产品speci fi cation
PE4230
产品说明
该PE4230的UltraCMOS 射频开关被设计为覆盖
广泛的，通过3000兆赫直流应用。这
单电源反射开关集成主板上的CMOS
控制逻辑由一简单的单销CMOS或TTL驱动
兼容控制输入。采用标称+ 3伏电源，
+32 dBm的典型输入1 dB压缩点可以
实现的。该PE4230也表现出了输入输出隔离
比39分贝更在1000兆赫，并采用小型8引脚
MSOP封装。
该PE4230 SPDT高功率的UltraCMOS 射频开关
在百富勤的专利超薄硅制造
（ UTSi ） CMOS工艺，提供GaAs组成与性能
经济一体化和传统的CMOS 。
图1.功能框图
RFC
SPDT大功率的UltraCMOS
RF开关
特点
单3伏电源
低插入损耗0.35分贝
1000兆赫为0.55分贝2000兆赫
高隔离39分贝1000兆赫，
30分贝在2000兆赫
典型的输入1 dB压缩点
+32 dBm的
单针CMOS或TTL逻辑控制
低成本
图2.封装类型
8引脚MSOP
RF1
RF2
CMOS
控制
司机
CTRL
表1.电气规格@ 25 ° C，V
DD
= 3 V
(Z
S
= Z
L
= 50
)
参数
工作频率
1
插入损耗
隔离 - RFC到RF1 / RF2
隔离 - RF1到RF2
回波损耗
“ON”切换时间
“OFF”开关时间
视频馈通
2
输入1 dB压缩
输入IP3
2000兆赫
2000兆赫， 17 dBm的
30
50
1000兆赫
2000兆赫
1000兆赫
2000兆赫
1000兆赫
2000兆赫
1000兆赫
2000兆赫
CTRL到0.1分贝终值， 2 GHz的
CTRL 25 dB的隔离， 2 GHz的
38
28
33.5
26.5
23.5
14.5
条件
最低
DC
典型
0.35
0.55
39
30
35
28
25.5
15.4
200
90
15
32
最大
3000
0.45
0.65
单位
兆赫
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
ns
ns
mV
pp
DBM
DBM
注：1.线性器件将开始降低10 MHz以下。
2.在交换机的任何端口的输出端的直流瞬态当控制电压从低电平转换到
高或高到低在50
测试设置，具有1ns的上升时间脉冲和500 MHz的带宽测量。
文档编号70-0029-02
│
www.psemi.com
2005 Peregrine半导体公司保留所有权利。
第1页7
PE4230
产品speci fi cation
图3.引脚CON组fi guration （顶视图）
V
DD
CTRL
GND
1
2
8
7
RF1
GND
GND
RF2
表4.绝对最大额定值
符号
V
DD
V
I
参数/条件
电源电压
在任何输入电压
除了CTRL输入
在CTRL输入电压
存储温度范围
工作温度
范围
输入功率（ 50Ω ）
静电放电电压（人体
模型）
民
-0.3
-0.3
最大
4.0
V
DD
+
0.3
5.0
150
85
35
250
单位
V
V
V
°C
°C
DBM
V
4230
3
4
6
5
V
CTRL
T
ST
T
OP
-65
-40
RFC
P
IN
V
ESD
表2.引脚说明
针
号
1
2
针
名字
V
DD
CTRL
描述
标称+ 3V电源连接。
CMOS或TTL逻辑电平：
高= RFC到RF1信号通路
低= RFC到RF2信号通路
接地连接。走线应
实际上较短的和连接到地
飞机的最佳性能。
常见的RF端口的交换机。
1
RF2端口。
1
接地连接。走线应
实际上较短的和连接到地
飞机的最佳性能。
接地连接。走线应
实际上较短的和连接到地
飞机的最佳性能。
RF1端口。
1
绝对最大额定值是那些价值
在上表中列出。超过这些值
可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应被限制到
在直流电气规格表的限制。
置身于绝对最大额定值
长时间可能会影响器件的可靠性。
表5.控制逻辑真值表
控制电压
CTRL = CMOS或TTL高
CTRL = CMOS或TTL低
3
GND
信道
RFC到RF1
RFC到RF2
4
5
6
RFC
RF2
GND
7
GND
8
RF1
注1 ：所有的RF引脚必须为直流阻断与外部
串联电容或为0V举行
DC
.
