产品speci fi cation
PE4245
产品说明
在PE4245射频开关被设计为覆盖一个宽范围的
应用程序从接近直流到4000兆赫。此开关集成
板上具有低电压的CMOS CMOS控制逻辑
兼容控制输入。用+ 3伏额定功率
电源电压的+27 dBm的1 dB压缩点可以
实现的。该PE4245也表现出了良好的隔离
比42分贝更在1000兆赫，并采用小型3×3
毫米DFN封装。
该PE4245制造的百富勤的UltraCMOS
过程中，硅 - 绝缘体（ SOI）的一个专利的变异
技术在蓝宝石基板上，提供的性能
砷化镓随着经济一体化和传统的
CMOS 。
图1.功能框图
RFC
单刀双掷的UltraCMOS 射频开关
DC - 4000 MHz的
特点
单3.0 V电源
低插入损耗：0.6分贝1000兆赫，
0.7分贝在2000兆赫
高隔离42分贝1000兆赫，
32分贝在2000兆赫
的+27 dBm的典型1 dB压缩
单针CMOS控制逻辑
采用6引线DFN封装
图2.封装类型
6引线DFN
RF1
RF2
CMOS
控制
司机
CTRL
表1.电气规格@ 25 ° C，V
DD
= 3 V
（ ZS = ZL = 50
)
参数
工作频率
1
插入损耗
隔离 - RFC到RF1 / RF2
隔离 - RF1到RF2
回波损耗
“ON”切换时间
“OFF”开关时间
视频馈通
2
输入1 dB压缩
输入IP3
2000兆赫
2000兆赫， 14 dBm的
26
43
1000兆赫
2000兆赫
1000兆赫
2000兆赫
1000兆赫
2000兆赫
1000兆赫
2000兆赫
CTRL到0.1分贝终值， 2 GHz的
CTRL 25 dB的隔离， 2 GHz的
条件
最低
DC
典型
最大
4000
单位
兆赫
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
ns
ns
mV
pp
DBM
DBM
39
30
34
27
21
20
0.6
0.7
42
32
36
29
23
22
200
90
15
27
45
0.75
0.85
注：1.线性器件将开始降低10 MHz以下。
2.在交换机的任何端口的输出端的直流瞬态当控制电压从低电平转换到
高或高到低在50
测试设置，具有1ns的上升时间脉冲和500 MHz的带宽测量。
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PE4245
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图3.引脚配置
RF2
GND
RF1
1
2
3
裸露焊
垫 - 短路
到引脚2
（底部）
表4.绝对最大额定值
符号
参数/条件
电源电压
在任何输入电压
存储温度范围
民
-0.3
-0.3
-65
最大
4.0
V
DD
+
0.3
150
单位
V
V
°C
6
5
4
RFC
CTRL
V
DD
V
I
T
ST
V
DD
P
IN
V
ESD
输入功率（ 50Ω ）
静电放电电压（人体
模型）
30
1500
DBM
V
表2.引脚说明
针
号
1
针
名字
RF2
描述
RF2端口（注1 ）
接地连接。走线应
实际上较短的和连接到所述
接地平面。该引脚连接到
裸露焊盘也必须
被焊接到接地平面，以取得最佳
性能。
RF1端口（注1 ）
标称3V的电源连接。
CMOS逻辑电平：
高= RFC到RF1信号通路
低= RFC到RF2信号通路
对于开关（注1 ）常见的RF端口
超过绝对最大额定值可能会导致
永久性损坏。操作应
仅限于限制在工作范围
表。工作范围的操作
最高和绝对最大的扩展
期间可能会降低可靠性。
2
GND
表5.控制逻辑真值表
控制电压
CTRL = CMOS高
3
4
RF1
V
DD
信道
RFC到RF1
RFC到RF2
CTRL = CMOS低
5
CTRL
静电放电（ ESD ）注意事项
在处理这个的UltraCMOS 器件，观察
你将与使用相同的注意事项
其他ESD敏感设备。虽然这个设备
包含电路，以保护其免受损坏，由于
ESD ，应采取预防措施，以避免
超过表4规定的额定值。
闭锁避免
与传统的CMOS器件，的UltraCMOS
设备是免疫的闩锁。
6
RFC
注：1 。
所有RF引脚必须DC封锁与外部串联
电容或为0V举行
DC
.
表3.工作范围
参数
V
DD
电源电压
I
DD
电源电流
V
DD
= 3V, V
CTRL
= 3V
T
OP
工作温度
范围
控制电压高
控制电压低
-40
0.7x
V
DD
0.3x
V
DD
民
2.7
典型值
3.0
250
最大
3.3
500
单位
V
nA
85
°C
V
V
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的UltraCMOS RFIC 解决方案
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典型性能数据@ 25 ° C（除非另有说明）
图4.插入损耗 - RFC到RF1
T = -40 ° C至85°C
0
图5.输入1dB压缩点和IIP3
60
60
-0.3
-40°C
50
插入损耗（dB ）
-0.6
50
1dB压缩点（ DBM）
IIP3 （ dBm的）
40
40
-0.9
85°C
25°C
-1.2
30
30
-1.5
0
800
1600
2400
3200
4000
20
0
800
1600
2400
3200
20
4000
频率（MHz）
频率（MHz）
图6.插入损耗 - RFC到RF2
T = -40 ° C至85°C
0
图7.隔离 - RFC到RF1
0
-0.3
-40°C
-20
插入损耗（dB ）
-0.9
85°C
25°C
隔离度（dB ）
1600
2400
3200
4000
-0.6
-40
-60
-1.2
-80
-1.5
0
800
-100
0
800
1600
2400
3200
4000
频率（MHz）
频率（MHz）
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典型性能数据@ 25°C
图8.隔离 - RFC到RF2
图9.隔离 - RF1到RF2 ， RF2为RF1
0
0
-20
-25
隔离度（dB ）
隔离度（dB ）
-40
-50
-60
-75
-80
-100
0
800
1600
2400
3200
4000
-100
0
800
1600
2400
3200
4000
频率（MHz）
频率（MHz）
网络连接gure 10 。
回波损耗 - RFC到RF1 ， RF2
图11.回波损耗 - RF1 ， RF2
0
0
-10
回波损耗（分贝）
回波损耗（分贝）
-10
RF1
-20
-20
RF1
-30
RF2
-30
RF2
-40
0
800
1600
2400
3200
4000
-40
0
800
1600
2400
3200
4000
频率（MHz）
频率（MHz）
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的UltraCMOS RFIC 解决方案
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评估套件
SPDT开关评估板是
旨在减轻客户评价
PE4245单刀双掷开关。射频常见的端口
通过50连接
传输线的
左上SMA连接器， J1 。端口1和端口2顷
经过50连
传输线的
在右侧的顶部的两个SMA连接器
板， J2和J3 。 A到传输线
连接SMA连接器J4和J5 。这
传输线可以被用来估计损失
印刷电路板在环境条件下的
被评估。
该板构成的两个金属层的FR4
材料具有0.031的总厚度“ 。该
底部层提供地面为射频
传输线。传输线是
使用共面波导与接地设计
用0.0476一丝宽度平面模特“ ，跟踪
0.030 “ ，介质厚度0.028 ”的差距，
0.0021 “的金属厚度
ε
r
4.4 。
J6提供了一种装置，用于控制直流和数字
输入到设备中。从左下开始
销，所述第二销向右（ J6-3 ）连接
到装置CTRL输入。第四个引脚到
右（ J6-7 ）被连接到所述设备V
DD
输入。
图12.评估板布局
百富勤规格101/0085
图13.评估板电路图
百富勤规格102/0110
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