产品speci fi cation
PE42451
产品说明
该PE42451是竖琴 - 增强吸收SP5T RF
交换机上的UltraCMOS 工艺技术开发。
这种通用交换机包括5对称射频的
口，并具有非常高的隔离度。片上CMOS解码
逻辑有利于三针低压CMOS控制接口
和一个可选的外部Vss的功能（VSS
EXT
） 。高ESD
宽容与不隔直电容的要求，使这个
最终的整合和耐用性。
百富勤的竖琴技术的增强提供高
线性度和出色的谐波性能。它是一个
中的UltraCMOS 工艺的创新功能，提供
性能优于砷化镓与经济一体化
传统的CMOS 。
SP5T吸收的UltraCMOS
高隔离RF开关
450-4000兆赫和VSS
EXT
选项
特点
竖琴 - 增强的UltraCMOS 设备
五对称，吸收RF端口
高隔离：
68分贝在450兆赫
为62 dB 900 MHz的
在2100 MHz的55分贝
53分贝在2600兆赫
50分贝在4000兆赫
IIP2 95 dBm时，为58 dBm的IIP3
3500 V HBM ESD高宽容
可选的外部滑模变结构控制（VSS
EXT
)
图1.功能框图
三针CMOS控制逻辑
无需隔直电容
RFC
ESD
符合RoHS的小型24引脚4×4毫米
QFN封装
RF1
RF4
ESD
ESD
50
50
RF5
ESD
ESD
RF2
图2.包装照片
24引脚4x4x0.85毫米QFN封装
50
50
RF3
ESD
CMOS
控制/驱动器
和ESD
V1 V2 V3
VSS
EXT
（可选）
50
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│
www.psemi.com
2009-2010 Peregrine半导体公司保留所有权利。
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PE42451
产品speci fi cation
表1.电气规格@ 25 °V
DD
= 3.0 V
(Z
S
= Z
L
= 50
C,
电气参数
工作频率
RFC - RFX
RFC - RFX
RFC - RFX
RFC - RFX
RFC - RFX
RFC / RFX - RFX
RFC / RFX - RFX
RFC / RFX - RFX
RFC / RFX - RFX
RFC / RFX - RFX
RFX
RFX
RFX - RFC
RFX - RFC
RFX - RFC
"ON"
"OFF"
450兆赫
900兆赫
2100兆赫
2600兆赫
4000兆赫
450兆赫
900兆赫
2100兆赫
2600兆赫
4000兆赫
450 - 4000兆赫
450 - 4000兆赫
全波段， 100％占空比
全波段， 100％占空比
全波段， 100％占空比
50 ％对照，以90％的射频
50 ％对照，以10％的射频
)
民
450
1.6
1.65
1.95
2.05
2.25
58.5
53.0
46.5
46.5
41.5
68
62
55
53
50
16
15
35
95
58
200
200
500
500
路径
条件
典型值
最大
4000
1.95
2.05
2.30
2.40
2.75
单位
兆赫
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
ns
ns
插入损耗， IL
隔离，ISO
回波损耗，主动港口
回波损耗，终止端口
输入1 dB压缩
1
， P1dB为
输入IP2
输入IP3
开关时间t
SW
注意事项：
1.请参考最大运行功率表2
表2.工作范围
参数
V
DD
电源电压
VSS
EXT
负电源
电压
2
I
DD
电源电流
V
DD
= 3.0 V，P
IN
= 0 dBm的
I
DD
最大电源电流
V
DD
= 3.3 V ，P
最大
= 33 dBm时，
温度= -40 °
C
控制电压高
控制电压低
I
CTRL
控制电流
3
最大工作电源
（ RFX - RFC ，全波段（ 50
),
100％占空比）
最大功率为
终止（ RFX ，全波段
(50
),100%
占空比）
工作温度范围
注意：
符号
民
V
DD
VSS
EXT
I
DD
I
DD
（最大）
V
IH
V
IL
I
CTRL
P
最大
0.7 x
V
DD
0
2.7
-3.3
典型值
3.0
-3.0
14
最大单位
3.3
-2.7
V
V
A
50
V
DD
0.3 x
V
DD
1
33
A
V
V
A
DBM
P
最大
T
OP
-40
24
+85
DBM
°
C
2.只适用于在外部VSS电源使用。
引脚20必须使用内部Vss的电源时，应接地。
