产品speci fi cation
PE42850
产品说明
该PE42850是竖琴技术的增强SP5T
高功率射频开关支持无线应用起来
到1 GHz 。它提供42.5 dBm的最大承受功率
连续波（CW） 。它提供了高线性度和
出色的谐波性能。它有一个标准
和衰减RX模式。没隔直电容的
如果直流电压不存在于所述RF端口的需要。
该PE42850是在百富勤的制造
的UltraCMOS
过程中，一个专利的变体硅导通
绝缘体（SOI）技术，在蓝宝石衬底上，
提供与经济的GaAs的性能，
整合传统的CMOS 。
图1.封装类型
32引脚5×5毫米QFN
的UltraCMOS
SP5T RF开关
30 - 1000兆赫
特点
双模式操作： SP5T或SP3T
竖琴技术增强
快速建立时间
没有门和相位滞后
在插入损耗和相位无漂移
高达45 dBm的瞬时功率
在50Ω
高达40 dBm的瞬时功率
< 8 ： 1的VSWR
36分贝TX到RX隔离
2f的低次谐波
o
和3F
o
= -90 dBc的
（ 1.15 ： 1 VSWR）
ESD性能
1.5KV HBM上的所有引脚
SP3T图2.功能框图
CON组fi guration
SP5T图3.功能框图
CON组fi guration
ANT可绑TX1和TX2或TX3和TX4
SP5T ，标准配置
DOC-02178
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PE42850
产品speci fi cation
表1.电气规格@ -40 + 85°C ，V
DD
= 2.3 5.5V ， Vss的
EXT
= 0V或V
DD
= 3.4至5.5V ，
VSS
EXT
= -3.4V
(Z
S
= Z
L
= 50Ω ），除非另有说明
1
参数
工作频率
主动TX端口1 ， 2 ， 3或4 @额定功率（ -40 ° C， + 25 ° C）
30-520兆赫
520-1000兆赫
活性TX端口1 ，2，3或4 @额定功率（ + 85 ℃）的
30-520兆赫
520-1000兆赫
活跃的RX端口（ -40°C ， + 25 ° C）
30-520兆赫
520-1000兆赫
ANT -RX
活跃的RX端口（ + 85°C ）
30-520兆赫
520-1000兆赫
1575兆赫的GPS接收， < -10 dBm时， + 25°C
插入损耗
2
（衰减状态）
隔离（电源偏置）
隔离（电源偏置）
无偏隔离
V
DD
, V1, V2, V3 = 0V
无偏隔离
V
DD
, V1, V2, V3 = 0V
ANT -RX
德克萨斯州 - 德克萨斯州
TX - RX
ANT - 德克萨斯州
ANT - RX
活跃的RX端口
30-1000兆赫
30-520兆赫
520-1000兆赫
30-520兆赫
520-1000兆赫
+27 dBm的
+27 dBm的
未衰减状态
30-520兆赫
520-1000兆赫
回波损耗
2
ANT -RX
未衰减的状态， 1575兆赫的GPS接收， < -10 dBm时， + 25°C
衰减状态，而不衰减器优化经营
30-520兆赫
520-1000兆赫
回波损耗
2
第二和第三谐波
（ < 1.15 ： 1 VSWR）
第二和第三谐波
（ < 8 ： 1 VSWR）
第二和第三谐波
（ 50Ω源/负载阻抗）
第二和第三谐波
（ 50Ω源/负载阻抗）
输入0.1分贝压缩点
4
IIP3
建立时间
开关时间
ANT -TX
TX
30-520兆赫
520-1000兆赫
30-520兆赫@ 40.0 dBm的
521-870兆赫@ 38.5 dBm的
871-1000兆赫@ 37.5 dBm的
30-520兆赫@ 40.0 dBm的（脉冲信号，以10 ％的占空比
3
)
521-870兆赫@ 38.5 dBm的（脉冲信号，以10 ％的占空比
3
)
871-1000兆赫@ 37.5 dBm的（脉冲信号，以10 ％的占空比
3
)
30-1000兆赫@ 45.0 dBm的（脉冲信号，以10 ％的占空比
3
)
30-1000兆赫@ 42.5 dBm的（ CW）
1000兆赫
未衰减状态
衰减状态
从50％到控制在规定范围内的谐波
50％ CTRL ％至90％或10％的射频
42
33
30
15
70
15.2
33
29
34
29
6
14
22
18
10
16
13
21
15
27
22
14
21
18
28
17
-90
-81
路径
条件
民
30
0.25
