产品speci fi cation
PE42510A
产品说明
下面的规范定义的SPDT （单刀
双掷）开关，用于在蜂窝和其它无线使用
应用程序。该PE42510A使用百富勤的的UltraCMOS
过程还设有竖琴技术
的增强功能以提供高的线性度和例外的
谐波性能。竖琴技术是一种创新
中的UltraCMOS 工艺的特点，提供升级
线性性能。
该PE42510A制造的百富勤的UltraCMOS
过程中，硅 - 绝缘体（ SOI）的一个专利的变异
技术在蓝宝石基板上，提供的性能
砷化镓随着经济一体化和传统的
CMOS 。
图1.功能框图
RFC
SPDT大功率的UltraCMOS
RF开关30 - 2000兆赫
特点
无需隔直电容
50瓦特的P1dB压缩点
10瓦<8 ： 1 VSWR （普通
操作）
29分贝隔离@ 800 MHz的
< 0.3分贝插入损耗在800 MHz的
2f
o
和3F
o
< -84 dBc的@ 42.5 dBm的
ESD坚固， 2.0千伏HBM
32引脚5×5毫米QFN封装
图2.封装类型
32引脚5×5毫米QFN
RF1
RF2
CMOS
控制驱动器
和ESD
CTRL
表1.电气规格@ 25 ° C，V
DD
= 3.3 V
(Z
S
= Z
L
= 50
） ，除非另有说明
参数
射频插入损耗
0.1分贝输入压缩点
隔离（供应偏） ： RF为RFC
无偏隔离：射频 - RFC ，V
DD
, V1=0 V
RF （活动端口）回波损耗
二阶谐波
第三谐波
开关时间
开关寿命周期
800兆赫@ 42.5 dBm的
50％ CTRL的射频为10 /90％
没有RF应用
30兆赫
≤
1 GHz的
1 GHz的< 2 GHz的
800 MHz时， 50％的占空比
800兆赫
27 dBm时， 800 MHz的
25
5
15
22
-84
0.04
10^10
-81
0.5
条件
民
典型值
0.4
0.5
45.4
29
最大
0.6
0.7
单位
dB
dB
DBM
dB
dB
dB
dBc的
ms
周期
注：该设备是与每个RF端口1.6 nH的电感匹配
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│
www.psemi.com
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PE42510A
产品speci fi cation
图3.引脚CON组fi guration （顶视图）
GND
GND
GND
GND
GND
GND
GND
RFC
32
31
30
29
28
27
26
25
表3.工作范围
参数
频带
民
30
典型值
最大
2000
40
27
单位
兆赫
DBM
DBM
V
uA
V
GND
RF1
GND
GND
GND
GND
GND
GND
1
2
24
23
GND
RF2
GND
GND
GND
GND
GND
GND
RF输入功率
1
（ VSWR
≤
8:1)
RF输入功率
2
（ VSWR
≤
8:1)
V
DD
电源电压
I
DD
电源电流
控制电压高
1.4
3.2
3.3
90
3
4
5
6
7
8
22
3.4
170
裸露
地
桨
21
20
19
18
17
控制电压低
工作温度范围
（案例）
T
j
工作结
温度
注：1。供应偏
2.供应偏见
-40
0.4
85
140
V
°C
°C
10
11
12
13
14
15
V
DD
GND
GND
GND
GND
N / C
CTRL
N / C
16
9
表2.引脚说明
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
桨
表4.绝对最大额定值
符号
参数/条件
电源电压
任何直流输入电压
存储温度范围
最大外壳温度
最大峰值结
温度（最长10秒）
RF输入功率
（电压驻波比20 ：1， 10秒）
RF输入功率（ 50Ω ）
RF输入功率，公正的
（电压驻波比20： 1）
最大功率耗散因
射频插入损耗
电压ESD （HBM ， MIL_STD 883
方法3015.7 ）
最小值最大值单位
-0.3
-0.3
-65
4
V
DD
+
0.3
150
85
200
40
45
27
2.2
2000
V
V
°C
°C
°C
DBM
DBM
DBM
W
V
引脚名称
GND
RF1
GND
GND
GND
GND
GND
GND
GND
GND
