飞利浦半导体
初步speci fi cation
NPN电阻配备晶体管
特点
内置的偏置电阻R1和R2
（每个典型值47千欧）
电路设计的简化
减少了部件的数量
和电路板空间。
应用
特别适用于空间
减少接口和驱动程序
电路
逆变器电路配置
无需使用外部电阻。
描述
在NPN电阻配备晶体管
一个SC- 89 （ SOT490 ）塑料封装。
钉扎
MGA893 - 1
PDTC144EEF
手册， halfpage
3
R1
1
R2
3
1
顶视图
2
MAM412
2
Fig.1简化外形（ SC- 89 ; SOT490 ）和符号。
记号
TYPE
数
PDTC144EEF
2
1
3
记号
CODE
08
针
1
2
3
描述
底座/输入
发射器/接地
集电极/输出
Fig.2
相当于逆变器
符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.参考SC- 89 （ SOT490 ）标准安装条件。
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
65
65
+40
10
100
100
250
+150
150
+150
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
°C
条件
发射极开路
开基
集电极开路
分钟。
马克斯。
50
50
10
V
V
V
单位
1999年5月27日
2
飞利浦半导体
初步speci fi cation
NPN电阻配备晶体管
热特性
符号
R
日J-一
记
1.参考SC- 89 （ SOT490 ）标准安装条件。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2
-------
-
R1
C
c
参数
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
输入截止电压
输入导通电压
输入电阻
电阻率
集电极电容
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
条件
I
E
= 0; V
CB
= 50 V
I
B
= 0; V
CE
= 30 V
I
B
= 0; V
CE
= 30 V ;牛逼
j
= 150
°C
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
I
C
= 5毫安; V
CE
= 5 V
I
C
= 10毫安;我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100
A;
V
CE
= 5 V
I
C
= 2毫安; V
CE
= 0.3 V
分钟。
80
3
33
0.8
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1
PDTC144EEF
价值
500
单位
K / W
典型值。
1.2
1
47
1
马克斯。
100
1
50
90
150
0.8
61
1.2
2.5
单位
nA
A
A
A
mV
V
V
k
pF
1999年5月27日
3
恩智浦半导体
产品数据表
NPN电阻配备晶体管;
R 1 = 47千欧，R2 = 47千欧
订购信息
包
类型编号
名字
PDTC144EE
PDTC144EEF
PDTC144EK
PDTC144EM
PDTC144ES
PDTC144ET
PDTC144EU
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
PDTC144E系列
VERSION
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54
SOT23
SOT323
无铅超小型塑料封装; 3焊区;体
1.0
×
0.6
×
0.5 mm
塑料单端含铅（通孔）包; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT416
SOT490
SOT883
T
英镑
T
j
T
AMB
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
μm
铜带线。
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C
注1
注1
注1
注1
注1
注1和2
注意到图2和3
65
65
500
250
250
200
150
250
250
+150
150
+150
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
°C
°C
°C
+40
10
100
100
V
V
mA
mA
条件
发射极开路
开基
集电极开路
分钟。
马克斯。
50
50
10
V
V
V
单位
2004年8月17日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管;
R 1 = 47千欧，R2 = 47千欧
订购信息
包
类型编号
名字
PDTC144EE
PDTC144EEF
PDTC144EK
PDTC144EM
PDTC144ES
PDTC144ET
PDTC144EU
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
PDTC144E系列
VERSION
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54
SOT23
SOT323
无铅超小型塑料封装; 3焊区;体
1.0
×
0.6
×
0.5 mm
塑料单端含铅（通孔）包; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT416
SOT490
SOT883
T
英镑
T
j
T
AMB
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
m
铜带线。
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C
注1
注1
注1
注1
注1
注1和2
注意到图2和3
65
65
500
250
250
200
150
250
250
+150
150
+150
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
°C
°C
°C
+40
10
100
100
V
V
mA
mA
条件
发射极开路
开基
集电极开路
分钟。
马克斯。
50
50
10
V
V
V
单位
2004年8月17日
4
QQ：2880707522 复制
