产品speci fi cation
PE4125
产品说明
该PE4125是一款高线性度，无源四路MOSFET搅拌机
支持GSM 800 &蜂窝基站接收机和展品
在很宽的LO驱动器系列高动态范围性能
高达20 dBm的。该混频器集成无源匹配网络
提供单端接口， RF和LO端口，
省去了外部的RF巴伦或匹配
网络。该PE4125的频率优化
使用高端LO注入了GSM 800 &下变频
蜂窝基站的应用程序，并且也适合于使用
在上转换应用程序。
该PE4125制造的百富勤的UltraCMOS
过程中，硅 - 绝缘体（ SOI）的一个专利的变异
技术在蓝宝石基板上，提供的性能
砷化镓随着经济一体化和传统的
CMOS 。
图1.功能框图
高线性四MOSFET混频器
支持GSM 800 &蜂窝基站
特点
集成的单端RF & LO
接口
高线性度： IIP3 > +32 dBm时，
820 - 920兆赫（ +17 dBm的LO ）
低转换损耗： 6.9分贝
（ +17 dBm的LO ）
高隔离度：典型的LO -IF在43分贝，
LO-RF在31分贝
专为低端LO注入
图2.封装类型
8引脚TSSOP
LO
RF
PE4125
IF
表1.交直流电气规格@ 25 ℃，
(Z
S
= Z
L
= 50
)
参数
频率范围：
LO
RF
IF
1
转换损耗
2
隔离：
LO-RF
LO -IF
输入IP3
输入1 dB压缩
注意事项：
30
38
30
最低
890
820
--
典型
--
--
70
7.0
31.5
40
32
22
最大
990
920
--
7.4
单位
兆赫
兆赫
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
70兆赫1，一种IF频率是标称频率。 IF频率可以由用户只要将其指定为RF和LO频率
是规定的最大和最小范围内。
2.变频损耗包括中频变压器（M / A COM ETC1-1-13 ，标称损失0.7分贝在70兆赫）的损失。
*测试条件下，除非另有说明： IF = 70 MHz的LO输入驱动= 17 dBm时， RF输入驱动= 3 dBm的。
文档编号70-0044-05
│
www.psemi.com
2006 Peregrine半导体公司保留所有权利。
第1页8
PE4125
产品speci fi cation
图3.引脚CON组fi guration （顶视图）
表3.绝对最大额定值
符号
参数/条件
存储温度范围
工作温度
范围
LO输入功率
RF输入功率
ESD敏感器件
民
-65
-40
最大
150
85
20
12
250
单位
°C
°C
DBM
DBM
V
LO
GND
RF
1
2
3
8
7
6
5
GND
IF1
T
ST
T
OP
P
LO
IF2
GND
P
RF
V
ESD
GND
4
PE4125
表2.引脚说明
针
号
1
针
名字
LO
LO输入
描述
绝对最大额定值是那些价值
在上表中列出。超过这些值
可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应被限制到
在直流电气规格表的限制。
置身于绝对最大额定值
长时间可能会影响器件的可靠性。
静电放电（ ESD ）注意事项
在处理这个的UltraCMOS 器件，观察
你将与使用相同的注意事项
其他ESD敏感设备。虽然这个设备
包含电路，以保护其免受损坏，由于
ESD ，应采取预防措施，以避免
超过规定的额定值。
闭锁避免
2
GND
接地连接的调音台。痕迹
应该是身体短而连接
马上到地平面的最好
性能。
RF输入
地面上。
地面上。
IF差分输出
IF差分输出
地面上。
3
4
5
6
7
8
RF
GND
GND
IF2
IF1
GND
与传统的CMOS器件，的UltraCMOS
设备是免疫的闩锁。
2006 Peregrine半导体公司保留所有权利。
第2页8
文档编号70-0044-05
│
的UltraCMOS RFIC 解决方案
PE4125
产品speci fi cation
评估套件
图4.评估板布局
百富勤规格101/0054
表4.材料清单
参考
T2
U1 （未标示）
R1
J1, J2, J3
值/说明
M / A COM ETC1-1-13
PE4125搅拌机
0
SMA连接器
Pin1
应用支持
如果你有一个问题，您的评估套件，或者
你有申请的问题，请联系
应用支持：
电子邮件： help@psemi.com （最快响应）
电话： （ 858 ） 731-9400
图5.评估板原理图
LO
LO
GND
GND
T2
IF1
IF2
GND
IF
RF
RF
GND
PE4125
T2 ， M / A - COM E系列RF 1 ：1的变压器ETC1-1-13
图6.评估板测试框图， 2-音频设置
4125
PA
3分贝
SIG
根
LO
EVAL
板
IF
3分贝
RF
3分贝
SPECTRUM
分析仪
SIG
根
6分贝
混合动力
T恤
6分贝
SIG
根
文档编号70-0044-05
│
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2006 Peregrine半导体公司保留所有权利。