N / C
V
DD
CTRL
GND
GND
N / C
GND
GND
GND
GND
GND
GND
RF2
GND
GND
GND
GND
RFC
GND
GND
GND
GND
GND
描述
地
RF1端口
地
地
地
地
地
地
地
地
无连接
标称3.3 V电源连接
控制
地
地
不要连接
地
地
地
地
地
地
RF2端口。
地
地
地
地
用于交换机常见的RF端口
地
地
地
地
裸露地面桨
V
DD
V
I
T
ST
T
例
T
j
P
IN
P
D
V
ESD
绝对最大额定值
超过绝对最大额定值可能会导致
永久性损坏。操作应限制在
在工作范围表的限制。经贸合作
工作范围最大和绝对最大值
长时间可能会降低可靠性。
静电放电（ ESD ）注意事项
在处理这个的UltraCMOS 设备，观察
你将与其他使用相同的ESD防范措施
敏感的设备。虽然该设备包含的电路
以保护其免受因ESD损坏，预防措施
要注意避免超过规定的等级。
闭锁避免
与传统的CMOS器件，的UltraCMOS
设备是免疫的闩锁。
表5.控制逻辑真值表
路径
RFC - RF1
RFC - RF2
湿度敏感度等级
对湿度敏感等级等级为5×5 QFN
包是MSL3 。
2008 Peregrine半导体公司保留所有权利。
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CTRL
H
L
│
的UltraCMOS RFIC 解决方案
文档编号70-0266-01
PE42510A
产品speci fi cation
评估套件
该PE42510A评估板设计
为缓解PE42510A RF客户评价
开关。
直流电源通过J10的供给，V字形
DD
引脚9 ，
和GND连编号的整个下排
销。为了评估一个开关路径，添加或删除
使用表5 CTRL / V1 （ 3脚）跳线（加入
跳线拉CMOS控制引脚为低电平和删除
它允许在板上的上拉电阻器来设定
CMOS控制引脚为高电平） 。 J10的引脚1 ，图11，和图13是
N / C 。
射频公共端口（ RFC），通过连接
通过顶部SMA 50欧姆传输线
连接器， J1 。 RF1和RF2的路径也
通过经由50欧姆传输线连接
SMA连接器。 50欧姆传输通过
行是可以通过SMA连接器J8和J9 。这
传输线可以被用来估计的损失
在PCB上存在的环境条件
评估。不限成员名额的50欧姆传输
线也设置在J7进行校准，如果需要。
图4.评估板布局
百富勤规格101/0314
图5.评估板电路图
百富勤规格102/0383
J1
SMA
2
J2
SMA
1
GND
NC
NC
NC
RFC
NC
NC
GND
32
31
30
29
28
27
26
25
1
1
2
3
4
5
6
7
8
NC
RF1
NC
NC
NC
GND
NC
NC
U1
QFN5X5-32LD
PE42510
NC
RF2
NC
NC
NC
NC
GND
NC
24
23
22
21
20
19
18
17
J3
SMA
1
2
R1
1M
J10
HEADER14
1
3
5
7
9
11
13
1
3
5
7
9
11
13
2
4
6
8
10
12
14
2
4
6
8
10
12
14
Z1
1
开行
J7
SMA- DNI
1
J8
SMA- DNI
1
通过线
J9
SMA- DNI
1
C2
DNI
C3
DNI
C4
0.01u
C7
100pF
C8
0.01u
2
2
2
9
10
11
12
13
14
15
16
文档编号70-0266-01
│
www.psemi.com
NC
NC
（ RES ）
VDD
V1
NC
NC
（ VSS ）
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第3页7
2
PE42510A
产品speci fi cation
图6. RF- RFC插入损耗，V
DD
= 3.3V
图9. RFC - RF隔离， 25 ℃，
图7. RF- RFC插入损耗， 25 ℃，
图10. RF回波损耗，V
DD
= 3.3V
图8. RFC -RF隔离，V
DD
= 3.3V
图11. RF回波损耗， 25 ℃，
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的UltraCMOS RFIC 解决方案
PE42510A
产品speci fi cation
热数据
