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PDTC143X系列
NPN电阻配备晶体管; R 1 = 4.7 k ，R 2 = 10 k
牧师09 - 2005年7月26日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
NPN电阻配备齐全的晶体管（ RET ）的家庭。
表1：
产品概述
包
飞利浦
PDTC143XE
PDTC143XEF
PDTC143XK
PDTC143XM
PDTC143XS
[1]
PDTC143XT
PDTC143XU
[1]
类型编号
PNP补充
JEITA
SC-75
SC-89
SC-59A
SC-101
SC-43A
-
SC-70
JEDEC
-
-
TO-236
-
TO-92
TO-236AB
-
PDTA143XE
PDTA143XEF
PDTA143XK
PDTA143XM
PDTA143XS
PDTA143XT
PDTA143XU
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54
SOT23
SOT323
此外，在SOT54A和SOT54变种封装（见
第2节） 。
1.2产品特点
s
内置偏置电阻
s
简化网络连接的ES电路设计
s
百毫安输出电流能力
s
减少了元件数量
s
减少取放成本
1.3应用
s
数字应用
s
控制IC的输入
s
节约成本的替代BC847系列
在数字应用
s
负荷开关
1.4快速参考数据
表2：
符号
V
首席执行官
I
O
R1
R2/R1
快速参考数据
参数
集电极 - 发射极电压
输出电流
偏置电阻器1 （输入）
偏置电阻率
条件
开基
民
-
-
3.3
1.7
典型值
-
-
4.7
2.1
最大
50
100
6.1
2.6
单位
V
mA
k
飞利浦半导体
PDTC143X系列
NPN电阻配备晶体管; R 1 = 4.7 k ，R 2 = 10 k
2.管脚信息
表3：
针
SOT54
1
2
3
输入端（基极）
输出（集电极）
GND （发射器）
R1
钉扎
描述
简化的轮廓
符号
2
1
2
3
001aab347
006aaa145
1
R2
3
SOT54A
1
2
3
输入端（基极）
输出（集电极）
GND （发射器）
R1
2
1
2
3
001aab348
006aaa145
1
R2
3
SOT54变种
1
2
3
输入端（基极）
输出（集电极）
GND （发射器）
R1
2
1
2
3
001aab447
006aaa145
1
R2
3
SOT23封装; SOT323 ; SOT346 ; SOT416 ; SOT490
1
2
3
输入端（基极）
GND （发射器）
输出（集电极）
1
2
006aaa144
sym007
3
R1
3
1
R2
2
SOT883
1
2
3
输入端（基极）
GND （发射器）
输出（集电极）
1
3
2
透明
顶视图
1
R2
R1
3
2
sym007
PDTC143X_SER_9
皇家飞利浦电子有限公司2005年版权所有。
产品数据表
牧师09 - 2005年7月26日
2 12
飞利浦半导体
PDTC143X系列
NPN电阻配备晶体管; R 1 = 4.7 k ，R 2 = 10 k
3.订购信息
表4：
订购信息
包
名字
PDTC143XE
PDTC143XEF
PDTC143XK
PDTC143XM
SC-75
SC-89
SC-59A
SC-101
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
无铅超小型塑料封装; 3焊区;
机身1.0
×
0.6
×
0.5 mm
塑料单端含铅（通孔）包;
3 LEADS
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
VERSION
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54
SOT23
SOT323
类型编号
PDTC143XS
[1]
SC-43A
PDTC143XT
PDTC143XU
[1]
-
SC-70
此外，在SOT54A和SOT54变种封装（见
第2节
和
第9节） 。
4.标记
表5：
标记代码
标识代码
[1]
34
54
26
E2
TC143X
*32
*53
类型编号
PDTC143XE
PDTC143XEF
PDTC143XK
PDTC143XM
PDTC143XS
PDTC143XT
PDTC143XU
[1]
* = - ：香港制造
* = P ：香港制造
* = T：在马来西亚
* = W ：中国制造
PDTC143X_SER_9
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产品数据表
牧师09 - 2005年7月26日
3 12
飞利浦半导体
PDTC143X系列
NPN电阻配备晶体管; R 1 = 4.7 k ，R 2 = 10 k
5.极限值
表6：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
输出电流
峰值集电极电流
总功耗
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54
SOT23
SOT323
T
英镑
T
j
T
AMB
[1]
[2]
[3]
条件
发射极开路
开基
集电极开路
民
-
-
-
-
-
-
最大
50
50
7
+20
7
100
100
单位
V
V
V
V
V
mA
mA
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
T
AMB
≤
25
°C
[1]
[1] [2]
[1]
[2] [3]
[1]
[1]
[1]
-
-
-
-
-
-
-
-
65
-
65
150
250
250
250
500
250
200
+150
150
+150
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
°C
°C
°C
储存温度
结温
环境温度
设备安装在一FR4印刷电路板（PCB） ，单面铜，镀锡和标准
足迹。
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
设备安装在一FR4印刷电路板60
m
铜扁线，标准的足迹。
PDTC143X_SER_9
皇家飞利浦电子有限公司2005年版权所有。
产品数据表
牧师09 - 2005年7月26日
4 12
飞利浦半导体
PDTC143X系列
NPN电阻配备晶体管; R 1 = 4.7 k ，R 2 = 10 k
6.热特性
表7：
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