在EVK原理图3.下拉电阻可能会增加
控制电流。
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第11 2
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的UltraCMOS RFIC 解决方案
PE42451
产品speci fi cation
图3.引脚CON组fi guration （顶视图）
VSS
EXT
/
GND
静电放电（ ESD ）注意事项
在处理这个的UltraCMOS 设备，观察
你将与其他使用相同的ESD防范措施
敏感的设备。虽然这个装置包含
电路，以保护其免受损坏，由于ESD ，
应采取预防措施，以避免超过
规定的额定值。
GND
GND
GND
RFC
24
23
22
21
20
19
V3
GND
RF5
GND
GND
RF4
GND
1
2
3
4
5
6
10
11
12
7
8
9
18
17
V2
V1
VDD
GND
RF1
GND
裸露
地
桨
16
15
14
13
闭锁避免
与传统的CMOS器件，的UltraCMOS
设备是免疫的闩锁。
GND
GND
GND
GND
RF3
RF2
湿度敏感度等级
对湿度敏感等级评级PE42451中
24引脚4×4 QFN封装是MSL1 。
描述
表3.引脚说明
针＃
1, 3, 4, 6, 7, 9, 10,
12, 13, 15, 21, 23, 24
2
5
8
11
14
16
17
18
19
20
22
桨
注意：
名字
GND
RF5
4
RF4
4
RF3
4
RF2
4
RF1
4
V
DD
V1
V2
地
RF I / O
RF I / O
RF I / O
RF I / O
RF I / O
供应
开关控制输入端， CMOS逻辑电平
开关控制输入端， CMOS逻辑电平
可选的外部滑模变结构控制（
VSS
EXT
)
对于正确的操作，在VSS
EXT
控制必须是
接地或在指定的Vss的电压
经营范围表（表
2).
当在VSS
EXT
包装上的控制引脚接地开关
场效应管的偏置与内部低杂散负
电压发生器。对于需要的应用
尽可能低的杂散性能时，VSS
EXT
可以
施加到旁路内部负电压
发电机，以消除骨刺。
V3
开关控制输入端， CMOS逻辑电平
VSS
EXT
/
外部Vss的控制/地
GND
5
RFC
4
射频共
GND
理由器件正常工作
开关频率
该PE42451具有最大25 kHz的开关频率
当内部负电压发生器用于
（针20 = GND）。在该PE42451能率
交换仅限于切换时间，如果一个
外部-3 V电源提供（引脚20 = VSS
EXT
).
4.隔直电容仅在需要时非零DC
电压存在。
5.引脚20必须使用内部Vss的电源时，接地
表4.绝对最大额定值
符号
T
ST
P
最大
表5.真值表
单位
°
C
DBM
模式
全部关闭
RF1上
33
RF2上
RF3上
24
DBM
V
V
RF4上
RF5上
全部关闭
不支持
V3
0
0
0
0
1
1
1
1
V2
0
0
1
1
0
0
1
1
V1
0
1
0
1
0
1
0
1
参数/条件
存储温度范围
最大工作电源
（ RFX - RFC ，全波段（ 50
),
100％占空比）
最大功率为
终止（ RFX ，全波段
(50
),100%
占空比）
ESD HBM电压
6
所有的管脚
ESD电压MM
7
所有的管脚
民
-60
最大
+150
P
最大
V
ESD
V
ESD
注意事项：
3500
150
6.人体模型ESD电压（ HBM ， MIL_STD 883
方法3015.7 ）
7.机器模型ESD电压（ JESD22 - A115 -A ）
超过绝对最大额定值可能会导致
永久性损坏。操作应仅限于
在操作的限制范围表。
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第11 3
PE42451
产品speci fi cation
评估套件
该SP5T开关EK板的目的是要缓解
百富勤的PE42451的客户评价。射频
公共端口是通过一个50发送连接
通过上面的SMA连接器线。 RF1 ， RF2 ， RF3和
RF4通过经由50传输线连接
一边SMA连接器。 A到50的传输是
可通过SMA连接器RFCAL1和RFCAL2 。
该传输线可以被用来估计损失
印刷电路板在环境条件下是的
评估。
的EVK板有四个金属层上构建
罗杰斯4003C和4450的介电材料与
总厚度为32密耳。第1层和第3层提供
地为50欧姆传输线。 50欧姆
传输线中的第2层设计用于高
隔离的目的和使用带状波导的设计
9.4密耳迹线宽度和走线厚度的金属
