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分立半导体
数据表
PDTA144T系列
PNP电阻配备晶体管;
R1 = 47 kΩ的， R2 =开放
产品speci fi cation
取代2004年的数据04月27日
2004年8月05
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP电阻配备晶体管;
R1 = 47 kΩ的， R2 =开放
特点
内置偏置电阻
简化的电路设计
减少元件数量
减少取放成本。
应用
通用开关和放大
逆变器和接口电路
电路的驱动程序。
描述
PDTA144T系列
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
O
R1
R2
参数
集电极 - 发射极
电压
输出直流（DC）
偏置电阻
开放
典型值。
47
马克斯。
50
100
单位
V
mA
k
PNP电阻配备晶体管（参见“简体外形，
符号和牵制“的包的详细信息） 。
产品概述
包
类型编号
飞利浦
PDTA144TE
PDTA144TEF
PDTA144TK
PDTA144TM
PDTA144TS
PDTA144TT
PDTA144TU
记
1. * = P ：香港制造。
* = T：在马来西亚进行。
* = W ：中国制造。
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54 （ TO-92 ）
SOT23
SOT323
EIAJ
SC-75
SC-89
SC-59
SC-101
SC-43
SC-70
5B
2M
58
F9
TA144T
* AF
(1)
*7A
(1)
PDTC144TE
PDTC144TEF
PDTC144TK
PDTC144TM
PDTC144TS
PDTC144TT
PDTC144TU
标识代码
NPN补
2004年8月05
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP电阻配备晶体管;
R1 = 47 kΩ的， R2 =开放
简化外形，象征与钉扎
PDTA144T系列
钉扎
类型编号
PDTA144TS
简化的外形和符号
针
1
2
手册， halfpage
描述
BASE
集热器
辐射源
3
2
R1
1
3
MAM352
1
2
3
PDTA144TE
PDTA144TEF
PDTA144TK
PDTA144TT
PDTA144TU
1
顶视图
2
MDB272
1
2
手册， halfpage
BASE
辐射源
集热器
3
R1
1
3
3
2
PDTA144TM
手册， halfpage
1
2
3
R1
3
1
2
底部视图
MDB268
BASE
辐射源
集热器
3
2
1
2004年8月05
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP电阻配备晶体管;
R1 = 47 kΩ的， R2 =开放
订购信息
包
类型编号
名字
PDTA144TE
PDTA144TEF
PDTA144TK
PDTA144TM
PDTA144TS
PDTA144TT
PDTA144TU
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
无铅超小型塑料封装; 3焊区;
机身1.0
×
0.6
×
0.5 mm
PDTA144T系列
VERSION
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54
SOT23
SOT323
塑料单端含铅（通孔）包; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
O
I
CM
P
合计
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
SOT23
SOT54
SOT323
SOT346
SOT416
SOT490
SOT883
T
英镑
T
j
T
AMB
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
m
铜带线。
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C
注1
注1
注1
注1
注1
注1和2
注意到图2和3
65
65
250
500
200
250
150
250
250
+150
150
+150
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
°C
°C
°C
条件
发射极开路
开基
集电极开路
分钟。
马克斯。
50
50
5
100
100
V
V
V
mA
mA
单位
2004年8月05
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP电阻配备晶体管;
R1 = 47 kΩ的， R2 =开放
热特性
符号
R
号（j -a）的
SOT23
SOT54
SOT323
SOT346
SOT416
SOT490
SOT883
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
m
铜带线。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
R1
C
c
参数
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
输入电阻
集电极电容
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
10
V;
F = 1 MHz的
条件
V
CB
=
50
V ;我
E
= 0 A
V
CE
=
30
V ;我
B
= 0 A
V
CE
=
30
V ;我
B
= 0; T
j
= 150
°C
V
EB
=
5
V ;我
C
= 0 A
V
CE
=
5
V ;我
C
=
1
mA
I
C
=
10
毫安;我
B
=
0.5
mA
参数
从结点到环境的热阻
条件
在自由空气
注1
注1
注1
注1
注1
注1和2
注意到图2和3
PDTA144T系列
价值
500
250
625
500
833
500
500
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
分钟。
100
33
典型值。
47
马克斯。
100
1
50
100
150
61
3
单位
nA
A
A
nA
mV
k
pF
2004年8月05
5
分立半导体
数据表
PDTC144T系列
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 47 kΩ的， R2 =开放
产品数据表
取代2004年的数据4月6日
2004年8月17日
恩智浦半导体
产品数据表
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 47 kΩ的， R2 =开放
