产品speci fi cation
PE4242
单刀双掷的UltraCMOS 射频开关
产品说明
该PE4242的UltraCMOS 射频开关被设计为覆盖
广泛的，通过3000兆赫从近DC应用。
这种反射开关集成主板上的CMOS控制逻辑
用低电压CMOS兼容的控制接口，并且可以
使用单针或互补的控制来控制
输入。使用标称值为+ 3伏电源电压，典型
可以实现27 dBm的输入1 dB压缩点。
该PE4242 RF开关处于ON百富勤的制造
的UltraCMOS 过程中，专利的变化上硅
绝缘体（SOI）技术，在蓝宝石衬底上，将提供的
砷化镓与经济和集成性能
传统的CMOS 。
图1.功能框图
RFC
特点
单针或互补的CMOS
逻辑控制输入
+ 3.0伏电源需要
单引脚控制模式
低插入损耗：0.7分贝1000兆赫，
0.9分贝在2000兆赫
32 dB的隔离，在1000兆赫，22分贝
2000兆赫
典型输入1 dB压缩点
+27 dBm的
超小型SC- 70封装
图2.封装类型
6引脚SC- 70
RF2
RF1
CMOS
控制
司机
CTRL CTRL或V
DD
表1.电气规格@ 25 ° C，V
DD
= 3 V
(Z
S
= Z
L
= 50
)
参数
工作频率
1
插入损耗
隔离
回波损耗
“ON”切换时间
“OFF”开关时间
视频馈通
2
输入1 dB压缩
输入IP3
2000兆赫
2000兆赫， 14 dBm的输入功率
26
43
1000兆赫
2000兆赫
1000兆赫
2000兆赫
1000兆赫
2000兆赫
50％的CTRL键的终值0.1分贝， 1 GHz的
50 ％ CTRL 25 dB的隔离， 1 GHz的
30
21
18
16
条件
最低
DC
典型
最大
3000
单位
兆赫
dB
dB
dB
dB
dB
dB
ns
ns
mV
pp
DBM
DBM
0.7
0.9
32
23
22
18
300
200
15
27
45
0.85
1.05
注：1.线性器件将开始降低10 MHz以下。
2.在交换机的任何端口的输出端的直流瞬态当控制电压从低切换到高或高到低的50
TEST
设置，以1ns的测量上升时间脉冲和500 MHz的带宽。
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PE4242
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图3.引脚CON组fi guration （顶视图）
销1
表3.绝对最大额定值
符号
参数/条件
电源电压
在任何输入电压
存储温度范围
工作温度范围
输入功率（ 50Ω ）
静电放电电压（人体
模型）
民
-0.3
-0.3
-65
-40
最大
4.0
V
DD
+
0.3
150
85
30
1500
单位
V
V
°C
°C
DBM
V
RF1
GND
RF2
1
6
CTRL或V
DD
RFC
CTRL
V
DD
V
I
T
ST
T
OP
.
242
针
名字
RF1
GND
RF2
CTRL
RFC
Ctrl或
V
DD
2
5
3
4
表2.引脚说明
针
号
1
2
3
4
5
P
IN
V
ESD
描述
RF1端口（注1 ）
接地连接。走线应
物理上短，并连接到
地平面以获得最佳性能。
RF2端口（注1 ）
切换控制输入端， CMOS逻辑电平。
对于开关（注1 ）常见的RF端口
该引脚支持两种接口选择：
单引脚控制模式。
标称
需要3伏的电源连接。
互补引脚控制模式。
A
CMOS互补的控制信号
以CTRL提供给该引脚。逐
不需要在通过该引脚上
此模式。
表4.直流电特定网络阳离子
参数
V
DD
电源
电压
I
DD
电源电流
(V
DD
= 3V, V
CTRL
= 3V)
控制电压高
控制电压低
0.7倍V
DD
0.3X V
DD
民
2.7
典型值
3.0
250
最大
3.3
500
单位
V
nA
V
V
6
静电放电（ ESD ）注意事项
在处理这个的UltraCMOS 器件，观察
你将与使用相同的注意事项
其他ESD敏感设备。虽然这个设备
包含电路，以保护其免受损坏，由于
ESD ，应采取预防措施，以避免
超过规定的额定值。
闭锁避免
与传统的CMOS器件，的UltraCMOS
设备是免疫的闩锁。
注1 ：
所有RF引脚必须DC封锁与外部串联
电容或为0V举行
DC
.