虽然对于这部分的插入损耗非常低，
处理高功率的射频信号时，该部分可以得到
相当火爆。
图12示出了所估计的功率消耗为一个
鉴于事件的RF功率电平。多重曲线
向显示VSWR的效果很差
条件。在座短路VSWR条件
载荷的零件可能会导致显著更多的权力
功耗比与适当匹配。
图13示出了所估计的最大结
下部分为类似条件的。
注意，这两个图表的假设的情况下
（GND蛞蝓）温度保持在85℃。特
需要在该设计中进行考虑
印刷电路板以适当的散热离部
并保持85℃最大外壳温度。它
建议使用高最佳设计实践
功率QFN封装：多层PCB与热
在散热垫通孔焊接的蛞蝓
封装。特别护理还需要进行到
缓解部分下的焊接空洞。
图12.功耗
2.5
1 ： 1 V SWR （ 50欧姆负载）
2 ： 1 V SWR （ 25欧姆负载）
POW ER耗散（ W）
2.0
8 ： 1 V SWR （ 6， 25欧姆负载）
20 ： 1 V SWR （ 2.5欧姆负载）
我NF ： 1 V SWR （ 0欧姆负载）
1.5
相对我ABI升I T 李密吨
1.0
0.5
0.0
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
RF电网（ DBM）
图13.最高结温
1
45
最高结温（ C）
1
40
1
35
1
30
1
25
1
20
15
1
10
1
1
05
1
00
95
90
85
30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46
1 ： 1 V SWR （ 50欧姆负载）
2 ： 1 V SWR （ 25欧姆负载）
8 ： 1 V SWR （ 6， 25欧姆负载）
20 ： 1 V SWR （ 2.5欧姆负载）
我NF ： 1 V SWR （ 0欧姆负载）
相对我ABI升I T 李密吨
表6.西塔JC
参数
西塔JC （ + 85°C ）
民
典型值
24.0
最大
单位
C / W
射频功率（dBm）
注：外壳温度= 85°C
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PE42510A
产品说明
下面的规范定义的SPDT （单刀
双掷）开关，用于在蜂窝和其它无线使用
应用程序。该PE42510A使用百富勤的的UltraCMOS
过程还设有竖琴技术
的增强功能以提供高的线性度和例外的
谐波性能。竖琴技术是一种创新
中的UltraCMOS 工艺的特点，提供升级
线性性能。
该PE42510A制造的百富勤的UltraCMOS
过程中，硅 - 绝缘体（ SOI）的一个专利的变异
技术在蓝宝石基板上，提供的性能
砷化镓随着经济一体化和传统的
CMOS 。
图1.功能框图
RFC
SPDT大功率的UltraCMOS
RF开关30 - 2000兆赫
特点
无需隔直电容
50瓦特的P1dB压缩点
10瓦<8 ： 1 VSWR （普通
操作）
29分贝隔离@ 800 MHz的
< 0.3分贝插入损耗在800 MHz的
2f
o
和3F
o
< -84 dBc的@ 42.5 dBm的
ESD坚固， 2.0千伏HBM
32引脚5×5毫米QFN封装
图2.封装类型
32引脚5×5毫米QFN
RF1
RF2
CMOS
控制驱动器
和ESD
CTRL
表1.电气规格@ 25 ° C，V
DD
= 3.3 V
(Z
S
= Z
L
= 50
） ，除非另有说明
参数
射频插入损耗
0.1分贝输入压缩点
隔离（供应偏） ： RF为RFC
无偏隔离：射频 - RFC ，V
DD
, V1=0 V
RF （活动端口）回波损耗
二阶谐波
第三谐波
开关时间
开关寿命周期
800兆赫@ 42.5 dBm的
50％ CTRL的射频为10 /90％
没有RF应用
30兆赫
≤
1 GHz的
1 GHz的< 2 GHz的
800 MHz时， 50％的占空比
800兆赫
27 dBm时， 800 MHz的
25
5
15
22
-84
0.04
10^10
-81
0.5
条件
民
典型值
0.4
0.5
45.4
29
最大
0.6
0.7
单位
dB
dB
DBM
dB
dB
dB
dBc的
ms
周期
注：该设备是与每个RF端口1.6 nH的电感匹配
文档编号70-0266-01
│
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2008 Peregrine半导体公司保留所有权利。
