产品speci fi cation
PE42551
产品说明
该PE42551射频开关被设计为支持
试验设备和要求ATE市场。这
宽带通用开关保持出色的RF
从9 kHz至6000 MHz的性能和线性度。该
PE42551集成了一个驱动主板上的CMOS控制逻辑
单针，低压CMOS控制输入。它也有一个逻辑
选择引脚使改变的逻辑定义
控制引脚。其他功能还包括一个新的用户定义
逻辑表，由主板上的CMOS电路的使能。该
PE42551还具有出色的隔离的方法
21分贝在6000 MHz和提供小4x4x0.85毫米
QFN封装。
该PE42551是在百富勤的UltraCMOS制造
过程中，硅 - 绝缘体（ SOI）的一个专利的变异
技术在蓝宝石衬底上，将提供的性能
砷化镓随着经济一体化和传统的CMOS 。
SPDT的UltraCMOS
RF开关
在9 kHz - 6000 MHz的
特点
竖琴 - 技术 - 增强
消除栅极与相位滞后
无插入损耗，也没有相位漂移
快速建立时间
高线性度50 dBm的IIP3
低插入损耗： 0.65分贝在3000兆赫，
图1.功能框图
百富勤规格71-0065
0.90分贝在6000兆赫
高隔离29分贝3000兆赫，
在6000兆赫21分贝
高功率1 dB压缩点
+34 dBm的
ESD ： 500 V HBM
单针2.75V CMOS逻辑控制
逻辑选择引脚来改变定义
逻辑控制
反射式开关设计
20引脚4x4x0.85毫米QFN封装
图2.封装类型
20引脚4x4x0.85毫米QFN
表1.电气规格@ + 25 ° C，V
DD
= 2.75V
(Z
S
= Z
L
= 50
)
参数
工作频率
插入损耗
隔离 - RF1到RF2
回波损耗
RF1 ， RF2和RFC
开关时间
输入1 dB压缩
输入IP3
9千赫
3000兆赫
6000兆赫
3000兆赫
6000兆赫
3000兆赫
6000兆赫
50％的CTRL键0.1分贝终值
6000兆赫
6000兆赫
32
28
14
条件
民
9千赫
典型
0.55
0.65
0.90
29
21
18
14
7
34
+50
最大
6000
0.65
0.75
单位
兆赫
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
s
DBM
DBM
注：设备的线性度会开始降低10 MHz以下。
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第1页9
PE42551
产品speci fi cation
图3.引脚CON组fi guration （顶视图）
表3.绝对最大额定值
符号
V
DD
V
I
V
CTRL
V
LS
T
ST
T
OP
P
IN
V
ESD
参数/条件
电源电压
除了对任何输入电压
对于CTRL和LS输入
在CTRL输入电压
LS上的输入电压
存储温度范围
工作温度范围
输入功率50Ω ：
9千赫
≤
4兆赫
4兆赫
≤
6 GHz的
ESD HBM电压
1
民
-0.3
-0.3
最大
4.0
V
DD
+
0.3
4.0
4.0
单位
V
V
V
V
°C
°C
DBM
DBM
V
-65
-40
150
85
图。 4
31
500
注： 1。人体模型（ HBM ， MIL_STD 883方法3015.7 ）
表2.引脚说明
PIN号
13
1, 2, 4, 5,
6, 7, 9, 10,
11, 12, 14,
15, 19
3
16
8
17
引脚名称
RF2
RF2端口。
1
描述
GND
接地连接。走线应
实际上较短的和连接到所述
接地平面。该引脚连接到
裸露焊盘也必须
被焊接到接地平面，以取得最佳
性能。
RF1端口。
1
CMOS电平（见
表5）
用于交换机常见的RF端口
1
逻辑的选择 - 用于确定
定义为CTRL引脚（见
表5）
负电源。名义申请
-2.75V供应
2
标称2.75V电源连接
裸露地面桨
超过绝对最大额定值可能会导致
永久性损坏。操作应
仅限于限制在工作范围
表。工作范围的操作
最高和绝对最大的扩展
期间可能会降低可靠性。
静电放电（ ESD ）注意事项
在处理这个的UltraCMOS
设备，观察
你将与使用相同的注意事项
其他ESD敏感设备。虽然这个设备
包含电路，以保护其免受损坏，由于
ESD ，应采取预防措施，以避免
超过规定的额定值。
湿度敏感度等级
对湿度敏感等级评级
PE42551在20引线4x4x0.85毫米的QFN
包MSL1 。
闭锁避免
与传统的CMOS器件，而UltraCMOS
