
Tj＝125℃，V
D
＝
2 3
V
DRM
／
结到外壳
评级
15
15
1.6
50
3
0.25
1000
0.50
单位
mA
mA
V
mA
V
V
V/
μs
℃/W
RTH J- C） *热阻抗，最大
（
*标记：晶闸管
和二极管组成部分。无标记：晶闸管组成部分
三社电机50海景大道。纽约州华盛顿港11050-4618 PH （ 516 ） 625-1313传真（ 516 ） 625-8845电邮： semi@sanrex.com
PK(PD,PE)55FG
１０
０
５
０
２
０
１
０
５
２
１
０５
．
０２
．
GATE特性
１０
００
导通电压最大值
V
FGM
（10V）
P
G
M
（
通态电流
（A）
５０
０
栅极电压
（V）
10
W
２０
０
１０
０
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０
Ｔ= ５
½２ ℃
最大
）
I
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３
（ A）
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G
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２℃
５
AV
）
（１
W
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V
GD
２
０
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０
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００ ００
１
０
０５
．
1．
０
１５
．
２０
．
２５
．
０１
．
１
０
２
０
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０ ０
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栅电流
（MA ）
瞬态热阻抗
θ
（℃/W）
J-
通态电压
（V）
１０
４０
浪涌通态电流额定值
（不重复）
０６
.
０５
.
０４
.
０３
.
０２
.
０１
.
瞬态热阻抗
浪涌通态电流
（A）
１０
２０
１０
００
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６０
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１
T = 5开始
½２ ℃
６ H
Z
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每一个元素
结到外壳
每一个元素
２
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０
０． １０． ２ ０． ５０． ０ ０． ． ０２ ０５ １ ２
０ ０
０ ０ ０
０ ０
１０．
２ ０ １ ．
５０
．
时间
（周期）
时间
t
秒）
（
０
５ １
QQ：2881677436 复制