0.35
0.30
0.45
0.50
0.65
0.60
0.70
1
16
36
30
36
30
典型值
最大
1000
0.30
0.45
0.35
0.55
0.60
0.80
0.70
0.85
1.2
16.8
单位
兆赫
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dBc的
插入损耗
2
ANT -TX
插入损耗
2
（未衰减状态）
TX
TX
TX
ANT -TX
RX
-82
-80
-84
45.5
-74
-71
-75
dBc的
dBc的
dBc的
DBM
DBM
DBM
s
s
注意事项： 1.在2TX- 1RX SP3T配置， TX1和TX2被捆绑和TX3和TX4分别绑。请参考应用笔记AN35的SP3T性能数据
2.窄线宽均采用附近的每个端口，以提高阻抗匹配。请参考评估板布局（图
23)
和原理图（图
24)
详细信息
4620微秒周期3. 10 ％
4.输入0.1分贝压缩点是值得的线性图。请参阅
表3
对于RF输入功率P
IN
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的UltraCMOS
RFIC解决方案
PE42850
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图4.引脚配置（顶视图）
1
32
GND
31
GND
30
GND
29
GND
27
GND
26
GND
25
GND
28
蚂蚁
表3.工作范围
1
参数
电源电压（正常
模式中，VSS
EXT
= 0V)
电源电压（旁路
模式中，VSS
EXT
= -3.4V,
V
DD
≥
3.4V全面规范。
合规性）
负电源电压
（旁路模式）
电源电流（正常
模式中，VSS
EXT
= 0V)
电源电流（旁路
模式中，VSS
EXT
= -3.4V)
负电源电流
（旁路模式时，VSS
EXT
=
-3.4V)
符号
V
DD
民
2.3
典型值
最大
5.5
单位
V
V
DD
2.7
3.4
5.5
V
VSS
EXT
I
DD
I
DD
I
SS
V
IH
V
IL
P
IN- TX
P
IN- TX
-3.6
130
50
-40
-16
-3.2
200
80
V
A
A
A
10
11
12
13
14
15
16
9
GND
GND
GND
VSS
EXT
V3
V2
V
DD
V1
数字输入高
(V1, V2, V3)
数字输入低电平
(V1, V2, V3)
TX RF输入功率
2,3
（ VSWR
≤
8:1)
TX RF输入功率
2,3
（ 50Ω源/负载
阻抗）
TX RF输入功率
2
（ 50Ω源/负载
阻抗， CW ）
ANT RF输入功率，
偏见（ VSWR
≤
8:1)
RX RF输入功率
2
（ VSWR
≤
8:1)
工作温度
范围（案例）
工作结
温度
1.17
-0.3
3.6
0.6
40
V
V
DBM
注1 ：引脚1 ， 3 ， 5 ， 7 ， 9 ， 10 ， 17 ， 19 ， 20 ， 22 ， 24 ， 26 ， 27 ， 29 ， 30和31可
N / C ，如果认为有必要，客户
表2.引脚说明
针＃
1, 3, 5-7, 9-
11, 17-20,
22, 24-27,
29-32
2
4
8
12
13
14
15
16
21
23
28
PAD
注意事项：
引脚名称
描述
45
DBM
GND
TX1
2
TX2
1,2
RX
2
地
P
IN- TX
P
IN- ANT
P
IN- RX
T
OP
T
j
-40
42.5
DBM
发送引脚1
发送引脚2
接收引脚
电源电压（标称值为3.3V ）
数字控制逻辑输入3
数字控制逻辑输入2
数字控制逻辑输入1
外部VSS负电压控制
发送引脚3
发送引脚4
天线引脚
裸露焊盘：地面正常运行
27
27
85
135
DBM
DBM
°C
°C
V
DD
V3
V2
V1
VSS
EXT3
TX3
2
TX4
1,2
蚂蚁
2
GND
注意事项： 1.在2TX- 1RX SP3T配置， TX1和TX2被捆绑和TX3
和TX4分别绑。请参考应用笔记AN35的
SP3T性能数据
2.提供偏置
的4620微秒周期3脉冲， 10 ％占空比
1.要操作的一部分作为2TX- 1RX SP3T ，配合TX1为TX2和TX3
到TX4分别。请参考应用笔记AN35的SP3T
性能数据