设备是免疫的闩锁。
RF1
CTRL
RFC
LS
18
20
桨
V
SS
V
DD
GND
注： 1.所有RF引脚必须在0 VDC举行或DC必须阻止与
外部串联电容
2.使用V
SS
（引脚13 ，V
SS
= -V
DD
），以绕过和禁用内部负
电压发生器。连接V
SS
（引脚13 ）和GND （V
SS
= 0V ），以使
内部负电压发生器。
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第2 9
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│
的UltraCMOS
RFIC解决方案
PE42551
产品speci fi cation
表4.操作规范
参数
V
DD
正电源。
电压
V
DD
负电源
电压
I
DD
电源电流
(V
DD
= 3V, V
CNTL
= 3V)
控制电压高
控制电压低
射频功率在50Ω ：
9千赫
≤
4兆赫
4兆赫
≤
6 GHz的
0.7xV
DD
0.3xV
DD
图。 4
31
表5.控制逻辑真值表
最大
3.0
-3.0
民
2.5
-2.5
典型值
2.75
-2.75
20
单位
V
V
μA
V
V
DBM
DBM
LS
0
0
1
1
CTRL
0
1
0
1
RFC-RF1
关闭
on
on
关闭
RFC-RF2
on
关闭
关闭
on
逻辑选择（ LS ）
逻辑选择功能可用于确定
定义为CTRL引脚。
开关频率
该PE42551具有最大25 kHz的开关
率时，内部负电压发生器
被使用。如果某个客户适用V
SS
外部（ -V
DD
）到引脚18 ，开关速率是
局限于的切换时间的倒数
表1中。
杂散性能
该PE42551的典型杂散性能
是时-116 dBm的V
SS
= 0V 。如果进一步提高
是期望的，内部负电压发生器
可以通过从外部施加负被禁用
电压至V
SS
针，使V
SS
= -V
DD
.
图4.承受功率与频率和Vdd
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PE42551
产品speci fi cation
评估套件
SPDT开关评估板是
旨在减轻客户评价
PE42551单刀双掷开关。射频常见的端口
通过50连接
传输线的J2 。
端口1和端口2通过50连
输电线路J1和J3 。 A到
传输线连接SMA连接器J4
和J5 。该传输线可以被用来
估计PCB的损失在
环境条件进行评估。
该板构成的两个金属层的
FR4材料的0.032总厚度“ 。该
输电线路采用一个设计
共面波导与地平面（ 28密耳
核心， 47.6万宽， 30万的差距） 。
良好的RF布局和谨慎地使用过孔是关键
用于获得指定的隔离性能
在此数据表中所示的装置。
J6提供了一种装置，用于控制直流和
数字输入到该设备。提供的跳线
短暂的封装引脚到地的逻辑低电平。
当跳线被删除，引脚上拉
到V
DD
为逻辑高电平。当跳线到位，
目前的3 μA流经1MΩ拉起
电阻器。这种额外的电流应不
由于该装置的要求。
图5.评估板布局
百富勤规格101-0151
图6.评估板电路图
百富勤规格102-0198
J6
头7X2
1
3
5
7
9
11
13
C1
DNI
R1
1M
R2
1M
1
3
5
7
9
11
13
2
4
6
8
10
12
14
2
4
6
8
10
12
14
20
19
18
17
16
VDD
GND
1
J1
SMASM
1
2
VSS / GND
C2
DNI
GND
GND
15
14
13
12
11
C3
DNI
C1
GND
GND
RF1
GND
GND
GND
GND
50 OHM T-线
C2
2
3
4
5
50 OHM T-线
1
J3
SMASM
U1
PE42551
RF2
GND
GND
GND
GND
6
7
8
RFC
9
J2
SMASM
1
2
50 OHM T-线
J4
SMASM
1
2
10
50 OHM T-线
1
J5
SMASM
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2
2
PE42551
产品speci fi cation
典型性能数据
图7.插入损耗： RFC - RF1 @ 25°C
图8.插入损耗： RFC - RF1 @ 2.75V
图9.插入损耗： RFC - RF2 @ 25°C
图10.插入损耗： RFC - RF2 @ 2.75V