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PE42510A
产品speci fi cation
图3.引脚CON组fi guration （顶视图）
GND
GND
GND
GND
GND
GND
GND
RFC
32
31
30
29
28
27
26
25
表3.工作范围
参数
频带
民
30
典型值
最大
2000
40
27
单位
兆赫
DBM
DBM
V
uA
V
GND
RF1
GND
GND
GND
GND
GND
GND
1
2
24
23
GND
RF2
GND
GND
GND
GND
GND
GND
RF输入功率
1
（ VSWR
≤
8:1)
RF输入功率
2
（ VSWR
≤
8:1)
V
DD
电源电压
I
DD
电源电流
控制电压高
1.4
3.2
3.3
90
3
4
5
6
7
8
22
3.4
170
裸露
地
桨
21
20
19
18
17
控制电压低
工作温度范围
（案例）
T
j
工作结
温度
注：1。供应偏
2.供应偏见
-40
0.4
85
140
V
°C
°C
10
11
12
13
14
15
V
DD
GND
GND
GND
GND
N / C
CTRL
N / C
16
9
表2.引脚说明
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
桨
表4.绝对最大额定值
符号
参数/条件
电源电压
任何直流输入电压
存储温度范围
最大外壳温度
最大峰值结
温度（最长10秒）
RF输入功率
（电压驻波比20 ：1， 10秒）
RF输入功率（ 50Ω ）
RF输入功率，公正的
（电压驻波比20： 1）
最大功率耗散因
射频插入损耗
电压ESD （HBM ， MIL_STD 883
方法3015.7 ）
最小值最大值单位
-0.3
-0.3
-65
4
V
DD
+
0.3
150
85
200
40
45
27
2.2
2000
V
V
°C
°C
°C
DBM
DBM
DBM
W
V
引脚名称
GND
RF1
GND
GND
GND
GND
GND
GND
GND
GND
N / C
V
DD
CTRL
GND
GND
N / C
GND
GND
GND
GND
GND
GND
RF2
GND
GND
GND
GND
RFC
GND
GND
GND
GND
GND
描述
地
RF1端口
地
地
地
地
地
地
地
地
无连接
标称3.3 V电源连接
控制
地
地
不要连接
地
地
地
地
地
地
RF2端口。
地
地
地
地
用于交换机常见的RF端口
地
地
地
地
裸露地面桨
V
DD
V
I
T
ST
T
例
T
j
P
IN
P
D
V
ESD
绝对最大额定值
超过绝对最大额定值可能会导致
永久性损坏。操作应限制在
在工作范围表的限制。经贸合作
工作范围最大和绝对最大值
长时间可能会降低可靠性。
静电放电（ ESD ）注意事项
在处理这个的UltraCMOS 设备，观察
你将与其他使用相同的ESD防范措施
敏感的设备。虽然该设备包含的电路
以保护其免受因ESD损坏，预防措施
要注意避免超过规定的等级。
闭锁避免
与传统的CMOS器件，的UltraCMOS
设备是免疫的闩锁。
表5.控制逻辑真值表
路径
RFC - RF1
RFC - RF2
湿度敏感度等级
对湿度敏感等级等级为5×5 QFN
包是MSL3 。
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CTRL
H
L
│
的UltraCMOS RFIC 解决方案
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PE42510A
产品speci fi cation
评估套件
该PE42510A评估板设计
为缓解PE42510A RF客户评价
开关。
直流电源通过J10的供给，V字形
DD
引脚9 ，
和GND连编号的整个下排
销。为了评估一个开关路径，添加或删除
使用表5 CTRL / V1 （ 3脚）跳线（加入
跳线拉CMOS控制引脚为低电平和删除
它允许在板上的上拉电阻器来设定
CMOS控制引脚为高电平） 。 J10的引脚1 ，图11，和图13是
N / C 。
射频公共端口（ RFC），通过连接
通过顶部SMA 50欧姆传输线
连接器， J1 。 RF1和RF2的路径也
通过经由50欧姆传输线连接
