小信号分立器件解决方案
作为汽车制造商努力提高安全性，性能，舒适性和
燃料 - 英法fi效率水平，车辆的半导体含量上升和电子
系统正变得越来越复杂。因此，系统供应商必须满足
日益严格的要求。在这两种汽车的基础上我们的专业知识
和小信号分立器件解决方案，飞利浦提供了一个广泛的离散组合
组件，帮助供应商达到严格和多样化的技术要求
在汽车电子。宽范围，使汽车设计者是
灵活的在他们的设计中。通过集成产品的手段的部件数
降低，从而可以降低成本。
我们的所有新产品发布在著名的SOT23封装，
以及在像SOT323 （SC- 70） ， SOD323更小封装（SC- 76）
和SOD323F （ SC - 90 ） 。为了支持朝着一体化的趋势也
多个晶体管和二极管可集成到只是一个
单包像SOT457 （ SC - 74）和SOT363 （ SC - 88 ） 。
飞利浦拥有全部到位的技术引领小信号的方式
分立器件产品，让开发汽车应用
将驱动未来。
关键的家庭
- 低V
CESAT
（ BISS ）晶体管
- 电阻 - 配备晶体管（分辨率增强技术）
- 复杂的分立器件
BISS Loadswitches
匹配的晶体管配对
MOSFET驱动器
- 低V
F
（ MEGA ）肖特基整流器器
- ESD保护二极管
重点班妮科幻TS
- 更多的权力
- 降低成本
- 更多功能
- 提高可靠性
- 汽车包
3
低V
CESAT
（ BISS ）晶体管
这些突破性小信号（ BISS ）晶体管提供最好的一流的
因此，英法fi效率，得到了热出您的应用程序。这些成本效益
替代中等功率晶体管提供1 - 5 SOT223的一种功能
（ SC - 73 ） ， SOT89 （ SC - 62 ） ， SOT23和SOT457 （ SC - 74 ） 。
主要特点
- 减少热和电抗性
- 高达5 A集电极电流能力我
C
- 高达10 A的峰值集电极电流I
CM
- 高性能boardspace比
- 高电流增益
FE
- 即使在高我
C
- 可用的产品范围广泛
重点班妮科幻TS
- 减少热量的产生，因此，在使用
高温环境下可能
- 成本效益的替代介质
功率晶体管
- 小信号性能提高
离散足迹
VCC
调节器
MSD923
DC / DC转换器
主要应用领域
- 应用中的热量是一个问题
（例如引擎 - 或仪表板安装
组件）
- 高和低侧开关，例如在控制
单位
- 司机在低电源电压应用，
例如风机，电机
- 感性负载的驱动程序，例如继电器，蜂鸣器
- MOSFET驱动器
减少热量的产生与BISS晶体管
SOT223 ：我
C
= 1.55 ;我
B
= 0.1 A; PCB的FR4 + 1厘米
2
Cu
BCP51 ，T
j
= 130°C
PBSS9110Z ，T
j
= 103°C
SOT223 （ SC- 73 ）
PBSS5350Z ，T
j
= 60°C
SOT89 （ SC- 62 ）
PBSS5540Z ，T
j
= 45°C
SOT23
SOT457 （ SC- 74 ）
P
合计
2000毫瓦
I
C
(A)
V
首席执行官
(V)
30
1.0
40
60
100
30
2.0
40
50
20
30
3.0
50
60
80
100
4.0
5.0
40
80
20
PBSS4540Z
PBSS5540Z
PBSS4350Z
PBSS5350Z
PBSS8110Z
PBSS9110Z
NPN
PNP
P
合计
1300毫瓦
NPN
PNP
NPN
P
合计
480毫瓦
PNP
PBSS5130T
PBSS5140T
PBSS5160T
PBSS9110T
PBSS5230T
PBSS5240T
PBSS5350T
NPN
PBSS4130T
PBSS4140T
PBSS4160T
PBSS8110T
PBSS4230T
PBSS4240T
P
合计
750毫瓦
PNP
PBSS4140DPN （ NPN / PNP ）
PBSS8110D
PBSS9110D
PBSS4240DPN （ NPN / PNP ）
PBSS4250X
PBSS4320X
PBSS4330X
PBSS4350X
PBSS5250X
PBSS5320X
PBSS5330X
PBSS5350X
PBSS4350T
PBSS4350D
PBSS303ND
PBSS304ND
PBSS305ND
PBSS5350D
PBSS303PD
PBSS304PD
PBSS305PD