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RFIC解决方案
产品speci fi cation
PE42551
产品说明
该PE42551射频开关被设计为支持
试验设备和要求ATE市场。这
宽带通用开关保持出色的RF
从9 kHz至6000 MHz的性能和线性度。该
PE42551集成了一个驱动主板上的CMOS控制逻辑
单针，低压CMOS控制输入。它也有一个逻辑
选择引脚使改变的逻辑定义
控制引脚。其他功能还包括一个新的用户定义
逻辑表，由主板上的CMOS电路的使能。该
PE42551还具有出色的隔离的方法
21分贝在6000 MHz和提供小4x4x0.85毫米
QFN封装。
该PE42551是在百富勤的UltraCMOS制造
过程中，硅 - 绝缘体（ SOI）的一个专利的变异
技术在蓝宝石衬底上，将提供的性能
砷化镓随着经济一体化和传统的CMOS 。
SPDT的UltraCMOS
RF开关
在9 kHz - 6000 MHz的
特点
竖琴 - 技术 - 增强
消除栅极与相位滞后
无插入损耗，也没有相位漂移
快速建立时间
高线性度50 dBm的IIP3
低插入损耗： 0.65分贝在3000兆赫，
图1.功能框图
百富勤规格71-0065
0.90分贝在6000兆赫
高隔离29分贝3000兆赫，
在6000兆赫21分贝
高功率1 dB压缩点
+34 dBm的
ESD ： 500 V HBM
单针2.75V CMOS逻辑控制
逻辑选择引脚来改变定义
逻辑控制
反射式开关设计
20引脚4x4x0.85毫米QFN封装
图2.封装类型
20引脚4x4x0.85毫米QFN
表1.电气规格@ + 25 ° C，V
DD
= 2.75V
(Z
S
= Z
L
= 50
)
参数
工作频率
插入损耗
隔离 - RF1到RF2
回波损耗
RF1 ， RF2和RFC
开关时间
输入1 dB压缩
输入IP3
9千赫
3000兆赫
6000兆赫
3000兆赫
6000兆赫
3000兆赫
6000兆赫
50％的CTRL键0.1分贝终值
6000兆赫
6000兆赫
32
28
14
条件
民
9千赫
典型
0.55
0.65
0.90
29
21
18
14
7
34
+50
最大
6000
0.65
0.75
单位
兆赫
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
s
DBM
DBM
注：设备的线性度会开始降低10 MHz以下。
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产品speci fi cation
图3.引脚CON组fi guration （顶视图）
表3.绝对最大额定值
符号
V
DD
V
I
V
CTRL
V
LS
T
ST
T
OP
P
IN
V
ESD
参数/条件
电源电压
除了对任何输入电压
对于CTRL和LS输入
在CTRL输入电压
LS上的输入电压
存储温度范围
工作温度范围
输入功率50Ω ：
9千赫
≤
4兆赫
4兆赫
≤
6 GHz的
ESD HBM电压
1
民
-0.3
-0.3
最大
4.0
V
DD
+
0.3
4.0
4.0
单位
V
V
V
V
°C
°C
DBM
DBM
V
-65
-40
150
85
图。 4
31
500
注： 1。人体模型（ HBM ， MIL_STD 883方法3015.7 ）
表2.引脚说明
PIN号
13
1, 2, 4, 5,
6, 7, 9, 10,
11, 12, 14,
15, 19
3
16
8
17
引脚名称
RF2
RF2端口。
1
描述
GND
接地连接。走线应
实际上较短的和连接到所述
接地平面。该引脚连接到
裸露焊盘也必须
被焊接到接地平面，以取得最佳
性能。
RF1端口。
1
CMOS电平（见
表5）
用于交换机常见的RF端口
1
逻辑的选择 - 用于确定
定义为CTRL引脚（见
表5）
负电源。名义申请
-2.75V供应
2
标称2.75V电源连接
裸露地面桨
超过绝对最大额定值可能会导致
永久性损坏。操作应
仅限于限制在工作范围
表。工作范围的操作
最高和绝对最大的扩展
期间可能会降低可靠性。
静电放电（ ESD ）注意事项
在处理这个的UltraCMOS
设备，观察
你将与使用相同的注意事项
其他ESD敏感设备。虽然这个设备
包含电路，以保护其免受损坏，由于
ESD ，应采取预防措施，以避免
超过规定的额定值。
湿度敏感度等级
对湿度敏感等级评级
PE42551在20引线4x4x0.85毫米的QFN