第3页8
PE4125
产品speci fi cation
典型性能曲线
（ LO = 17 dBm时， RF = 3的dBm时， IF = 70 MHz）的
图7.转换损耗与频率的关系
0
图8.输入1dB压缩与频率的关系
25
-2
20
1dB压缩（ DBM）
转换损耗（dB ）
-4
15
-40 C
25 C
85 C
-6
10
1dB压缩测得LO = 14dBm
5
-8
-40 C
25 C
85 C
-10
800
825
850
875
频率（MHz）
900
925
950
0
820
840
860
880
900
920
频率（MHz）
图9.输入IP3与频率的关系
图10.输出IP3与频率的关系
40
35
30
25
30
25
IIP3 （ dBm的）
20
15
10
5
0
800
5
-40 C
25 C 85 C
OIP3 （ dBm的）
20
-40 C
25 C
85 C
15
10
825
850
875
频率（MHz）
900
925
950
0
800
825
850
875
频率（MHz）
900
925
950
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│
的UltraCMOS RFIC 解决方案
PE4125
产品speci fi cation
典型性能曲线
（ LO = 17 dBm时， RF = 3的dBm时， IF = 70 MHz）的
图11. LO-RF隔离与频率的关系
图12. LO- IF隔离与频率的关系
0
0
-10
-10
-20
隔离度（dB ）
隔离度（dB ）
-40 C
25 C
85 C
-20
25 C
85 C
-30
-40
-30
-50
-40 C
825
850
875
频率（MHz）
900
925
950
-40
800
-60
800
825
850
875
频率（MHz）
900
925
950
图13. LO端口回波损耗与频率的关系
图14. RF端口回波损耗与频率的关系
0
0
-5
-5
LO端口回损（分贝）
射频端口回损（ dB）的
-10
-15
-10
-20
85 C
-15
25 C
-40 C
-20
600
-25
-40 C
-30
25 C
85 C
700
800
900
1000
1100
1200
1300
1400
-35
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300
1400
频率（MHz）
回波损耗频率
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产品说明
该PE4125是一款高线性度，无源四路MOSFET搅拌机
支持GSM 800 &蜂窝基站接收机和展品
在很宽的LO驱动器系列高动态范围性能
高达20 dBm的。该混频器集成无源匹配网络
提供单端接口， RF和LO端口，
省去了外部的RF巴伦或匹配
网络。该PE4125的频率优化
使用高端LO注入了GSM 800 &下变频
蜂窝基站的应用程序，并且也适合于使用
在上转换应用程序。
该PE4125制造的百富勤的UltraCMOS
过程中，硅 - 绝缘体（ SOI）的一个专利的变异
技术在蓝宝石基板上，提供的性能
砷化镓随着经济一体化和传统的
CMOS 。
图1.功能框图
高线性四MOSFET混频器
支持GSM 800 &蜂窝基站
特点
集成的单端RF & LO
接口
高线性度： IIP3 > +32 dBm时，
820 - 920兆赫（ +17 dBm的LO ）
低转换损耗： 6.9分贝
（ +17 dBm的LO ）
高隔离度：典型的LO -IF在43分贝，
LO-RF在31分贝
专为低端LO注入
图2.封装类型
8引脚TSSOP
LO
RF
PE4125
IF
表1.交直流电气规格@ 25 ℃，
(Z
S
= Z
L
= 50
)
参数
频率范围：
LO
RF
IF
1
转换损耗
2
隔离：
LO-RF
LO -IF
输入IP3
输入1 dB压缩
注意事项：
30
38
30
最低
890
820
--
典型
--
--
70
7.0
31.5
40
32
22
最大
990
920
--
7.4
单位
兆赫
兆赫
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
70兆赫1，一种IF频率是标称频率。 IF频率可以由用户只要将其指定为RF和LO频率
是规定的最大和最小范围内。
2.变频损耗包括中频变压器（M / A COM ETC1-1-13 ，标称损失0.7分贝在70兆赫）的损失。
*测试条件下，除非另有说明： IF = 70 MHz的LO输入驱动= 17 dBm时， RF输入驱动= 3 dBm的。
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图3.引脚CON组fi guration （顶视图）
表3.绝对最大额定值
符号
参数/条件
存储温度范围
工作温度
范围
LO输入功率
RF输入功率
ESD敏感器件
民
-65
-40