PBSS5440D
PBSS4540X
PBSS4480X
PBSS4520X
PBSS5540X
PBSS5480X
PBSS5520X
PBSS4440D
4
电阻配备晶体管（分辨率增强技术）
为汽车行业开发特别是， 500毫安可再生能源技术相结合的晶体管
用两个电阻来提供用于数字应用的最佳解决方案集成
车载系统，例如控制单元。也有单一个广泛的产品组合
和双百毫安可再生能源技术可用于标准的小信号数字化应用。
主要特点
- 集成的晶体管和两个电阻
一包
- 初始500毫安组合与几个电阻
SOT23和SOT346组合（ SC- 59A ）
- 进一步电阻器组合和双
版本计划
重点班妮科幻TS
- 降低处理成本和库存成本
- 减少boardspace要求
- 更短的安装时间并减少
拾取和放置的努力
- 简单的设计过程
- 提高最终产品的可靠性，由于
更少的焊接点
SOT23
SOT346 （ SC- 59A ）
动力
供应
R4
R3
控制
输入
R1
R2
Tr2
Tr1
RLOAD
高边开关
bra182
主要应用领域
- 数字化应用
- 开关负载，如对于仪表板
- 控制IC的输入，例如发动机
控制单元
500毫安可再生能源技术
I
C
MAX 。 （MA ）
500
V
首席执行官
MAX 。 （V ）
50
R1 （ kΩ的）
1
2.2
1
2.2
R2值（kΩ ）
1
2.2
10
10
NPN
PDTD113ET
PDTD123ET
PDTD113ZT
PDTD123YT
PNP
PDTB113ET
PDTB123ET
PDTB113ZT
PDTB123YT
NPN
PDTD113EK
PDTD123EK
PDTD113ZK
PDTD123YK
PNP
PDTB113EK
PDTB123EK
PDTB113ZK
PDTB123YK
SOT363 （ SC -88 ）
百毫安可再生能源技术
SOT23
SOT323 （ SC- 70 ）
CON组fi guration
I
C
MAX 。 （MA ）
V
首席执行官
MAX 。 （V ）
R1 （ kΩ）连接R2 （千欧）
2.2
R1 = R2
4.7
10
22
47
100
2.2
2.2
4.7
R1
≠
R2
100
50
4.7
10
22
47
47
2.2
只有R1
4.7
10
22
47
100
2.2
4.7
10
22
47
100
10
47
10
47
47
47
10
22
-
-
-
-
-
-
NPN
PDTC123ET
PDTC143ET
PDTC114ET
PDTC124ET
PDTC144ET
PDTC115ET
PDTC123YT
PDTC123JT
PDTC143XT
PDTC143ZT
PDTC114YT
PDTC124XT
PDTC144VT
PDTC144WT
PDTC123TT
PDTC143TT
PDTC114TT
PDTC124TT
PDTC144TT
PDTC115TT
PNP
PDTA123ET
PDTA143ET
PDTA114ET
PDTA124ET
PDTA144ET
PDTA115ET
PDTA123YT
PDTA123JT
PDTA143XT
PDTA143ZT
PDTA114YT
PDTA124XT
PDTA144VT
单身
NPN
PDTC123EU
PDTC143EU
PDTC114EU
PDTC124EU
PDTC144EU
PDTC115EU
PDTC123YU
PDTC123JU
PDTC143XU
PDTC143ZU
PDTC114YU
PDTC124XU
PDTC144VU
PDTC144WU
PDTC123TU
PDTC143TU
PDTC114TU
PDTC124TU
PDTC144TU
PDTC115TU
PNP
PDTA123EU
PDTA143EU
PDTA114EU
PDTA124EU
PDTA144EU
PDTA115EU
PDTA123YU
PDTA123JU
PDTA143XU
PDTA143ZU
PDTA114YU
PDTA124XU
PDTA144VU
PDTA144WU
PDTA123TU
PDTA143TU
PDTA114TU
PDTA124TU
PDTA144TU
PDTA115TU
PUMH17
PUMH30
PUMH7
PUMH4
PUMH19
PUMH14
PUMH10
PUMH18
PUMH13
PUMH9
PUMH16
NPN / NPN
PUMH20
