产品speci fi cation
PE4273
产品说明
该PE4273射频开关是专为电视调谐器， PCTV ，设置
顶盒，数字电视，录像机和一般宽带应用。这
器件提供业界领先的宽带线性度， 1.5 kV的ESD
宽容和简单的CMOS接口。它提供了一个简单的
替代的解决方案，以针二极管和机械继电器开关。
该PE4273 SPDT宽带射频开关制造上
百富勤公司的UltraCMOS 过程中，专利的变化
硅绝缘体（ SOI）技术在蓝宝石衬底上，
提供与经济的GaAs的性能，
整合传统的CMOS 。
SPDT宽带的UltraCMOS
DC - 3 GHz的RF开关
特点
单针或互补CMOS逻辑
控制输入
1.5 kV的高ESD耐受性
低插入损耗： 0.50分贝在1000兆赫，
0.65分贝在2000兆赫
34.5 dB的隔离在1000 MHz的25分贝
2000兆赫
典型输入1 dB压缩点
+32 dBm的
图1.功能框图
RFC
超小型SC- 70封装
图2.封装类型
6引脚SC- 70
RF2
RF1
CMOS
控制
司机
V1
V2
表1.电气规格@ 25 ° C，V
DD
= 3 V
(Z
S
= Z
L
= 75
)
参数
工作频率
1
插入损耗
隔离（ RFC - RF1 / RF2 ）
隔离（ RF1 - RF2 ）
回波损耗
“ON”切换时间
3
“OFF”开关时间
3
视频馈通
2,3
输入1 dB压缩
3
输入IP3
3
注意事项：
1000兆赫
1000兆赫， 19 dBm的输入功率
30
DC - 3000
1000兆赫
2000兆赫
1000兆赫
2000兆赫
1000兆赫
2000兆赫
1000兆赫
2000兆赫
50％的CTRL键的终值0.1分贝， 1 GHz的
50 ％ CTRL 25 dB的隔离， 1 GHz的
32.5
23
38.5
26
条件
民
DC
典型
最大
3000
单位
兆赫
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
0.50
0.65
34.5
25
40.5
28
18.5
14
0.725
0.625
<2
32
53
0.60
0.75
1.5
1.3
s
s
mV
pp
DBM
DBM
1.设备的线性度会开始降低10 MHz以下。
2.衡量一个1纳秒的上升时间， 0/3 V脉冲和500 MHz的带宽。
3.测量在50
系统。
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PE4273
产品speci fi cation
图3.引脚CON组fi guration （顶视图）
销1
表4.直流电特定网络阳离子
参数
民
2.7
典型值
3.0
8
最大
3.3
50
单位
V
A
V
RF1
GND
RF2
1
6
V2
RFC
V1
V
DD
电源
电压
I
DD
电源电流
(V1 = 3V, V2= 3V)
控制电压高
控制电压低
273
2
5
3
4
0.7倍V
DD
0.3X V
DD
V
表2.引脚说明
针
号
1
2
闭锁避免
描述
针
名字
RF1
GND
RF端口1
4
与传统的CMOS器件，的UltraCMOS
设备是免疫的闩锁。
静电放电（ ESD ）注意事项
在处理这个的UltraCMOS 器件，观察
你将与使用相同的注意事项
其他ESD敏感设备。虽然这个设备
包含电路，以保护其免受损坏，由于
ESD ，应采取预防措施，以避免
超过表3规定的额定值。
接地连接。走线应
实际上较短的和连接到地
飞机的最佳性能。
RF PORT2
4
切换控制输入端， CMOS逻辑电平。
射频共
4
该引脚支持两种接口选择：
单引脚控制模式。
标称3伏
需要电源连接。
互补引脚控制模式。
A
CMOS互补的控制信号
以V1提供给该引脚。
3
4
5
6
RF2
V1
RFC
V2
图4.最大工作输入功率
5
注： 4.所有RF引脚必须DC封锁与外部串联
电容或0 VDC举行。
表3.绝对最大额定值
符号
V
DD
V
I
T
ST
T
OP
P
IN
参数/条件
电源电压
在任何输入电压
储存温度
范围
工作温度
范围
输入功率（ 50Ω ）
电压ESD （HBM ，
ML_STD 883方法
3015.7)
ESD电压（ MM ，
JEDEC ， JESD22 - A114 -B ）
民
-0.3
-0.3
-65
-40
最大
4.0
V
DD
+
0.3
150
85
+34
1500
100
单位
V
V
°C
°C
DBM
V
V
注意： 5内的DC范围（表4 ）操作。
V
ESD
绝对最大额定值是那些价值
在上表中列出。超过这些值
可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应被限制到
在直流电气规格表的限制。
置身于绝对最大额定值
长时间可能会影响器件的可靠性。
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表5.单引脚控制逻辑真值表
控制电压
引脚6 （ V2） = V
DD
引脚4 （ V1 ） =高
引脚6 （ V2） = V
DD
引脚4 （ V1 ） =低
控制逻辑输入
该PE4273是一款多功能射频CMOS开关
支持两种操作控制模式;单针
控制模式和互补引脚控制
模式。
单引脚控制模式
使开关
与单一控制引脚操作（引脚4 ）支持
一个+3伏的CMOS逻辑输入，并需要
专用+ 3伏的电源连接（引脚6 ） 。
这种操作模式可降低数
所需的控制线，并简化了开关
控制接口通常来自于一个CMOS
μprocessor
I / O端口。
互补引脚控制模式
允许
开关采用互补控制操作
销V1和V2 （引脚4 & 6） ，其可直接
由+3伏CMOS逻辑或合适的驱动
μprocessor
I / O端口。这使得PE4273到
操作在内部的正控制电压模式
PE4273经营的限制。
信道
RFC到RF1
RFC到RF2
表6.互补引脚控制逻辑
真值表
控制电压
引脚6 （ V2） =低
引脚4 （ V1 ） =高
引脚6 （ V2） =高
引脚4 （ V1 ） =低
信道
RFC到RF1
RFC到RF2
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评估套件
SPDT开关评估板是
旨在减轻客户评价
PE4273单刀双掷开关。射频常见的端口
通过75连接
传输线的
底部F接头， J2 。端口1和端口2顷
经过75连
输电线路两架F
连接器在电路板上， J3和J1的两侧。一
通过传输线连接F连接J4
和J5 。该传输线可以被用来
估计PCB的损失超过环境
条件进行评估。
该板构成的两个金属层的FR4
材料具有0.031的总厚度“ 。底部
层提供接地的RF传输线。
传输线是用一个专
共面波导与地平面模型使用
迹宽度为0.021 “ ，追查0.030的差距” ，
电介质的厚度为0.028 “时，铜的厚度
0.0021 “和
ε
r
4.3 。
J6和J7提供一种装置，用于控制所述直流
输入到设备中。左下标题（ d 6）是
连接到设备V1的输入。右下
标题（ J7 ）被连接到所述设备V2的输入。
串联电阻（R1和R2 ）被提供，以减少
RF和DC线之间的包共振。
脚印的去耦电容（ 100 pF）的有
设置在V1和V2的痕迹。它是
对客户负责，以确定正确的
电源去耦为他们设计的应用程序。
从评价中除去这些组分
董事会还没有被证明会降低RF
性能。
图5.评估板布局
百富勤规格101/0245
图6.评估板电路图
百富勤规格102/0311
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典型性能数据
图7.隔离： RF1 - RF2 @ 25°C
图8.隔离： RF1 - RF2 @ 3.0 V
图9.隔离： RFC - RF1 / RF2 @ 25°C
图10.隔离： RFC - RF1 / RF2 @ 3.0 V
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