最大
150
85
20
12
250
单位
°C
°C
DBM
DBM
V
LO
GND
RF
1
2
3
8
7
6
5
GND
IF1
T
ST
T
OP
P
LO
IF2
GND
P
RF
V
ESD
GND
4
PE4125
表2.引脚说明
针
号
1
针
名字
LO
LO输入
描述
绝对最大额定值是那些价值
在上表中列出。超过这些值
可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应被限制到
在直流电气规格表的限制。
置身于绝对最大额定值
长时间可能会影响器件的可靠性。
静电放电（ ESD ）注意事项
在处理这个的UltraCMOS 器件，观察
你将与使用相同的注意事项
其他ESD敏感设备。虽然这个设备
包含电路，以保护其免受损坏，由于
ESD ，应采取预防措施，以避免
超过规定的额定值。
闭锁避免
2
GND
接地连接的调音台。痕迹
应该是身体短而连接
马上到地平面的最好
性能。
RF输入
地面上。
地面上。
IF差分输出
IF差分输出
地面上。
3
4
5
6
7
8
RF
GND
GND
IF2
IF1
GND
与传统的CMOS器件，的UltraCMOS
设备是免疫的闩锁。
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的UltraCMOS RFIC 解决方案
PE4125
产品speci fi cation
评估套件
图4.评估板布局
百富勤规格101/0054
表4.材料清单
参考
T2
U1 （未标示）
R1
J1, J2, J3
值/说明
M / A COM ETC1-1-13
PE4125搅拌机
0
SMA连接器
Pin1
应用支持
如果你有一个问题，您的评估套件，或者
你有申请的问题，请联系
应用支持：
电子邮件： help@psemi.com （最快响应）
电话： （ 858 ） 731-9400
图5.评估板原理图
LO
LO
GND
GND
T2
IF1
IF2
GND
IF
RF
RF
GND
PE4125
T2 ， M / A - COM E系列RF 1 ：1的变压器ETC1-1-13
图6.评估板测试框图， 2-音频设置
4125
PA
3分贝
SIG
根
LO
EVAL
板
IF
3分贝
RF
3分贝
SPECTRUM
分析仪
SIG
根
6分贝
混合动力
T恤
6分贝
SIG
根
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典型性能曲线
（ LO = 17 dBm时， RF = 3的dBm时， IF = 70 MHz）的
图7.转换损耗与频率的关系
0
图8.输入1dB压缩与频率的关系
25
-2
20
1dB压缩（ DBM）
转换损耗（dB ）
-4
15
-40 C
25 C
85 C
-6
10
1dB压缩测得LO = 14dBm
5
-8
-40 C
25 C
85 C
-10
800
825
850
875
频率（MHz）
900
925
950
0
820
840
860
880
900
920
频率（MHz）
图9.输入IP3与频率的关系
图10.输出IP3与频率的关系
40
35
30
25
30
25
IIP3 （ dBm的）
20
15
10
5
0
800
5
-40 C
25 C 85 C
OIP3 （ dBm的）
20
-40 C
25 C
85 C
15
10
825
850
875
频率（MHz）
900
925
950
0
800
825
850
875
频率（MHz）
900
925
950
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的UltraCMOS RFIC 解决方案
PE4125
产品speci fi cation
典型性能曲线
（ LO = 17 dBm时， RF = 3的dBm时， IF = 70 MHz）的
图11. LO-RF隔离与频率的关系
图12. LO- IF隔离与频率的关系
0
0
-10
-10
-20
隔离度（dB ）
隔离度（dB ）
-40 C
25 C
85 C
-20
25 C
85 C
-30
-40
-30
-50
-40 C
825
850
875
频率（MHz）
900
925
950
-40
800
-60
800
825
850
875
频率（MHz）
900
925
950
图13. LO端口回波损耗与频率的关系
图14. RF端口回波损耗与频率的关系
0
0
-5
-5
LO端口回损（分贝）
射频端口回损（ dB）的
-10
-15
-10
-20
85 C
-15
25 C
-40 C
-20
600
-25
-40 C
-30
25 C
85 C
700
800
900
1000
1100
1200
1300
1400
-35
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300
1400
频率（MHz）
回波损耗频率
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