PUMH15
PUMH11
PUMH1
PUMH2
PUMH24
双
NPN / PNP
PUMD20
PUMD15
PUMD3
PUMD2
PUMD12
PUMD24
PUMD10
PUMD18
PUMD13
PUMD9
PUMD16
PUMD17
PUMD30
PUMD6
PUMD4
PUMD19
PUMD14
PNP / PNP
PUMB20
PUMB15
PUMB11
PUMB1
PUMB2
PUMB24
PUMB10
PUMB18
PUMB13
PUMB9
PUMB16
PUMB17
PUMB30
PUMB3
PUMB4
PUMB19
PUMB14
PDTA144WT
PDTA123TT
PDTA143TT
PDTA114TT
PDTA124TT
PDTA144TT
PDTA115TT
5
PDTD123E系列
NPN 500毫安， 50 V电阻配备晶体管;
R1 = 2.2千欧，R2 = 2.2千欧
牧师02 - 2009年11月16日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
500毫安NPN电阻配备齐全的晶体管（ RET ）的家庭。
表1中。
产品概述
包
恩智浦
PDTD123EK
PDTD123ES
[1]
PDTD123ET
[1]
类型编号
PNP补充
JEITA
SC-59A
SC-43A
-
JEDEC
TO-236
TO-92
TO-236AB
PDTB123EK
PDTB123ES
PDTB123ET
SOT346
SOT54
SOT23
此外，在SOT54A和SOT54变种封装（见
第2节） 。
1.2产品特点
内置偏置电阻
简化网络连接的ES电路设计
500毫安输出电流能力
减少了元件数量
减少取放成本
±10
％电阻容差的比例
1.3应用
在汽车电子化的应用和
工业领域
控制IC的输入
节约成本的替代BC817系列
在数字应用
负荷开关
1.4快速参考数据
表2中。
符号
V
首席执行官
I
O
R1
R2/R1
快速参考数据
参数
集电极 - 发射极电压
输出直流（DC）
偏置电阻器1 （输入）
偏置电阻率
条件
开基
民
-
-
1.54
0.9
典型值
-
-
2.2
1.0
最大
50
500
2.86
1.1
单位
V
mA
kΩ
恩智浦半导体
PDTD123E系列
NPN 500毫安电阻配备晶体管; R1 = 2.2千欧，R2 = 2.2千欧
2.管脚信息
表3中。
针
SOT54
1
2
3
输入端（基极）
输出（集电极）
GND （发射器）
R1
钉扎
描述
简化的轮廓
符号
2
1
2
3
001aab347
006aaa145
1
R2
3
SOT54A
1
2
3
输入端（基极）
输出（集电极）
GND （发射器）
R1
2
1
2
3
001aab348
006aaa145
1
R2
3
SOT54变种
1
2
3
输入端（基极）
输出（集电极）
GND （发射器）
R1
2
1
2
3
001aab447
006aaa145
1
R2
3
SOT23 ， SOT346
1
2
3
输入端（基极）
GND （发射器）
输出（集电极）
1
2
006aaa144
sym007
3
R1
3
1
R2
2
PDTD123E_SER_2
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师02 - 2009年11月16日
2 10
恩智浦半导体
PDTD123E系列
NPN 500毫安电阻配备晶体管; R1 = 2.2千欧，R2 = 2.2千欧
3.订购信息
表4 。
订购信息
包
名字
PDTD123EK
PDTD123ES
[1]
PDTD123ET
[1]
类型编号
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
VERSION
SOT346
SC-59A
SC-43A
-
塑料单端含铅（通孔）包; SOT54
3 LEADS
塑料表面贴装封装; 3引线
SOT23
此外，在SOT54A和SOT54变种封装（见
第2节
和
第9节） 。
4.标记
表5 。
标记代码
标识代码
[1]
E3
D123ES
*7T
类型编号
PDTD123EK
PDTD123ES
PDTD123ET
[1]
* = - ：香港制造
* = P ：香港制造
* = T：在马来西亚
* = W ：中国制造
