产品speci fi cation
PE4302
产品说明
该PE4302是一款高线性度， 6位RF数字步进衰减器
“ DSA ”占地0.5 dB步进31.5 dB的衰减范围。
这50欧姆RF DSA提供了并行和串行CMOS
控制界面运行在一个单一的3伏电源和
在频率保持高衰减精度和
温度。它也有一个独特的控制接口，它允许
用户可以选择在开机后的初始衰减状态。该
PE4302表现出非常低的插入损耗和低功耗
消费。此功能递送至的4x4mm的QFN
足迹。
该PE4302是Peregrine公司的专利制造的超
薄硅（ UTSI ） CMOS工艺，提供性能
砷化镓随着经济一体化和传统的
CMOS 。
50
射频数字衰减器
6位31.5分贝， DC - 4.0 GHz的
特点
衰减：0.5 dB步长，以31.5分贝
灵活的并行和串行编程
接口
独特的开机状态选择
正CMOS控制逻辑
高衰减精度和线性
在整个温度范围和频率
非常低的功耗
单电源供电
50
阻抗
封装在一个20引脚的4x4mm QFN
图1.功能示意图
切换衰减器阵列
RF输入
RF输出
图2.封装类型
采用4x4mm -20引脚QFN
并行控制
串行控制
电控制
6
3
控制逻辑接口
2
表1.电气规格@ + 25 ° C，V
DD
= 3.0 V
参数
工作频率
插入损耗
2
衰减精度
1 dB压缩
3
输入IP3
1,2
回波损耗
开关速度
50％的控制0.5分贝
终值
两个音频输入
+18 dBm的
任何位或位
组合
DC - 2.2 GHz的
DC
≤
1.0 GHz的
1.0 < 2.2 GHz的
1兆赫 - 2.2 GHz的
1兆赫 - 2.2 GHz的
DC - 2.2 GHz的
测试条件
频率
最低
DC
-
-
30
-
15
-
典型
最大
4000
单位
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
s
1.5
-
34
52
20
-
1.75
±（安泰信设置0.10 + 3 ％ ）
±（安泰信设置0.15 + 5 ％ ）
-
-
-
1
注：1.线性器件将开始降低低于1MHz
2.见最大额定输入表2 &数字在页面上2 4跨频率数据。
3.注意绝对最大见表3 。
文件编号70 / 0056 02D
│
www.psemi.com
2005 Peregrine半导体公司保留所有权利。
分页： 11 1
PE4302
产品speci fi cation
典型性能数据（ 25 ° C，V
DD
=3.0 V)
图3.插入损耗
图4.衰减的主要步骤
0
35
31.5dB
-1
30
25
插入损耗（dB ）
-40C
25C
-3
85C
归一化到插入损耗
衰减（dB ）
-2
20
16dB
15
2dB
10
8dB
4dB
1dB
0.5dB
-4
-5
5
0
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
0
-6
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
射频频率（ MHz）的
射频频率（ MHz）的
在主要图5.输入回波损耗
衰减步
0
在主要图6.输出回波损耗
衰减步
0
-10
-10
-20
S11（ dB）的
S22 （ dB）的
-20
-30
16dB
-30
31.5dB
-40
31.5dB
-40
-50
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
-50
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
射频频率（ MHz）的
射频频率（ MHz）的
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第11 2
文件编号70 / 0056 02D
│
的UltraCMOS RFIC 解决方案
PE4302
产品speci fi cation
典型性能数据（ 25 ° C，V
DD
=3.0 V)
图7.衰减误差与频率
图8.衰减误差与衰减
环境
0.5
2
0
31.5 （ dB）的
0
错误的衰减（ dB）的
10Mhz
500Mhz
1000Mhz
-0.5
1500Mhz
2000Mhz
-1
-8
2200Mhz
错误的衰减（ dB）的
-2
-4
-6
-10
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
-1.5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
射频频率（ MHz）的
衰减设置（分贝）
图9.衰减误差与衰减
环境
0.6
图10.衰减误差与衰减
环境
0.4
0.4
0.2
0
为1000MHz ， -40℃
-0.2
为1000MHz ， 25C
了1500MHz ， -40℃
-0.6
10MHz时， 85℃
为1000MHz ， 85C
1490Mhz ， 25C
1490Mhz ， 85C
错误的衰减（ dB）的