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表5.单引脚控制逻辑真值表
控制电压
引脚6 （V
DD
) = V
DD
引脚4 （ CTRL ） =低
引脚6 （V
DD
) = V
DD
引脚4 （ CTRL ） =高
信道
RFC到RF1
控制逻辑输入
该PE4242是一款多功能射频CMOS开关
支持两种操作控制模式;单针
控制模式和互补引脚控制
模式。
单引脚控制模式
使开关
与单一控制引脚操作（引脚4 ）支持
一个+3伏的CMOS逻辑输入，并需要
对销专用+ 3伏电源连接
6 (V
DD
） 。这种操作模式降低了
的控制线号要求，简化了
开关的控制接口通常来自于一个
CMOS
μprocessor
I / O端口。
互补引脚控制模式
允许
开关采用互补控制操作
CTRL引脚和CTRL （引脚4 & 6 ） ，这可能是
由+3伏CMOS逻辑或合适的直接驱动
μprocessor
I / O端口。这使得PE4242到
用作SPDT一个潜在替代源
阳性对照使用RF开关产品
电压模式， PE4242内操作
操作限制。
RFC到RF2
表6.互补引脚控制逻辑
真值表
控制电压
引脚6 （ CTRL或V
DD
） =高
引脚4 （ CTRL ） =低
引脚6 （ CTRL或V
DD
） =低
引脚4 （ CTRL ） =高
信道
RFC到RF1
RFC到RF2
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评估套件
SPDT开关评估板是
旨在减轻客户评价
PE4242单刀双掷开关。射频常见的端口
通过50连接
传输线的
左上SMA连接器， J1 。端口1和端口2顷
经过50连
传输线的
在右侧的顶部的两个SMA连接器
板，J3和J2分别。 A到
传输线连接SMA连接器J4
和J5 。该传输线可以被用来
估计PCB的损失在
环境条件进行评估。
该板构成的两个金属层的FR4
材料具有0.031的总厚度“ 。该
底部层提供地面为射频
传输线。传输线是
使用共面波导与接地设计
用0.0476一丝宽度平面模特“ ，跟踪
0.030 “ ，介质厚度0.028 ”的差距，
0.0021 “的金属厚度
ε
r
4.4 。
J6提供了一种装置，用于控制直流和数字
输入到设备中。从左下开始
销，所述第二销向右（ J6-3 ）连接
该设备V1或CTRL输入。第四个引脚来
右（ J6-7 ）被连接到所述设备V2或
CTRL / V
DD
输入。
图4.评估板布局
百富勤规格101/0083
图5.评估板电路图
百富勤规格102/0145
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典型性能数据@ -40 ° C至85°C （除非另有说明）
图6.插入损耗 - RFC到RF1
图7.输入1 dB压缩点IIP3 &
（典型表现@ 25°C ）
0
60
60
-0.3
-40°C
插入损耗（dB ）
50
50
1dB压缩点（ DBM）
IIP3 （ dBm的）
-0.6
40
40
-0.9
85°C
25°C
30
-1.2
30
-1.5
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
20
0
500
1000
1500
2000
2500
20
3000
频率（MHz）
频率（MHz）
图8.插入损耗 - RFC到RF2
图9.隔离 - RFC到RF1
（典型表现@ 25°C ）
0
0
-0.3
-40°C
插入损耗（dB ）
-20
-0.9
85°C
25°C
隔离度（dB ）
-0.6
-40
-60
-1.2
-80
-1.5
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
-100
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
频率（MHz）
频率（MHz）
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