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
负
I
O
P
合计
输出直流（DC）
总功耗
SOT346
SOT54
SOT23
T
英镑
T
j
T
AMB
[1]
条件
发射极开路
开基
集电极开路
民
-
-
-
-
-
-
最大
50
50
10
+12
10
500
250
500
250
+150
150
+150
单位
V
V
V
V
V
mA
mW
mW
mW
°C
°C
°C
T
AMB
≤
25
°C
[1]
-
-
-
65
-
65
储存温度
结温
环境温度
设备安装在一FR4印刷电路板（PCB） ，单面铜，镀锡和标准
足迹。
NXP B.V. 2009保留所有权利。
PDTD123E_SER_2
产品数据表
牧师02 - 2009年11月16日
3 10
恩智浦半导体
PDTD123E系列
NPN 500毫安电阻配备晶体管; R1 = 2.2千欧，R2 = 2.2千欧
6.热特性
表7中。
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
从热阻
结到环境
SOT346
SOT54
SOT23
[1]
条件
在自由空气
[1]
民
典型值
最大
单位
-
-
-
-
-
-
500
250
500
K / W
K / W
K / W
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
7.特点
表8 。
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2/R1
C
c
参数
条件
民
-
-
-
-
40
-
0.6
1.0
1.54
0.9
-
典型值
-
-
-
-
-
-
1.1
1.5
2.2
1.0
7
最大
100
100
0.5
2
-
0.3
1.8
2.0
2.86
1.1
-
pF
V
V
V
kΩ
单位
nA
nA
μA
mA
集电极 - 基极截止V
CB
= 40 V ;我
E
= 0 A
当前
V
CB
= 50 V ;我
E
= 0 A
集电极 - 发射极
截止电流
发射极 - 基极截止
当前
直流电流增益
集电极 - 发射极
饱和电压
断态输入
电压
通态输入
电压
偏置电阻器1 （输入）
偏置电阻率
集电极电容V
CB
= 10 V ;我
E
= i
e
= 0 A;
F = 100 MHz的
V
CE
= 50 V ;我
B
= 0 A
V
EB
= 5 V ;我
C
= 0 A
V
CE
= 5 V ;我
C
= 50毫安
I
C
= 50毫安;我
B
= 2.5毫安
V
CE
= 5 V ;我
C
= 100
μA
V
CE
= 0.3 V ;我
C
= 20毫安
PDTD123E_SER_2
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师02 - 2009年11月16日
4 10
恩智浦半导体
PDTD123E系列
NPN 500毫安电阻配备晶体管; R1 = 2.2千欧，R2 = 2.2千欧
10
3
h
FE
10
2
006aaa318
(1)
(2)
(3)
10
1
006aaa319
V
CESAT
(V)
10
(1)
(2)
(3)
1
10
1
10
1
1
10
10
2
I
C
（MA ）
10
3
10
2
1
10
I
C
（MA ）
10
2
V
CE
= 5 V
(1) T
AMB
= 100
°C
(2) T
AMB
= 25
°C
(3) T
AMB
=
40 °C
I
C
/I
B
= 20
(1) T
AMB
= 100
°C
(2) T
AMB
= 25
°C
(3) T
AMB
=
40 °C
图1 。
直流电流增益作为集电体的功能
电流;典型值
10
006aaa320
图2 。
集电极 - 发射极饱和电压为
集电极电流的函数;典型值
10
006aaa321
V
我（上）
(V)
(1)
V
我（关闭）
(V)
(1)
1
(2)
(3)
1
(2)
(3)
10
1
10
1
1
10
10
2
I
C
（MA ）
10
3
10
1
10
1
1
I
C
（MA ）
10
V
CE
= 0.3 V
(1) T
AMB
=
40 °C
(2) T
AMB
= 25
°C
(3) T
AMB
= 100
°C
V
CE