0.2
为500MHz ， -40℃
0
10MHz时， 25℃
-0.2
为500MHz ， 25C
错误的衰减（ dB）的
10MHz时， -40℃
-0.4
-0.4
为500MHz ， 85C
-0.8
-1
-0.6
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
5
10
15
20
25
30
35
40
衰减设置（分贝）
衰减设置（分贝）
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第11 3
PE4302
产品speci fi cation
典型性能数据（ 25 ° C，V
DD
=3.0 V)
图11.衰减误差与频率
图12.输入IP3与频率的关系
0.5
2200MHz的， -40℃
60
55
50
2000MHZ ， -40℃
输入IP3 （ dBm的）
45
40
35
30
2000MHZ ， 85C
25
.5dB
2dB
8dB
31.5dB
0dB
1dB
4dB
16dB
0
错误的衰减（ dB）的
-0.5
2200MHZ ， 25C
2000MHZ ， 25C
2200MHZ ， 85C
-1
-1.5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
20
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
衰减设置（分贝）
射频频率（ MHz）的
图13.输入1 dB压缩
40
35
1dB压缩（ DBM）
30
25
20
0dB
15
0.5dB
10
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
2dB
8dB
31.5dB
1dB
4dB
16dB
射频频率（ MHz）的
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第11 4
文件编号70 / 0056 02D
│
的UltraCMOS RFIC 解决方案
PE4302
产品speci fi cation
图14.引脚配置（顶视图）
GND
C0.5
C1
C2
C4
表3.绝对最大额定值
符号
V
DD
V
I
参数/条件
电源电压
在任何输入电压
存储温度范围
工作温度
范围
输入功率（ 50Ω ）
静电放电电压（人体
模型）
民
-0.3
-0.3
-65
-40
最大
4.0
V
DD
+
0.3
150
85
24
500
单位
V
V
°C
°C
DBM
V
20
19
18
17
16
C16
RF1
数据
时钟
LE
1
2
3
4
5
10
15
C8
RF2
P / S
VSS / GND
GND
T
ST
T
OP
P
IN
V
ESD
20引脚QFN
4x4mm
裸露焊盘
14
13
12
11
6
7
8
9
表4.直流电特定网络阳离子
参数
V
DD
电源
电压
I
DD
电源
当前
PUP1
PUP2
V
DD
V
DD
GND
民
2.7
典型值
3.0
最大
3.3
100
单位
V
A
V
表2.引脚说明
针
号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
桨
针
名字
C16
RF1
数据
时钟
LE
V
DD
PUP1
PUP2
V
DD
GND
GND
V
ss
/ GND
P / S
RF2
C8
C4
C2
GND
C1
C0.5
GND
描述
衰减控制位， 16分贝（注4 ） 。
RF端口（注1） 。
串行接口数据输入（注4 ） 。
串行接口的时钟输入。
锁存使能输入（注2 ） 。
电源引脚。
开机选择位， MSB 。
开机选择位， LSB 。
电源引脚。
接地连接。
接地连接。
负电源电压或接地
连接（注3）
并行/串行模式选择。
RF端口（注1） 。
衰减控制位，8个分贝。
衰减控制位，4分贝。
衰减控制位，2个分贝。
接地连接。
衰减控制位，1分贝。
衰减控制位，0.5分贝。
地正确操作
数字输入高
数字输入低电平
数字输入泄漏
0.7xV
DD
0.3xV
DD
1
V
A
裸露焊盘连接
上的底部裸露的焊盘
包装必须接地以正确的设备
操作。
静电放电（ ESD ）注意事项
在处理这个的UltraCMOS 器件，观察
你将与使用相同的注意事项
其他ESD敏感设备。虽然这个设备
包含电路，以保护其免受损坏，由于
ESD ，应采取预防措施，以避免
超过表3规定的费率。
闭锁避免
与传统的CMOS器件，的UltraCMOS
设备是免疫的闩锁。
开关频率
在PE4302具有最大25kHz的开关
率。
电阻上的引脚1 & 3
在输入一个10 kΩ的电阻到引脚1 & 3 （见
图16 ），将消除共振包
之间的射频输入引脚和两个数字
输入。指定的衰减与错误
频性能取决于此
条件。
2005 Peregrine半导体公司保留所有权利。
第11个5
注1 ：这两个射频端口必须在0 V举行
DC
或DC阻断与
外部串联电容。
2 ：锁存使能（ LE ）内部有一个100 kΩ电阻到V
DD.
