【产品speci fi cationPE42422产品说明该PE42422是竖琴技术的增强型单刀双掷射】,IC型号PE42422MLAA-Z,PE42422MLAA-Z PDF资料,PE42422MLAA-Z经销商,ic,电子元器件-51电子网

产品speci fi cation

PE42422

产品说明

该PE42422是竖琴技术的增强型

单刀双掷射频开关设计成覆盖一个宽范围的

应用程序从100-6000兆赫。这种反射开关

具有低集成主板上的CMOS控制逻辑

电压CMOS兼容的控制接口和

无需外部组件。

百富勤的竖琴技术提供的增强功能

高线性度和出色的谐波性能。

这是UltraCMOS技术的创新功能

过程中，

提供性能优于砷化镓与

经济一体化和传统的CMOS 。

的UltraCMOS

SPDT RF开关

100 - 6000兆赫

特点

对称反射SPDT开关

低插入损耗

0.25分贝典型@

0.40分贝典型@

0.65分贝典型@

0.90分贝典型@

1000兆赫

3000兆赫

5000兆赫

6000兆赫

2.3V至5.5V的宽电源电压范围

卓越的线性度

115 dBm的IIP2

70 dBm的IIP3

高ESD耐受性

为4kV HBM在RF引脚GND

1kV的所有其他引脚

逻辑选择（ LS ）引脚提供

控制逻辑的最大灵活性

12导联的2x2毫米QFN封装

图1.功能框图

图2.封装类型

12导2x2x0.55毫米QFN

71-0068

文档编号70-0400-01

www.psemi.com

分页： 13 1

PE42422

产品speci fi cation

表1.电气规格

TEMP = 25°C

, V

= 2.3V至5.5V

= Z

= 50)

参数

工作频率

100-1000兆赫

1000-2000兆赫

插入损耗

RFX以RFC

2000-3000 MHZ

3000-4000兆赫

4000-5000兆赫

5000-6000兆赫

100-1000兆赫

1000-2000兆赫

隔离

RFX以RFC

2000-3000 MHZ

3000-4000兆赫

4000-5000兆赫

5000-6000兆赫

100-1000兆赫

1000-2000兆赫

2000-3000 MHZ

隔离

RFX到RFX

3000-4000兆赫

4000-5000兆赫

5000-6000兆赫

100-1000兆赫

1000-2000兆赫

回波损耗

RFX以RFC

2000-3000 MHZ

3000-4000兆赫

4000-5000兆赫

5000-6000兆赫

二阶谐波

RFX- RFC

+32 dBm的输出功率， 850/900 MHz的

+32 dBm的输出功率，一千九百分之一千八百兆赫

+32 dBm的输出功率， 850/900 MHz的

+32 dBm的输出功率，一千九百分之一千八百兆赫

频段I，II ，V ，VIII +17 dBm的CW @ TX频率在RFC ，

-15 dBm的CW @的2Tx - Rx的RFC ， 50Ω

100-6000 GHz的

50％的CTRL键（ 10％-90％），或（90 ％-10％）的射频

路径

条件

民

100

0.25

0.30

0.40

0.50

0.65

0.90

-67

-69

-61

-55

-115

115

典型值

最大

6000

0.35

0.40

0.50

0.70

0.90

1.25

单位

兆赫

dBc的

DBM

μs

第三谐波

IMD3

IIP2

IIP3

输入0.1分贝压缩

开关时间

注意事项：

RFX- RFC

RF- RFC

RFX

RFX或RFC

1.典型的表现在温度和V

所示

图4

通过

图20

2.高频性能可通过外部匹配得到改进（见

图21

通过

图26和图29）

分页： 13 2

文档编号70-0400-01

的UltraCMOS

RFIC解决方案

PE42422

产品speci fi cation

图3.引脚CON组fi guration （顶视图）

表4.工作范围

参数

电源电压

电源电流

RFX - RFC输入功率（ 50Ω ）

控制电压高

控制电压低

工作温度范围

1.2

-40

1.5

+25

民

2.3

典型值

3.3

120

最大

5.5

200

+32

3.3

0.5

+85

单位

DBM

°C

表5.绝对最大额定值

参数/条件

民

最大

+32

单位

DBM

最大

输入功率

描述

地

RF端口2

地

射频共

地

RF端口1

数字地

开关控制输入端， CMOS逻辑电平

逻辑的选择， CMOS逻辑电平

供应

理由器件正常工作

ESD HBM电压

RF引脚GND

所有其他引脚

ESD电压的MM ，所有引脚

储存温度

注意事项：

表2.引脚说明

PIN号

桨

引脚名称

GND

RF2

GND

RFC

4000

1000

200

-65

+150

°C

1. V

操作范围内的指定

表4

2. HBM ESD电压（ MIL_STD 883方法3015.7 ）

3. MM ESD电压（ JEDEC JESD22 - A115 -A ）

GND

RF1

DGND

GND

超过绝对最大额定值可能会导致

永久性损坏。操作应限制

在操作范围表的限制。

静电放电（ ESD ）注意事项

在处理这个的UltraCMOS

设备，观察

你将与使用相同的注意事项

其他ESD敏感设备。虽然这个设备

包含电路，以保护其免受损坏，由于

ESD ，应采取预防措施，以避免

超过规定的额定值。

闭锁避免

与传统的CMOS器件，而UltraCMOS

设备是免疫的闩锁。

湿度敏感度等级

对湿度敏感等级评级

PE42422在12导2x2x0.55毫米QFN

包MSL1 。

注1 ：只在需要时非零直流电压存在直电容

表3.真值表

路径

RFC-RF2

RFC-RF1

RFC-RF2

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第13 3

PE42422

产品speci fi cation

典型性能数据@ 25 ° C和V

= 3.3V ，除非另有规定编

图4.插入损耗RFX

图5.插入损耗VS温度（ RF1 - RFC ）

图7.插入损耗VS V

(RF1-RFC)

图6.插入损耗VS温度（ RF2 - RFC ）

图8.插入损耗VS V

(RF2-RFC)

注1 ：高频性能可通过外部匹配得到改善（见

图21

通过

图26和图29）

第13 4

文档编号70-0400-01

的UltraCMOS

RFIC解决方案

PE42422

产品speci fi cation

典型性能数据@ 25 ° C和V

= 3.3V ，除非另有规定编

图9. RFX - RFX隔离VS温度

图10. RFX - RFX隔离VS V

图11. RFC - RFX隔离VS温度

图12. RFC - RFX隔离VS V

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第13个5

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