= 5 V
(1) T
AMB
=
40 °C
(2) T
AMB
= 25
°C
(3) T
AMB
= 100
°C
图3 。
导通状态的输入电压的一个函数
集电极电流;典型值
图4 。
断态输入电压的函数
集电极电流;典型值
PDTD123E_SER_2
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师02 - 2009年11月16日
5 10
PDTD123E系列
NPN 500毫安， 50 V电阻配备晶体管;
R1 = 2.2千欧，R2 = 2.2千欧
版本01 - 2005年4月8日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
500毫安NPN电阻配备齐全的晶体管（ RET ）的家庭。
表1：
产品概述
包
飞利浦
PDTD123EK
PDTD123ES
[1]
PDTD123ET
[1]
类型编号
PNP补充
JEITA
SC-59A
SC-43A
-
JEDEC
TO-236
TO-92
TO-236AB
PDTB123EK
PDTB123ES
PDTB123ET
SOT346
SOT54
SOT23
此外，在SOT54A和SOT54变种封装（见
第2节） 。
1.2产品特点
s
内置偏置电阻
s
简化网络连接的ES电路设计
s
500毫安输出电流能力
s
减少了元件数量
s
减少取放成本
s
±10
％电阻容差的比例
1.3应用
s
在汽车电子化的应用和
工业领域
s
控制IC的输入
s
节约成本的替代BC817系列
在数字应用
s
负荷开关
1.4快速参考数据
表2：
符号
V
首席执行官
I
O
R1
R2/R1
快速参考数据
参数
集电极 - 发射极电压
输出直流（DC）
偏置电阻器1 （输入）
偏置电阻率
条件
开基
民
-
-
1.54
0.9
典型值
-
-
2.2
1.0
最大
50
500
2.86
1.1
单位
V
mA
k
飞利浦半导体
PDTD123E系列
NPN 500毫安电阻配备晶体管; R1 = 2.2千欧，R2 = 2.2千欧
2.管脚信息
表3：
针
SOT54
1
2
3
输入端（基极）
输出（集电极）
GND （发射器）
R1
钉扎
描述
简化的轮廓
符号
2
1
2
3
001aab347
006aaa145
1
R2
3
SOT54A
1
2
3
输入端（基极）
输出（集电极）
GND （发射器）
R1
2
1
2
3
001aab348
006aaa145
1
R2
3
SOT54变种
1
2
3
输入端（基极）
输出（集电极）
GND （发射器）
R1
2
1
2
3
001aab447
006aaa145
1
R2
3
SOT23 ， SOT346
1
2
3
输入端（基极）
GND （发射器）
输出（集电极）
1
2
006aaa144
sym007
3
R1
3
1
R2
2
9397 750 14582
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产品数据表
版本01 - 2005年4月8日
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飞利浦半导体
PDTD123E系列
NPN 500毫安电阻配备晶体管; R1 = 2.2千欧，R2 = 2.2千欧
3.订购信息
表4：
订购信息
包
名字
PDTD123EK
PDTD123ES
[1]
PDTD123ET
[1]
类型编号
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
VERSION
SOT346
SC-59A
SC-43A
-
塑料单端含铅（通孔）包; SOT54
3 LEADS
塑料表面贴装封装; 3引线
SOT23
此外，在SOT54A和SOT54变种封装（见
第2节
和
第9节） 。
4.标记
表5：
标记代码
标识代码
[1]
E3
D123ES
*7T
类型编号
PDTD123EK
PDTD123ES
PDTD123ET
[1]
* = - ：香港制造
* = P ：香港制造
* = T：在马来西亚
* = W ：中国制造
5.极限值
表6：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
负
I
O
P
合计
输出直流（DC）