3 ：连接引脚12至GND ，使内部负电压
发电机。连接引脚12至V
SS
（ -VDD ）绕过和
禁用内部负电压发生器。
4.将一个10 kΩ的电阻串联，尽量靠近引脚放置
避免频共振。
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产品speci fi cation
PE4302
产品说明
该PE4302是一款高线性度， 6位RF数字步进衰减器
“ DSA ”占地0.5 dB步进31.5 dB的衰减范围。
这50欧姆RF DSA提供了并行和串行CMOS
控制界面运行在一个单一的3伏电源和
在频率保持高衰减精度和
温度。它也有一个独特的控制接口，它允许
用户可以选择在开机后的初始衰减状态。该
PE4302表现出非常低的插入损耗和低功耗
消费。此功能递送至的4x4mm的QFN
足迹。
该PE4302是Peregrine公司的专利制造的超
薄硅（ UTSI ） CMOS工艺，提供性能
砷化镓随着经济一体化和传统的
CMOS 。
50
射频数字衰减器
6位31.5分贝， DC - 4.0 GHz的
特点
衰减：0.5 dB步长，以31.5分贝
灵活的并行和串行编程
接口
独特的开机状态选择
正CMOS控制逻辑
高衰减精度和线性
在整个温度范围和频率
非常低的功耗
单电源供电
50
阻抗
封装在一个20引脚的4x4mm QFN
图1.功能示意图
切换衰减器阵列
RF输入
RF输出
图2.封装类型
采用4x4mm -20引脚QFN
并行控制
串行控制
电控制
6
3
控制逻辑接口
2
表1.电气规格@ + 25 ° C，V
DD
= 3.0 V
参数
工作频率
插入损耗
2
衰减精度
1 dB压缩
3
输入IP3
1,2
回波损耗
开关速度
50％的控制0.5分贝
终值
两个音频输入
+18 dBm的
任何位或位
组合
DC - 2.2 GHz的
DC
≤
1.0 GHz的
1.0 < 2.2 GHz的
1兆赫 - 2.2 GHz的
1兆赫 - 2.2 GHz的
DC - 2.2 GHz的
测试条件
频率
最低
DC
-
-
30
-
15
-
典型
最大
4000
单位
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
s
1.5
-
34
52
20
-
1.75
±（安泰信设置0.10 + 3 ％ ）
±（安泰信设置0.15 + 5 ％ ）
-
-
-
1
注：1.线性器件将开始降低低于1MHz
2.见最大额定输入表2 &数字在页面上2 4跨频率数据。
3.注意绝对最大见表3 。
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PE4302
产品speci fi cation
典型性能数据（ 25 ° C，V
DD
=3.0 V)
图3.插入损耗
图4.衰减的主要步骤
0
35
31.5dB
-1
30
25
插入损耗（dB ）
-40C
25C
-3
85C
归一化到插入损耗
衰减（dB ）
-2
20
16dB
15
2dB
10
8dB
4dB
1dB
0.5dB
-4
-5
5
0
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
0
-6
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
射频频率（ MHz）的
射频频率（ MHz）的
在主要图5.输入回波损耗
衰减步
0
在主要图6.输出回波损耗
衰减步
0
-10
-10
-20
S11（ dB）的
S22 （ dB）的
-20
-30
16dB
-30
31.5dB
-40
31.5dB
-40
-50
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
-50
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
射频频率（ MHz）的
射频频率（ MHz）的
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的UltraCMOS RFIC 解决方案
PE4302
产品speci fi cation
典型性能数据（ 25 ° C，V
DD
=3.0 V)
图7.衰减误差与频率
图8.衰减误差与衰减
环境
0.5
2
0
31.5 （ dB）的
0
错误的衰减（ dB）的
10Mhz
500Mhz
1000Mhz
-0.5
1500Mhz
2000Mhz
-1
-8
2200Mhz
错误的衰减（ dB）的
-2
-4
-6
-10
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
-1.5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
射频频率（ MHz）的
衰减设置（分贝）
图9.衰减误差与衰减
环境
0.6
图10.衰减误差与衰减
环境
0.4
0.4
0.2
0
为1000MHz ， -40℃
-0.2
为1000MHz ， 25C