包MSL1 。
闭锁避免
与传统的CMOS器件，而UltraCMOS
设备是免疫的闩锁。
RF1
CTRL
RFC
LS
18
20
桨
V
SS
V
DD
GND
注： 1.所有RF引脚必须在0 VDC举行或DC必须阻止与
外部串联电容
2.使用V
SS
（引脚13 ，V
SS
= -V
DD
），以绕过和禁用内部负
电压发生器。连接V
SS
（引脚13 ）和GND （V
SS
= 0V ），以使
内部负电压发生器。
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的UltraCMOS
RFIC解决方案
PE42551
产品speci fi cation
表4.操作规范
参数
V
DD
正电源。
电压
V
DD
负电源
电压
I
DD
电源电流
(V
DD
= 3V, V
CNTL
= 3V)
控制电压高
控制电压低
射频功率在50Ω ：
9千赫
≤
4兆赫
4兆赫
≤
6 GHz的
0.7xV
DD
0.3xV
DD
图。 4
31
表5.控制逻辑真值表
最大
3.0
-3.0
民
2.5
-2.5
典型值
2.75
-2.75
20
单位
V
V
μA
V
V
DBM
DBM
LS
0
0
1
1
CTRL
0
1
0
1
RFC-RF1
关闭
on
on
关闭
RFC-RF2
on
关闭
关闭
on
逻辑选择（ LS ）
逻辑选择功能可用于确定
定义为CTRL引脚。
开关频率
该PE42551具有最大25 kHz的开关
率时，内部负电压发生器
被使用。如果某个客户适用V
SS
外部（ -V
DD
）到引脚18 ，开关速率是
局限于的切换时间的倒数
表1中。
杂散性能
该PE42551的典型杂散性能
是时-116 dBm的V
SS
= 0V 。如果进一步提高
是期望的，内部负电压发生器
可以通过从外部施加负被禁用
电压至V
SS
针，使V
SS
= -V
DD
.
图4.承受功率与频率和Vdd
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产品speci fi cation
评估套件
SPDT开关评估板是
旨在减轻客户评价
PE42551单刀双掷开关。射频常见的端口
通过50连接
传输线的J2 。
端口1和端口2通过50连
输电线路J1和J3 。 A到
传输线连接SMA连接器J4
和J5 。该传输线可以被用来
估计PCB的损失在
环境条件进行评估。
该板构成的两个金属层的
FR4材料的0.032总厚度“ 。该
输电线路采用一个设计
共面波导与地平面（ 28密耳
核心， 47.6万宽， 30万的差距） 。
良好的RF布局和谨慎地使用过孔是关键
用于获得指定的隔离性能
在此数据表中所示的装置。
J6提供了一种装置，用于控制直流和
数字输入到该设备。提供的跳线
短暂的封装引脚到地的逻辑低电平。
当跳线被删除，引脚上拉
到V
DD
为逻辑高电平。当跳线到位，
目前的3 μA流经1MΩ拉起
电阻器。这种额外的电流应不
由于该装置的要求。
图5.评估板布局
百富勤规格101-0151
图6.评估板电路图
百富勤规格102-0198
J6
头7X2
1
3
5
7
9
11
13
C1
DNI
R1
1M
R2
1M
1
3
5
7
9
11
13
2
4
6
8
10
12
14
2
4
6
8
10
12
14
20
19
18
17
16
VDD
GND
1
J1
SMASM
1
2
VSS / GND
C2
DNI
GND
GND
15
14
13
12
11
C3
DNI
C1
GND
GND
RF1
GND
GND
GND
GND
50 OHM T-线
C2
2
3
4
5
50 OHM T-线
1
J3
SMASM
U1
PE42551
RF2
GND
GND
GND
GND
6
7
8
RFC
9
J2
SMASM
1
2
50 OHM T-线
J4
SMASM
1
2
10
50 OHM T-线
1
J5
SMASM
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PE42551
产品speci fi cation
典型性能数据
图7.插入损耗： RFC - RF1 @ 25°C
图8.插入损耗： RFC - RF1 @ 2.75V
图9.插入损耗： RFC - RF2 @ 25°C
图10.插入损耗： RFC - RF2 @ 2.75V
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