2. RF引脚2 ， 4 ， 8 ， 21 ， 23和28必须在0V DC 。 RF引脚办
不要求正确操作隔直电容，如果0V DC
要求得到满足
3.使用VSS
EXT
（引脚16和VSS
EXT
= -V
DD
），以绕过和禁用内部
负电压发生器。在VSS
EXT
（引脚16 ）和GND （VSS
EXT
=
0V ），以使内部负电压发生器
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表4.绝对最大额定值
参数/条件
电源电压
数字输入电压
(V1, V2, V3)
TX RF输入功率
1
(50
源/负载阻抗）
TX RF输入功率
1
（ VSWR
≤
8:1)
ANT RF输入功率，公正的
（ VSWR
≤
8:1)
RX RF输入功率
1
（ VSWR
≤
8:1)
存储温度范围
最大外壳温度
最大峰值结
温度
（最长10秒）
ESD HBM电压
2
所有的管脚
ESD电压MM
3
所有的管脚
符号
V
DD
V
CTRL
P
IN- TX
P
IN- TX
P
IN- ANT
P
IN- RX
T
ST
T
例
T
j
V
ESD
V
ESD
-65
民
-0.3
-0.3
最大
5.5
3.6
45
40
27
27
150
85
200
1500
200
单位
V
V
DBM
DBM
DBM
DBM
°C
°C
开关频率
该PE42850具有最大10 kHz的开关
率时，内部负电压发生器
被使用（销16 = GND）。的速率的
PE42850可以切换为仅限定于
切换时间（表
1)
如果一个外部负
电源提供（引脚16 = VSS
EXT
).
开关频率描述的持续时间
切换事件之间。开关时间是
点的控制信号之间的持续时间
达到最终的值和点的50％
内的10％或90％的输出信号达到其
目标值。
可选的外部滑模变结构控制（VSS
EXT
)
°C
V
V
注：1。供应偏
2.人体模型（ MIL - STD 883方法3015 ）
3.机器模型（ JEDEC JESD22- A115 ）
超过绝对最大额定值可能会导致
永久性损坏。操作应
仅限于限制在工作范围
表。工作范围的操作
最高和绝对最大的扩展
期间可能会降低可靠性。
静电放电（ ESD ）注意事项
在处理这个的UltraCMOS
设备，观察
你将与使用相同的注意事项
其他ESD敏感设备。虽然这个设备
包含电路，以保护其免受损坏，由于
ESD ，应采取预防措施，以避免
超过规定的额定值。
闭锁避免
与传统的CMOS器件，而UltraCMOS
设备是免疫的闩锁。
湿度敏感度等级
对湿度敏感等级评级
5×5毫米QFN封装是MSL3 。
对于正确的操作，在VSS
EXT
控制引脚必须
接地或连接到在指定的Vss的电压
表3中。
当在VSS
EXT
控制引脚接地，
在场效应晶体管开关被偏置与内部
电压发生器。对于需要的应用
尽可能低的杂散性能时，VSS
EXT
可以
外涂绕过内部负
电压发生器。
杂散性能
该PE42850的典型杂散性能
是时-130 dBm的Vss的
EXT
= 0V （引脚16 = GND）。如果
进一步的改进是所希望的，内部
负电压发生器可以由被禁用
Vss的设置
EXT
= -3.4V.
表5.真值表
路径
ANT - RX衰减
蚂蚁 - 的Tx1
蚂蚁 - Tx2的
ANT - TX1和TX2
1
ANT - RX
ANT - TX3
ANT - TX4
ANT - TX3和TX4
1
V3
L
L
L
L
H
H
H
H
V2
L
L
H
H
L
L
H
H
V1
L
H
L
H
L
H
L
H
注1 ：在2TX- 1RX SP3T配置， TX1和TX2被捆绑和TX3和
TX4分别绑。请参考应用笔记AN35的SP3T
性能数据
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PE42850
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典型性能数据@ 25 ° C和V
DD
= 3.4V ，除非另有说明
图5.插入损耗与温度（TX ）
图6.插入损耗与V
DD
（德克萨斯州）
图7.插入损耗与温度
（ RX ，联合国衰减）
图8.插入损耗与V
DD
（ RX ，联合国衰减）
图9.插入损耗与温度
（ RX ，减毒）
图10.插入损耗与V
DD
（ RX ，减毒）
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