了1500MHz ， -40℃
-0.6
10MHz时， 85℃
为1000MHz ， 85C
1490Mhz ， 25C
1490Mhz ， 85C
错误的衰减（ dB）的
0.2
为500MHz ， -40℃
0
10MHz时， 25℃
-0.2
为500MHz ， 25C
错误的衰减（ dB）的
10MHz时， -40℃
-0.4
-0.4
为500MHz ， 85C
-0.8
-1
-0.6
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
5
10
15
20
25
30
35
40
衰减设置（分贝）
衰减设置（分贝）
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产品speci fi cation
典型性能数据（ 25 ° C，V
DD
=3.0 V)
图11.衰减误差与频率
图12.输入IP3与频率的关系
0.5
2200MHz的， -40℃
60
55
50
2000MHZ ， -40℃
输入IP3 （ dBm的）
45
40
35
30
2000MHZ ， 85C
25
.5dB
2dB
8dB
31.5dB
0dB
1dB
4dB
16dB
0
错误的衰减（ dB）的
-0.5
2200MHZ ， 25C
2000MHZ ， 25C
2200MHZ ， 85C
-1
-1.5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
20
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
衰减设置（分贝）
射频频率（ MHz）的
图13.输入1 dB压缩
40
35
1dB压缩（ DBM）
30
25
20
0dB
15
0.5dB
10
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
2dB
8dB
31.5dB
1dB
4dB
16dB
射频频率（ MHz）的
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PE4302
产品speci fi cation
图14.引脚配置（顶视图）
GND
C0.5
C1
C2
C4
表3.绝对最大额定值
符号
V
DD
V
I
参数/条件
电源电压
在任何输入电压
存储温度范围
工作温度
范围
输入功率（ 50Ω ）
静电放电电压（人体
模型）
民
-0.3
-0.3
-65
-40
最大
4.0
V
DD
+
0.3
150
85
24
500
单位
V
V
°C
°C
DBM
V
20
19
18
17
16
C16
RF1
数据
时钟
LE
1
2
3
4
5
10
15
C8
RF2
P / S
VSS / GND
GND
T
ST
T
OP
P
IN
V
ESD
20引脚QFN
4x4mm
裸露焊盘
14
13
12
11
6
7
8
9
表4.直流电特定网络阳离子
参数
V
DD
电源
电压
I
DD
电源
当前
PUP1
PUP2
V
DD
V
DD
GND
民
2.7
典型值
3.0
最大
3.3
100
单位
V
A
V
表2.引脚说明
针
号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
桨
针
名字
C16
RF1
数据
时钟
LE
V
DD
PUP1
PUP2
V
DD
GND
GND
V
ss
/ GND
P / S
RF2
C8
C4
C2
GND
C1
C0.5
GND
描述
衰减控制位， 16分贝（注4 ） 。
RF端口（注1） 。
串行接口数据输入（注4 ） 。
串行接口的时钟输入。
锁存使能输入（注2 ） 。
电源引脚。
开机选择位， MSB 。
开机选择位， LSB 。
电源引脚。
接地连接。
接地连接。
负电源电压或接地
连接（注3）
并行/串行模式选择。
RF端口（注1） 。
衰减控制位，8个分贝。
衰减控制位，4分贝。
衰减控制位，2个分贝。
接地连接。
衰减控制位，1分贝。
衰减控制位，0.5分贝。
地正确操作
数字输入高
数字输入低电平
数字输入泄漏
0.7xV
DD
0.3xV
DD
1
V
A
裸露焊盘连接
上的底部裸露的焊盘
包装必须接地以正确的设备
操作。
静电放电（ ESD ）注意事项
在处理这个的UltraCMOS 器件，观察
你将与使用相同的注意事项
其他ESD敏感设备。虽然这个设备
包含电路，以保护其免受损坏，由于
ESD ，应采取预防措施，以避免
超过表3规定的费率。
闭锁避免
与传统的CMOS器件，的UltraCMOS
设备是免疫的闩锁。
开关频率
在PE4302具有最大25kHz的开关
率。
电阻上的引脚1 & 3
在输入一个10 kΩ的电阻到引脚1 & 3 （见
图16 ），将消除共振包
之间的射频输入引脚和两个数字
输入。指定的衰减与错误
频性能取决于此
条件。
2005 Peregrine半导体公司保留所有权利。
第11个5
注1 ：这两个射频端口必须在0 V举行
DC
或DC阻断与
外部串联电容。
2 ：锁存使能（ LE ）内部有一个100 kΩ电阻到V
DD.