总功耗
SOT346
SOT54
SOT23
T
英镑
T
j
T
AMB
[1]
条件
发射极开路
开基
集电极开路
民
-
-
-
-
-
-
最大
50
50
10
+12
10
500
250
500
250
+150
150
+150
单位
V
V
V
V
V
mA
mW
mW
mW
°C
°C
°C
T
AMB
≤
25
°C
[1]
-
-
-
65
-
65
储存温度
结温
环境温度
设备安装在一FR4印刷电路板（PCB） ，单面铜，镀锡和标准
足迹。
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PDTD123E系列
NPN 500毫安电阻配备晶体管; R1 = 2.2千欧，R2 = 2.2千欧
6.热特性
表7：
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
从热阻
结到环境
SOT346
SOT54
SOT23
[1]
条件
在自由空气
[1]
民
典型值
最大
单位
-
-
-
-
-
-
500
250
500
K / W
K / W
K / W
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
7.特点
表8：
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2/R1
C
c
参数
条件
民
-
-
-
-
40
-
0.6
1.0
1.54
0.9
-
典型值
-
-
-
-
-
-
1.1
1.5
2.2
1.0
7
最大
100
100
0.5
2
-
0.3
1.8
2.0
2.86
1.1
-
pF
V
V
V
k
单位
nA
nA
A
mA
集电极 - 基极截止V
CB
= 40 V ;我
E
= 0 A
当前
V
CB
= 50 V ;我
E
= 0 A
集电极 - 发射极
截止电流
发射极 - 基极截止
当前
直流电流增益
集电极 - 发射极
饱和电压
断态输入
电压
通态输入
电压
偏置电阻器1 （输入）
偏置电阻率
集电极电容V
CB
= 10 V ;我
E
= i
e
= 0 A;
F = 100 MHz的
V
CE
= 50 V ;我
B
= 0 A
V
EB
= 5 V ;我
C
= 0 A
V
CE
= 5 V ;我
C
= 50毫安
I
C
= 50毫安;我
B
= 2.5毫安
V
CE
= 5 V ;我
C
= 100
A
V
CE
= 0.3 V ;我
C
= 20毫安
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NPN 500毫安电阻配备晶体管; R1 = 2.2千欧，R2 = 2.2千欧
10
3
h
FE
10
2
006aaa318
(1)
(2)
(3)
10
1
006aaa319
V
CESAT
(V)
10
(1)
(2)
(3)
1
10
1
10
1
1
10
10
2
I
C
（MA ）
10
3
10
2
1
10
I
C
（MA ）
10
2
V
CE
= 5 V
(1) T
AMB
= 100
°C
(2) T
AMB
= 25
°C
(3) T
AMB
=
40 °C
I
C
/I
B
= 20
(1) T
AMB
= 100
°C
(2) T
AMB
= 25
°C
(3) T
AMB
=
40 °C
图1.直流电流增益集电极的函数
电流;典型值
10
006aaa320
图2.集电极 - 发射极饱和电压为
集电极电流的函数;典型值
10
006aaa321
V
我（上）
(V)
(1)
V
我（关闭）
(V)
(1)
1
(2)
(3)
1
(2)
(3)
10
1
10
1
1
10
10
2
I
C
（MA ）
10
3
10
1
10
1
1
I
C
（MA ）
10
V
CE
= 0.3 V
(1) T
AMB
=
40 °C
(2) T
AMB
= 25
°C
(3) T
AMB
= 100
°C
V
CE
= 5 V
(1) T
AMB
=
40 °C
(2) T
AMB
= 25
°C
(3) T
AMB
= 100
°C
图3.通态输入电压为收藏家的函数
电流;典型值
图4.断态输入电压为收藏家的函数
电流;典型值
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