该控制逻辑输入引脚（ CTRL ）通常
由一个3伏的CMOS逻辑电平信号来驱动，并且
具有Ⅴ的50％的阈值
DD
。对于灵活性
有5伏的控制逻辑driv-支持系统
器，所述控制逻辑的输入已被设计为
处理5伏逻辑高电平信号。 （A最小电流
租金将源出的V
DD
脚的时候
控制逻辑输入电压超过V
DD
.)
闭锁避免
表3.直流电气规格
参数
V
DD
电源电压
I
DD
电源电流
(V
DD
= 3V, V
CNTL
= 3V)
控制电压高
控制电压低
0.7xV
DD
0.3xV
DD
民
2.7
典型值
3.0
29
最大
3.3
35
单位
V
A
V
V
与传统的CMOS器件，的UltraCMOS
设备是免疫的闩锁。
静电放电（ ESD ）注意事项
在处理这个的UltraCMOS 器件，观察
你将与使用相同的注意事项
其他ESD敏感设备。虽然这个设备
包含电路，以保护其免受损坏，由于
ESD ，应采取预防措施，以避免
超过表4规定的额定值。
2005 Peregrine半导体公司保留所有权利。
第2 7
文档编号70-0029-02
│
的UltraCMOS RFIC 解决方案
PE4230
产品speci fi cation
典型性能数据@ 25 ° C（除非另有说明）
图4.插入损耗 - RFC到RF1
T = -40 ° C至85°C
0
-40
8C
-0.4
85
8C
-0.8
图5.输入1dB压缩点
40
1dB压缩点（ DBM）
25
8C
插入损耗（dB ）
30
20
-1.2
-1.6
10
-2
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
频率（MHz）
频率（MHz）
图6.插入损耗 - RFC到RF2
T = -40 ° C至85°C
0
-40
8
C
-0.4
25
8
C
插入损耗（dB ）
85
8
C
-0.8
图7.隔离 - RFC到RF1
0
-20
-1.2
隔离度（dB ）
-40
-60
-1.6
-80
-2
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
-100
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
频率（MHz）
频率（MHz）
文档编号70-0029-02
│
www.psemi.com
2005 Peregrine半导体公司保留所有权利。
第3页7
PE4230
产品speci fi cation
典型性能数据@ 25°C
图8.隔离 - RFC到RF2
图9.隔离 - RF1到RF2 ， RF2为RF1
0
0
-20
-20
RF2
隔离度（dB ）
隔离度（dB ）
-40
-40
RF1
-60
-60
-80
-80
-100
0
500
1000
1500
2000
2500
-100
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
频率（MHz）
频率（MHz）
图10.回波损耗 - RFC
图11.回波损耗 - RF1 ， RF2
0
0
-10
回波损耗（分贝）
-10
回波损耗（分贝）
RF2
-20
-20
RF1
-30
-30
-40
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
-40
0
500
1000
1500
2000
2500
频率（MHz）
频率（MHz）
2005 Peregrine半导体公司保留所有权利。
第4 7
文档编号70-0029-02
│
的UltraCMOS RFIC 解决方案
PE4230
产品speci fi cation
评估套件
SPDT开关评估板是
旨在减轻客户评价
PE4230单刀双掷开关。射频常见的端口
通过50连接
传输线的
左上SMA连接器， J1 。端口1和端口2顷
经过50连
传输线的
在右侧的顶部的两个SMA连接器
板， J3和J4 。 A到传输线
连接SMA连接器J6和J8 。这
传输线可以被用来估计损失
印刷电路板在环境条件下的
被评估。
该板构成的两个金属层的FR4
材料具有0.031的总厚度“ 。该
底部层提供地面为射频
传输线。传输线是
使用共面波导与接地设计
用0.030一丝宽度平面模特“ ，跟踪
0.007 “ ，介质厚度0.028 ”的差距，
0.0014 “的金属厚度
ε
r
4.4 。
J2提供了一种装置，用于控制直流和数字
输入到设备中。从左下开始
销，所述第二销向右（ J2-3 ）连接
到设备CNTL输入。第四个引脚到
右（ J2-7 ）被连接到所述设备V
DD
输入。
去耦电容（ 100pF的）被设置在
无论CNTL和V
DD
痕迹。它是负责