3 ：连接引脚12至GND ，使内部负电压
发电机。连接引脚12至V
SS
（ -VDD ）绕过和
禁用内部负电压发生器。
4.将一个10 kΩ的电阻串联，尽量靠近引脚放置
避免频共振。
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产品speci fi cation
PE4302
产品说明
该PE4302是一款高线性度， 6位RF数字步进衰减器
“ DSA ”占地0.5 dB步进31.5 dB的衰减范围。
这50欧姆RF DSA提供了并行和串行CMOS
控制界面运行在一个单一的3伏电源和
在频率保持高衰减精度和
温度。它也有一个独特的控制接口，它允许
用户可以选择在开机后的初始衰减状态。该
PE4302表现出非常低的插入损耗和低功耗
消费。此功能递送至的4x4mm的QFN
足迹。
该PE4302是Peregrine公司的专利制造的超
薄硅（ UTSI ） CMOS工艺，提供性能
砷化镓随着经济一体化和传统的
CMOS 。
50
射频数字衰减器
6位31.5分贝， DC - 4.0 GHz的
特点
衰减：0.5 dB步长，以31.5分贝
灵活的并行和串行编程
接口
独特的开机状态选择
正CMOS控制逻辑
高衰减精度和线性
在整个温度范围和频率
非常低的功耗
单电源供电
50
阻抗
封装在一个20引脚的4x4mm QFN
图1.功能示意图
切换衰减器阵列
RF输入
RF输出
图2.封装类型
采用4x4mm -20引脚QFN
并行控制
串行控制
电控制
6
3
控制逻辑接口
2
表1.电气规格@ + 25 ° C，V
DD
= 3.0 V
参数
工作频率
插入损耗
2
衰减精度
1 dB压缩
3
输入IP3
1,2
回波损耗
开关速度
50％的控制0.5分贝
终值
两个音频输入
+18 dBm的
任何位或位
组合
DC - 2.2 GHz的
DC
≤
1.0 GHz的
1.0 < 2.2 GHz的
1兆赫 - 2.2 GHz的
1兆赫 - 2.2 GHz的
DC - 2.2 GHz的
测试条件
频率
最低
DC
-
-
30
-
15
-
典型
最大
4000
单位
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
s
1.5
-
34
52
20
-
1.75
±（安泰信设置0.10 + 3 ％ ）
±（安泰信设置0.15 + 5 ％ ）
-
-
-
1
注：1.线性器件将开始降低低于1MHz
2.见最大额定输入表2 &数字在页面上2 4跨频率数据。
3.注意绝对最大见表3 。
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分页： 11 1
PE4302
产品speci fi cation
典型性能数据（ 25 ° C，V
DD
=3.0 V)
图3.插入损耗
图4.衰减的主要步骤
0
35
31.5dB
-1
30
25
插入损耗（dB ）
-40C
25C
-3
85C
归一化到插入损耗
衰减（dB ）
-2
20
16dB
15
2dB
10
8dB
4dB
1dB
0.5dB
-4
-5
5
0
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
0
-6
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
射频频率（ MHz）的
射频频率（ MHz）的
在主要图5.输入回波损耗
衰减步
0
在主要图6.输出回波损耗
衰减步
0
-10
-10
-20
S11（ dB）的
S22 （ dB）的
-20
-30
16dB
-30
31.5dB
-40
31.5dB
-40
-50
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
-50
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
射频频率（ MHz）的
射频频率（ MHz）的
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第11 2
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│
的UltraCMOS RFIC 解决方案
PE4302
产品speci fi cation
典型性能数据（ 25 ° C，V
DD
=3.0 V)
图7.衰减误差与频率
图8.衰减误差与衰减
环境
0.5
2
0
31.5 （ dB）的
0
错误的衰减（ dB）的
10Mhz
500Mhz
1000Mhz
-0.5
1500Mhz
2000Mhz
-1
-8
2200Mhz
错误的衰减（ dB）的
-2
-4
-6
-10
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
-1.5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
射频频率（ MHz）的
衰减设置（分贝）
图9.衰减误差与衰减
环境
0.6
图10.衰减误差与衰减
环境
0.4
0.4
0.2
0
为1000MHz ， -40℃
-0.2
为1000MHz ， 25C
了1500MHz ， -40℃
-0.6
10MHz时， 85℃
为1000MHz ， 85C
1490Mhz ， 25C
1490Mhz ， 85C
错误的衰减（ dB）的
0.2