1.8密耳。该板叠起来的50欧姆传输
行了罗杰斯4003C之间8密耳厚
第1层和第2层和罗杰斯的10密耳厚
4450层2和层3之间请咨询
制造商的正确的电路板材料指引
性能在应用程序中。在PCB应该是
设计成这样一种方式， RF传输线和
敏感的DC I / O的痕迹（如VSS）
EXT
都严重
彼此隔离，否则真
该PE42451的性能不会产生。
图4.评估板布局
百富勤规格101/0479
图5.评估板电路图
百富勤规格102/0569
R1
0欧姆
C1
R2
1M
J1
头14
VSS
VDD
V3
V2
V1
DNI
13
11
9
7
5
3
1
13
11
9
7
5
3
1
14
12
10
8
6
4
2
14
12
10
8
6
4
2
R3
0欧姆
C2
100pF
R4
1M
RFC
R5
0欧姆
2
1
C3
100pF
R6
1M
RFC
R7
0欧姆
24
23
22
21
20
19
GND
GND
RFC
GND
VSS
1
RF5
V3
C4
100pF
R8
1M
GND
RF5
GND
GND
RF4
GND
U1
V2
V1
VDD
GND
RF1
GND
18
17
R9
1
RF5
2
3
4
16
0欧姆
2
15
14
13
RF1
1
PE4245x_24L_QFN
RF1
RF4
1
RF4
5
6
C5
100pF
C6
1 F
使用PCB 101-0479-03
2
GND
GND
GND
10
11
12
7
8
9
GND
RF3
RF2
2
RF2
RF3
RFCAL1
RFCAL2
1
RF3
RF2
1
1
RF
RF CAL
带状线
1
2
2
2
2
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第11 4
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的UltraCMOS RFIC 解决方案
PE42451
产品speci fi cation
性能图解@ 25°和3.0V，除非另有说明
C
图6.插入损耗： RFC - RFX @ 25 °
C
图7.插入损耗： RFC - RFX @ 3.0 V
图8.插入损耗：所有路径
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第11个5
产品speci fi cation
PE42451
产品说明
该PE42451是竖琴 - 增强吸收SP5T RF
交换机上的UltraCMOS 工艺技术开发。
这种通用交换机包括5对称射频的
口，并具有非常高的隔离度。片上CMOS解码
逻辑有利于三针低压CMOS控制接口
和一个可选的外部Vss的功能（VSS
EXT
） 。高ESD
宽容与不隔直电容的要求，使这个
最终的整合和耐用性。
百富勤的竖琴技术的增强提供高
线性度和出色的谐波性能。它是一个
中的UltraCMOS 工艺的创新功能，提供
性能优于砷化镓与经济一体化
传统的CMOS 。
SP5T吸收的UltraCMOS
高隔离RF开关
450-4000兆赫和VSS
EXT
选项
特点
竖琴 - 增强的UltraCMOS 设备
五对称，吸收RF端口
高隔离：
68分贝在450兆赫
为62 dB 900 MHz的
在2100 MHz的55分贝
53分贝在2600兆赫
50分贝在4000兆赫
IIP2 95 dBm时，为58 dBm的IIP3
3500 V HBM ESD高宽容
可选的外部滑模变结构控制（VSS
EXT
)
图1.功能框图
三针CMOS控制逻辑
无需隔直电容
RFC
ESD
符合RoHS的小型24引脚4×4毫米
QFN封装
RF1
RF4
ESD
ESD
50
50
RF5
ESD
ESD
RF2
图2.包装照片
24引脚4x4x0.85毫米QFN封装
50
50
RF3
ESD
CMOS
控制/驱动器
和ESD
V1 V2 V3
VSS
EXT
（可选）
50
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PE42451
产品speci fi cation
表1.电气规格@ 25 °V
DD
= 3.0 V
(Z
S
= Z
L
= 50
C,
电气参数
工作频率
RFC - RFX
RFC - RFX
RFC - RFX
RFC - RFX
RFC - RFX
RFC / RFX - RFX
RFC / RFX - RFX
RFC / RFX - RFX
RFC / RFX - RFX
RFC / RFX - RFX
RFX
RFX
RFX - RFC
RFX - RFC
RFX - RFC
"ON"
"OFF"
450兆赫