客户以确定适当的电源
去耦为他们设计的应用程序。删除
这些组件从评估板
没有显示出降低的RF性能。
图12.评估板布局
百富勤规格101/0037
图13.评估板电路图
百富勤规格102/0035
文档编号70-0029-02
│
www.psemi.com
2005 Peregrine半导体公司保留所有权利。
第5页第7
产品speci fi cation
PE4230
产品说明
该PE4230的UltraCMOS 射频开关被设计为覆盖
广泛的，通过3000兆赫直流应用。这
单电源反射开关集成主板上的CMOS
控制逻辑由一简单的单销CMOS或TTL驱动
兼容控制输入。采用标称+ 3伏电源，
+32 dBm的典型输入1 dB压缩点可以
实现的。该PE4230也表现出了输入输出隔离
比39分贝更在1000兆赫，并采用小型8引脚
MSOP封装。
该PE4230 SPDT高功率的UltraCMOS 射频开关
在百富勤的专利超薄硅制造
（ UTSi ） CMOS工艺，提供GaAs组成与性能
经济一体化和传统的CMOS 。
图1.功能框图
RFC
SPDT大功率的UltraCMOS
RF开关
特点
单3伏电源
低插入损耗0.35分贝
1000兆赫为0.55分贝2000兆赫
高隔离39分贝1000兆赫，
30分贝在2000兆赫
典型的输入1 dB压缩点
+32 dBm的
单针CMOS或TTL逻辑控制
低成本
图2.封装类型
8引脚MSOP
RF1
RF2
CMOS
控制
司机
CTRL
表1.电气规格@ 25 ° C，V
DD
= 3 V
(Z
S
= Z
L
= 50
)
参数
工作频率
1
插入损耗
隔离 - RFC到RF1 / RF2
隔离 - RF1到RF2
回波损耗
“ON”切换时间
“OFF”开关时间
视频馈通
2
输入1 dB压缩
输入IP3
2000兆赫
2000兆赫， 17 dBm的
30
50
1000兆赫
2000兆赫
1000兆赫
2000兆赫
1000兆赫
2000兆赫
1000兆赫
2000兆赫
CTRL到0.1分贝终值， 2 GHz的
CTRL 25 dB的隔离， 2 GHz的
38
28
33.5
26.5
23.5
14.5
条件
最低
DC
典型
0.35
0.55
39
30
35
28
25.5
15.4
200
90
15
32
最大
3000
0.45
0.65
单位
兆赫
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
ns
ns
mV
pp
DBM
DBM
注：1.线性器件将开始降低10 MHz以下。
2.在交换机的任何端口的输出端的直流瞬态当控制电压从低电平转换到
高或高到低在50
测试设置，具有1ns的上升时间脉冲和500 MHz的带宽测量。
文档编号70-0029-02
│
www.psemi.com
2005 Peregrine半导体公司保留所有权利。
第1页7
PE4230
产品speci fi cation
图3.引脚CON组fi guration （顶视图）
V
DD
CTRL
GND
1
2
8
7
RF1
GND
GND
RF2
表4.绝对最大额定值
符号
V
DD
V
I
参数/条件
电源电压
在任何输入电压
除了CTRL输入
在CTRL输入电压
存储温度范围
工作温度
范围
输入功率（ 50Ω ）
静电放电电压（人体
模型）
民
-0.3
-0.3
最大
4.0
V
DD
+
0.3
5.0
150
85
35
250
单位
V
V
V
°C
°C
DBM
V
4230
3
4
6
5
V
CTRL
T
ST
T
OP
-65
-40
RFC
P
IN
V
ESD
表2.引脚说明
针
号
1
2
针
名字
V
DD
CTRL
描述
标称+ 3V电源连接。
CMOS或TTL逻辑电平：
高= RFC到RF1信号通路
低= RFC到RF2信号通路
接地连接。走线应
实际上较短的和连接到地
飞机的最佳性能。
常见的RF端口的交换机。
1
RF2端口。
1
接地连接。走线应
实际上较短的和连接到地
飞机的最佳性能。
接地连接。走线应
实际上较短的和连接到地
飞机的最佳性能。
RF1端口。
1
绝对最大额定值是那些价值
在上表中列出。超过这些值
可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应被限制到
在直流电气规格表的限制。
置身于绝对最大额定值
长时间可能会影响器件的可靠性。
表5.控制逻辑真值表
控制电压
CTRL = CMOS或TTL高
CTRL = CMOS或TTL低
3
GND
信道
RFC到RF1
RFC到RF2
4
5
6
RFC
RF2
GND
7
GND
8
RF1
注1 ：所有的RF引脚必须为直流阻断与外部
串联电容或为0V举行
DC
.