SMA连接器。 50欧姆传输通过
行是可以通过SMA连接器J8和J9 。这
传输线可以被用来估计的损失
在PCB上存在的环境条件
评估。不限成员名额的50欧姆传输
线也设置在J7进行校准，如果需要。
图4.评估板布局
百富勤规格101/0314
图5.评估板电路图
百富勤规格102/0383
J1
SMA
2
J2
SMA
1
GND
NC
NC
NC
RFC
NC
NC
GND
32
31
30
29
28
27
26
25
1
1
2
3
4
5
6
7
8
NC
RF1
NC
NC
NC
GND
NC
NC
U1
QFN5X5-32LD
PE42510
NC
RF2
NC
NC
NC
NC
GND
NC
24
23
22
21
20
19
18
17
J3
SMA
1
2
R1
1M
J10
HEADER14
1
3
5
7
9
11
13
1
3
5
7
9
11
13
2
4
6
8
10
12
14
2
4
6
8
10
12
14
Z1
1
开行
J7
SMA- DNI
1
J8
SMA- DNI
1
通过线
J9
SMA- DNI
1
C2
DNI
C3
DNI
C4
0.01u
C7
100pF
C8
0.01u
2
2
2
9
10
11
12
13
14
15
16
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NC
NC
（ RES ）
VDD
V1
NC
NC
（ VSS ）
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2
PE42510A
产品speci fi cation
图6. RF- RFC插入损耗，V
DD
= 3.3V
图9. RFC - RF隔离， 25 ℃，
图7. RF- RFC插入损耗， 25 ℃，
图10. RF回波损耗，V
DD
= 3.3V
图8. RFC -RF隔离，V
DD
= 3.3V
图11. RF回波损耗， 25 ℃，
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的UltraCMOS RFIC 解决方案
PE42510A
产品speci fi cation
热数据
虽然对于这部分的插入损耗非常低，
处理高功率的射频信号时，该部分可以得到
相当火爆。
图12示出了所估计的功率消耗为一个
鉴于事件的RF功率电平。多重曲线
向显示VSWR的效果很差
条件。在座短路VSWR条件
载荷的零件可能会导致显著更多的权力
功耗比与适当匹配。
图13示出了所估计的最大结
下部分为类似条件的。
注意，这两个图表的假设的情况下
（GND蛞蝓）温度保持在85℃。特
需要在该设计中进行考虑
印刷电路板以适当的散热离部
并保持85℃最大外壳温度。它
建议使用高最佳设计实践
功率QFN封装：多层PCB与热
在散热垫通孔焊接的蛞蝓
封装。特别护理还需要进行到
缓解部分下的焊接空洞。
图12.功耗
2.5
1 ： 1 V SWR （ 50欧姆负载）
2 ： 1 V SWR （ 25欧姆负载）
POW ER耗散（ W）
2.0
8 ： 1 V SWR （ 6， 25欧姆负载）
20 ： 1 V SWR （ 2.5欧姆负载）
我NF ： 1 V SWR （ 0欧姆负载）
1.5
相对我ABI升I T 李密吨
1.0
0.5
0.0
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
RF电网（ DBM）
图13.最高结温
1
45
最高结温（ C）
1
40
1
35
1
30
1
25
1
20
15
1
10
1
1
05
1
00
95
90
85
30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46
1 ： 1 V SWR （ 50欧姆负载）
2 ： 1 V SWR （ 25欧姆负载）
8 ： 1 V SWR （ 6， 25欧姆负载）
20 ： 1 V SWR （ 2.5欧姆负载）
我NF ： 1 V SWR （ 0欧姆负载）
相对我ABI升I T 李密吨
表6.西塔JC
参数
西塔JC （ + 85°C ）
民
典型值
24.0
最大
单位
C / W
射频功率（dBm）
注：外壳温度= 85°C
文档编号70-0266-01
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