900兆赫
2100兆赫
2600兆赫
4000兆赫
450兆赫
900兆赫
2100兆赫
2600兆赫
4000兆赫
450 - 4000兆赫
450 - 4000兆赫
全波段， 100％占空比
全波段， 100％占空比
全波段， 100％占空比
50 ％对照，以90％的射频
50 ％对照，以10％的射频
)
民
450
1.6
1.65
1.95
2.05
2.25
58.5
53.0
46.5
46.5
41.5
68
62
55
53
50
16
15
35
95
58
200
200
500
500
路径
条件
典型值
最大
4000
1.95
2.05
2.30
2.40
2.75
单位
兆赫
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
ns
ns
插入损耗， IL
隔离，ISO
回波损耗，主动港口
回波损耗，终止端口
输入1 dB压缩
1
， P1dB为
输入IP2
输入IP3
开关时间t
SW
注意事项：
1.请参考最大运行功率表2
表2.工作范围
参数
V
DD
电源电压
VSS
EXT
负电源
电压
2
I
DD
电源电流
V
DD
= 3.0 V，P
IN
= 0 dBm的
I
DD
最大电源电流
V
DD
= 3.3 V ，P
最大
= 33 dBm时，
温度= -40 °
C
控制电压高
控制电压低
I
CTRL
控制电流
3
最大工作电源
（ RFX - RFC ，全波段（ 50
),
100％占空比）
最大功率为
终止（ RFX ，全波段
(50
),100%
占空比）
工作温度范围
注意：
符号
民
V
DD
VSS
EXT
I
DD
I
DD
（最大）
V
IH
V
IL
I
CTRL
P
最大
0.7 x
V
DD
0
2.7
-3.3
典型值
3.0
-3.0
14
最大单位
3.3
-2.7
V
V
A
50
V
DD
0.3 x
V
DD
1
33
A
V
V
A
DBM
P
最大
T
OP
-40
24
+85
DBM
°
C
2.只适用于在外部VSS电源使用。
引脚20必须使用内部Vss的电源时，应接地。
在EVK原理图3.下拉电阻可能会增加
控制电流。
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的UltraCMOS RFIC 解决方案
PE42451
产品speci fi cation
图3.引脚CON组fi guration （顶视图）
VSS
EXT
/
GND
静电放电（ ESD ）注意事项
在处理这个的UltraCMOS 设备，观察
你将与其他使用相同的ESD防范措施
敏感的设备。虽然这个装置包含
电路，以保护其免受损坏，由于ESD ，
应采取预防措施，以避免超过
规定的额定值。
GND
GND
GND
RFC
24
23
22
21
20
19
V3
GND
RF5
GND
GND
RF4
GND
1
2
3
4
5
6
10
11
12
7
8
9
18
17
V2
V1
VDD
GND
RF1
GND
裸露
地
桨
16
15
14
13
闭锁避免
与传统的CMOS器件，的UltraCMOS
设备是免疫的闩锁。
GND
GND
GND
GND
RF3
RF2
湿度敏感度等级
对湿度敏感等级评级PE42451中
24引脚4×4 QFN封装是MSL1 。
描述
表3.引脚说明
针＃
1, 3, 4, 6, 7, 9, 10,
12, 13, 15, 21, 23, 24
2
5
8
11
14
16
17
18
19
20
22
桨
注意：
名字
GND
RF5
4
RF4
4
RF3
4
RF2
4
RF1
4
V
DD
V1
V2
地
RF I / O
RF I / O
RF I / O
RF I / O
RF I / O
供应
开关控制输入端， CMOS逻辑电平
开关控制输入端， CMOS逻辑电平
可选的外部滑模变结构控制（
VSS
EXT
)
对于正确的操作，在VSS
EXT
控制必须是
接地或在指定的Vss的电压
经营范围表（表
2).
当在VSS
EXT
包装上的控制引脚接地开关
场效应管的偏置与内部低杂散负
电压发生器。对于需要的应用
尽可能低的杂散性能时，VSS
EXT
可以
施加到旁路内部负电压
发电机，以消除骨刺。
V3
开关控制输入端， CMOS逻辑电平
VSS
EXT
/
外部Vss的控制/地
GND
5
RFC
4
射频共
GND
理由器件正常工作
开关频率
该PE42451具有最大25 kHz的开关频率
当内部负电压发生器用于
（针20 = GND）。在该PE42451能率
交换仅限于切换时间，如果一个
外部-3 V电源提供（引脚20 = VSS
EXT
).