该控制逻辑输入引脚（ CTRL ）通常
由一个3伏的CMOS逻辑电平信号来驱动，并且
具有Ⅴ的50％的阈值
DD
。对于灵活性
有5伏的控制逻辑driv-支持系统
器，所述控制逻辑的输入已被设计为
处理5伏逻辑高电平信号。 （A最小电流
租金将源出的V
DD
脚的时候
控制逻辑输入电压超过V
DD
.)
闭锁避免
表3.直流电气规格
参数
V
DD
电源电压
I
DD
电源电流
(V
DD
= 3V, V
CNTL
= 3V)
控制电压高
控制电压低
0.7xV
DD
0.3xV
DD
民
2.7
典型值
3.0
29
最大
3.3
35
单位
V
A
V
V
与传统的CMOS器件，的UltraCMOS
设备是免疫的闩锁。
静电放电（ ESD ）注意事项
在处理这个的UltraCMOS 器件，观察
你将与使用相同的注意事项
其他ESD敏感设备。虽然这个设备
包含电路，以保护其免受损坏，由于
ESD ，应采取预防措施，以避免
超过表4规定的额定值。
2005 Peregrine半导体公司保留所有权利。
第2 7
文档编号70-0029-02
│
的UltraCMOS RFIC 解决方案
PE4230
产品speci fi cation
典型性能数据@ 25 ° C（除非另有说明）
图4.插入损耗 - RFC到RF1
T = -40 ° C至85°C
0
-40
8C
-0.4
85
8C
-0.8
图5.输入1dB压缩点
40
1dB压缩点（ DBM）
25
8C
插入损耗（dB ）
30
20
-1.2
-1.6
10
-2
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
频率（MHz）
频率（MHz）
图6.插入损耗 - RFC到RF2
T = -40 ° C至85°C
0
-40
8
C
-0.4
25
8
C
插入损耗（dB ）
85
8
C
-0.8
图7.隔离 - RFC到RF1
0
-20
-1.2
隔离度（dB ）
-40
-60
-1.6
-80
-2
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
-100
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
频率（MHz）
频率（MHz）
文档编号70-0029-02
│
www.psemi.com
2005 Peregrine半导体公司保留所有权利。
第3页7
PE4230
产品speci fi cation
典型性能数据@ 25°C
图8.隔离 - RFC到RF2
图9.隔离 - RF1到RF2 ， RF2为RF1
0
0
-20
-20
RF2
隔离度（dB ）
隔离度（dB ）
-40
-40
RF1
-60
-60
-80
-80
-100
0
500
1000
1500
2000
2500
-100
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
频率（MHz）
频率（MHz）
图10.回波损耗 - RFC
图11.回波损耗 - RF1 ， RF2
0
0
-10
回波损耗（分贝）
-10
回波损耗（分贝）
RF2
-20
-20
RF1
-30
-30
-40
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
-40
0
500
1000
1500
2000
2500
频率（MHz）
频率（MHz）
2005 Peregrine半导体公司保留所有权利。
第4 7
文档编号70-0029-02
│
的UltraCMOS RFIC 解决方案
PE4230
产品speci fi cation
评估套件
SPDT开关评估板是
旨在减轻客户评价
PE4230单刀双掷开关。射频常见的端口
通过50连接
传输线的
左上SMA连接器， J1 。端口1和端口2顷
经过50连
传输线的
在右侧的顶部的两个SMA连接器
板， J3和J4 。 A到传输线
连接SMA连接器J6和J8 。这
传输线可以被用来估计损失
印刷电路板在环境条件下的
被评估。
该板构成的两个金属层的FR4
材料具有0.031的总厚度“ 。该
底部层提供地面为射频
传输线。传输线是
使用共面波导与接地设计
用0.030一丝宽度平面模特“ ，跟踪
0.007 “ ，介质厚度0.028 ”的差距，
0.0014 “的金属厚度
ε
r
4.4 。
J2提供了一种装置，用于控制直流和数字
输入到设备中。从左下开始
销，所述第二销向右（ J2-3 ）连接
到设备CNTL输入。第四个引脚到
右（ J2-7 ）被连接到所述设备V
DD
输入。
去耦电容（ 100pF的）被设置在
无论CNTL和V
DD
痕迹。它是负责
客户以确定适当的电源
去耦为他们设计的应用程序。删除
这些组件从评估板
没有显示出降低的RF性能。
图12.评估板布局
百富勤规格101/0037
图13.评估板电路图
百富勤规格102/0035
文档编号70-0029-02
│
www.psemi.com
2005 Peregrine半导体公司保留所有权利。
第5页第7
QQ：2880707522 复制