特点
内置偏置电阻
简化的电路设计
减少元件数量
减少取放成本。
应用
通用开关和放大
逆变器和接口电路
电路的驱动程序。
描述
PDTC144T系列
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
O
R1
R2
参数
集电极 - 发射极
电压
输出直流（DC）
偏置电阻
开放
典型值。
47
马克斯。
50
100
单位
V
mA
kΩ
NPN电阻配备晶体管（参见“简体外形，
符号和牵制“的包的详细信息） 。
产品概述
包
类型编号
飞利浦
PDTC144TE
PDTC144TEF
PDTC144TK
PDTC144TM
PDTC144TS
PDTC144TT
PDTC144TU
记
1. * = P ：香港制造。
* = T：在马来西亚进行。
* = W ：中国制造。
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54 （ TO-92 ）
SOT23
SOT323
EIAJ
SC-75
SC-89
SC-59
SC-101
SC-43
SC-70
43
33
53
E4
TC144T
*41
(1)
*41
(1)
PDTA144TE
PDTA144TEF
PDTA144TK
PDTA144TM
PDTA144TS
PDTA144TT
PDTA144TU
标识代码
PNP补充
2004年8月17日
2
恩智浦半导体
产品数据表
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 47 kΩ的， R2 =开放
简化外形，象征与钉扎
PDTC144T系列
钉扎
类型编号
PDTC144TS
手册， halfpage
简化的外形和符号
针
1
2
1
2
3
1
3
MAM361
描述
BASE
集热器
辐射源
2
R1
3
PDTC144TE
PDTC144TEF
PDTC144TK
PDTC144TT
PDTC144TU
1
顶视图
2
MDB270
1
2
手册， halfpage
BASE
辐射源
集热器
3
R1
1
3
3
2
PDTC144TM
手册， halfpage
1
2
3
R1
1
3
1
2
底部视图
MHC507
BASE
辐射源
集热器
3
2
2004年8月17日
3
恩智浦半导体
产品数据表
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 47 kΩ的， R2 =开放
订购信息
包
类型编号
名字
PDTC144TE
PDTC144TEF
PDTC144TK
PDTC144TM
PDTC144TS
PDTC144TT
PDTC144TU
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
PDTC144T系列
VERSION
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54
SOT23
SOT323
无铅超小型塑料封装; 3焊区;体
1.0
×
0.6
×
0.5 mm
塑料单端含铅（通孔）包; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
O
I
CM
P
合计
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT490
SOT883
SOT416
T
英镑
T
j
T
AMB
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
μm
铜带线。
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C
注1
注1
注1
注1
注1和2
注意到图2和3
注1
65
65
500
250
250
200
250
250
150
+150
150
+150
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
°C
°C
°C
条件
发射极开路
开基
集电极开路
分钟。
马克斯。
50
50
5
100
100
V
V
V
mA
mA
单位
2004年8月17日
4
恩智浦半导体
产品数据表
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 47 kΩ的， R2 =开放
热特性
符号
R
号（j -a）的
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT490
SOT883
SOT416
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
μm
铜带线。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
R1
C
c
参数
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
输入电阻
集电极电容
I
E
= i
e
= 0 ; V
CB
= 10 V;
F = 1 MHz的
条件
V
CB
= 50 V ;我
E
= 0 A
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0 A
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0 ;吨
j
= 150
°C
V
EB
= 5 V ;我
C
= 0 A
V
CE
= 5 V ;我
C
= 1毫安
参数
从结点到环境的热阻
条件
在自由空气
注1
注1
注1
注1
注1和2
注意到图2和3
注1
PDTC144T系列
价值
250
500
500
625
500
500
833
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
分钟。
100
33
典型值。
47
马克斯。
100
1
50
100
150
61
2.5
单位
nA
μA
μA
nA
mV
kΩ
pF
集电极 - 发射极饱和电压I
C
= 10毫安;我
B
- 0.5毫安
2004年8月17日
5
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PF38F5070M0X1V0
PIC16F916-E/MLQTP
PIC16C63A-04E/PT
PS2561BL-1
PIC16F917-I/SSQTP
PN0302-6R8M
PH1516-10
PH2729-150M_07
PIC18LF2520TE/PSTQP
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
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    PDTC144TM
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