4.隔直电容仅在需要时非零DC
电压存在。
5.引脚20必须使用内部Vss的电源时，接地
表4.绝对最大额定值
符号
T
ST
P
最大
表5.真值表
单位
°
C
DBM
模式
全部关闭
RF1上
33
RF2上
RF3上
24
DBM
V
V
RF4上
RF5上
全部关闭
不支持
V3
0
0
0
0
1
1
1
1
V2
0
0
1
1
0
0
1
1
V1
0
1
0
1
0
1
0
1
参数/条件
存储温度范围
最大工作电源
（ RFX - RFC ，全波段（ 50
),
100％占空比）
最大功率为
终止（ RFX ，全波段
(50
),100%
占空比）
ESD HBM电压
6
所有的管脚
ESD电压MM
7
所有的管脚
民
-60
最大
+150
P
最大
V
ESD
V
ESD
注意事项：
3500
150
6.人体模型ESD电压（ HBM ， MIL_STD 883
方法3015.7 ）
7.机器模型ESD电压（ JESD22 - A115 -A ）
超过绝对最大额定值可能会导致
永久性损坏。操作应仅限于
在操作的限制范围表。
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PE42451
产品speci fi cation
评估套件
该SP5T开关EK板的目的是要缓解
百富勤的PE42451的客户评价。射频
公共端口是通过一个50发送连接
通过上面的SMA连接器线。 RF1 ， RF2 ， RF3和
RF4通过经由50传输线连接
一边SMA连接器。 A到50的传输是
可通过SMA连接器RFCAL1和RFCAL2 。
该传输线可以被用来估计损失
印刷电路板在环境条件下是的
评估。
的EVK板有四个金属层上构建
罗杰斯4003C和4450的介电材料与
总厚度为32密耳。第1层和第3层提供
地为50欧姆传输线。 50欧姆
传输线中的第2层设计用于高
隔离的目的和使用带状波导的设计
9.4密耳迹线宽度和走线厚度的金属
1.8密耳。该板叠起来的50欧姆传输
行了罗杰斯4003C之间8密耳厚
第1层和第2层和罗杰斯的10密耳厚
4450层2和层3之间请咨询
制造商的正确的电路板材料指引
性能在应用程序中。在PCB应该是
设计成这样一种方式， RF传输线和
敏感的DC I / O的痕迹（如VSS）
EXT
都严重
彼此隔离，否则真
该PE42451的性能不会产生。
图4.评估板布局
百富勤规格101/0479
图5.评估板电路图
百富勤规格102/0569
R1
0欧姆
C1
R2
1M
J1
头14
VSS
VDD
V3
V2
V1
DNI
13
11
9
7
5
3
1
13
11
9
7
5
3
1
14
12
10
8
6
4
2
14
12
10
8
6
4
2
R3
0欧姆
C2
100pF
R4
1M
RFC
R5
0欧姆
2
1
C3
100pF
R6
1M
RFC
R7
0欧姆
24
23
22
21
20
19
GND
GND
RFC
GND
VSS
1
RF5
V3
C4
100pF
R8
1M
GND
RF5
GND
GND
RF4
GND
U1
V2
V1
VDD
GND
RF1
GND
18
17
R9
1
RF5
2
3
4
16
0欧姆
2
15
14
13
RF1
1
PE4245x_24L_QFN
RF1
RF4
1
RF4
5
6
C5
100pF
C6
1 F
使用PCB 101-0479-03
2
GND
GND
GND
10
11
12
7
8
9
GND
RF3
RF2
2
RF2
RF3
RFCAL1
RFCAL2
1
RF3
RF2
1
1
RF
RF CAL
带状线
1
2
2
2
2
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第11 4
文档编号70-0298-03
│
的UltraCMOS RFIC 解决方案
PE42451
产品speci fi cation
性能图解@ 25°和3.0V，除非另有说明
C
图6.插入损耗： RFC - RFX @ 25 °
C
图7.插入损耗： RFC - RFX @ 3.0 V
图8.插入损耗：所有路径
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第11个5
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