为500MHz ， -40℃
0
10MHz时， 25℃
-0.2
为500MHz ， 25C
错误的衰减（ dB）的
10MHz时， -40℃
-0.4
-0.4
为500MHz ， 85C
-0.8
-1
-0.6
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
5
10
15
20
25
30
35
40
衰减设置（分贝）
衰减设置（分贝）
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第11 3
PE4302
产品speci fi cation
典型性能数据（ 25 ° C，V
DD
=3.0 V)
图11.衰减误差与频率
图12.输入IP3与频率的关系
0.5
2200MHz的， -40℃
60
55
50
2000MHZ ， -40℃
输入IP3 （ dBm的）
45
40
35
30
2000MHZ ， 85C
25
.5dB
2dB
8dB
31.5dB
0dB
1dB
4dB
16dB
0
错误的衰减（ dB）的
-0.5
2200MHZ ， 25C
2000MHZ ， 25C
2200MHZ ， 85C
-1
-1.5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
20
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
衰减设置（分贝）
射频频率（ MHz）的
图13.输入1 dB压缩
40
35
1dB压缩（ DBM）
30
25
20
0dB
15
0.5dB
10
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
2dB
8dB
31.5dB
1dB
4dB
16dB
射频频率（ MHz）的
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第11 4
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的UltraCMOS RFIC 解决方案
PE4302
产品speci fi cation
图14.引脚配置（顶视图）
GND
C0.5
C1
C2
C4
表3.绝对最大额定值
符号
V
DD
V
I
参数/条件
电源电压
在任何输入电压
存储温度范围
工作温度
范围
输入功率（ 50Ω ）
静电放电电压（人体
模型）
民
-0.3
-0.3
-65
-40
最大
4.0
V
DD
+
0.3
150
85
24
500
单位
V
V
°C
°C
DBM
V
20
19
18
17
16
C16
RF1
数据
时钟
LE
1
2
3
4
5
10
15
C8
RF2
P / S
VSS / GND
GND
T
ST
T
OP
P
IN
V
ESD
20引脚QFN
4x4mm
裸露焊盘
14
13
12
11
6
7
8
9
表4.直流电特定网络阳离子
参数
V
DD
电源
电压
I
DD
电源
当前
PUP1
PUP2
V
DD
V
DD
GND
民
2.7
典型值
3.0
最大
3.3
100
单位
V
A
V
表2.引脚说明
针
号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
桨
针
名字
C16
RF1
数据
时钟
LE
V
DD
PUP1
PUP2
V
DD
GND
GND
V
ss
/ GND
P / S
RF2
C8
C4
C2
GND
C1
C0.5
GND
描述
衰减控制位， 16分贝（注4 ） 。
RF端口（注1） 。
串行接口数据输入（注4 ） 。
串行接口的时钟输入。
锁存使能输入（注2 ） 。
电源引脚。
开机选择位， MSB 。
开机选择位， LSB 。
电源引脚。
接地连接。
接地连接。
负电源电压或接地
连接（注3）
并行/串行模式选择。
RF端口（注1） 。
衰减控制位，8个分贝。
衰减控制位，4分贝。
衰减控制位，2个分贝。
接地连接。
衰减控制位，1分贝。
衰减控制位，0.5分贝。
地正确操作
数字输入高
数字输入低电平
数字输入泄漏
0.7xV
DD
0.3xV
DD
1
V
A
裸露焊盘连接
上的底部裸露的焊盘
包装必须接地以正确的设备
操作。
静电放电（ ESD ）注意事项
在处理这个的UltraCMOS 器件，观察
你将与使用相同的注意事项
其他ESD敏感设备。虽然这个设备
包含电路，以保护其免受损坏，由于
ESD ，应采取预防措施，以避免
超过表3规定的费率。
闭锁避免
与传统的CMOS器件，的UltraCMOS
设备是免疫的闩锁。
开关频率
在PE4302具有最大25kHz的开关
率。
电阻上的引脚1 & 3
在输入一个10 kΩ的电阻到引脚1 & 3 （见
图16 ），将消除共振包
之间的射频输入引脚和两个数字
输入。指定的衰减与错误
频性能取决于此
条件。
2005 Peregrine半导体公司保留所有权利。
第11个5
注1 ：这两个射频端口必须在0 V举行
DC
或DC阻断与
外部串联电容。
2 ：锁存使能（ LE ）内部有一个100 kΩ电阻到V
DD.
3 ：连接引脚12至GND ，使内部负电压
发电机。连接引脚12至V
SS
（ -VDD ）绕过和
禁用内部负电压发生器。
4.将一个10 kΩ的电阻串联，尽量靠近引脚放置
避免频共振。
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