从热阻
结到环境
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54
SOT23
SOT323
[1]
[2]
[3]
条件
在自由空气
[1]
[1] [2]
[1]
[2] [3]
[1]
[1]
[1]
民
典型值
最大
单位
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
833
500
500
500
250
500
625
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
设备安装在一FR4印刷电路板60
m
铜扁线，标准的足迹。
7.特点
表8：
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
参数
集电极 - 基极截止
当前
集电极 - 发射极
截止电流
发射极 - 基极截止
当前
直流电流增益
集电极 - 发射极
饱和电压
断态电压输入
通态输入电压
偏置电阻器1 （输入）
偏置电阻率
集电极电容
V
CB
= 10 V ;我
E
= i
e
= 0 A;
F = 1 MHz的
条件
V
CB
= 50 V ;我
E
= 0 A
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0 A
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0 A;
T
j
= 150
°C
V
EB
= 5 V ;我
C
= 0 A
V
CE
= 5 V ;我
C
= 10毫安
I
C
= 10毫安;我
B
- 0.5毫安
V
CE
= 5 V ;我
C
= 100
A
V
CE
= 300 mV的;我
C
= 20毫安
民
-
-
-
-
50
-
-
2.5
3.3
1.7
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
4.7
2.1
-
最大
100
1
50
600
-
100
0.3
-
6.1
2.6
2.5
pF
mV
V
V
k
单位
nA
A
A
A
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2/R1
C
c
PDTC143X_SER_9
皇家飞利浦电子有限公司2005年版权所有。
产品数据表
牧师09 - 2005年7月26日
5 12
PDTC143X系列
NPN电阻配备晶体管; R 1 = 4.7 k ，R 2 = 10 k
启10 - 2009年11月16日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
NPN电阻配备齐全的晶体管（ RET ）的家庭。
表1中。
产品概述
包
恩智浦
PDTC143XE
PDTC143XEF
PDTC143XK
PDTC143XM
PDTC143XS
[1]
PDTC143XT
PDTC143XU
[1]
类型编号
PNP补充
JEITA
SC-75
SC-89
SC-59A
SC-101
SC-43A
-
SC-70
JEDEC
-
-
TO-236
-
TO-92
TO-236AB
-
PDTA143XE
PDTA143XEF
PDTA143XK
PDTA143XM
PDTA143XS
PDTA143XT
PDTA143XU
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54
SOT23
SOT323
此外，在SOT54A和SOT54变种封装（见
第2节） 。
1.2产品特点
内置偏置电阻
简化网络连接的ES电路设计
百毫安输出电流能力
减少了元件数量
减少取放成本
1.3应用
数字应用
控制IC的输入
节约成本的替代BC847系列
在数字应用
负荷开关
1.4快速参考数据
表2中。
符号
V
首席执行官
I
O
R1
R2/R1
快速参考数据
参数
集电极 - 发射极电压
输出电流
偏置电阻器1 （输入）
偏置电阻率
条件
开基
民
-
-
3.3
1.7
典型值
-
-
4.7
2.1
最大
50
100
6.1
2.6
单位
V
mA
kΩ
恩智浦半导体
PDTC143X系列
NPN电阻配备晶体管; R 1 = 4.7 k ，R 2 = 10 k
2.管脚信息
表3中。
针
SOT54
1
2
3
输入端（基极）
输出（集电极）
GND （发射器）
R1
钉扎
描述
简化的轮廓
符号
2
1
2
3
001aab347
006aaa145
1
R2
3
SOT54A
1
2
3
输入端（基极）
输出（集电极）
GND （发射器）
R1
2
1
2
3
001aab348
006aaa145
1
R2
3
SOT54变种
1
2
3
输入端（基极）
输出（集电极）
GND （发射器）
R1
2
1
2
3
001aab447
006aaa145
1
R2
3
SOT23封装; SOT323 ; SOT346 ; SOT416 ; SOT490
1
2
3
输入端（基极）
GND （发射器）
输出（集电极）
1
2
006aaa144
sym007
3
R1
3
1
R2
2
SOT883
1
2
3
输入端（基极）
GND （发射器）
输出（集电极）
1
3
2
透明
顶视图
1
R2
R1
3
2
sym007
PDTC143X_SER_10
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
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2 12
恩智浦半导体
PDTC143X系列
NPN电阻配备晶体管; R 1 = 4.7 k ，R 2 = 10 k
3.订购信息
表4 。
订购信息
包
名字
PDTC143XE
PDTC143XEF
PDTC143XK
PDTC143XM
PDTC143XS
[1]
PDTC143XT
PDTC143XU
[1]
类型编号
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
无铅超小型塑料封装; 3焊区;
机身1.0
×
0.6
×
0.5 mm
塑料单端含铅（通孔）包;
3 LEADS
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
VERSION
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54
SOT23
SOT323
SC-75
SC-89
SC-59A
SC-101
SC-43A
-
SC-70
此外，在SOT54A和SOT54变种封装（见
第2节
和
第9节） 。
4.标记
表5 。
标记代码
标识代码
[1]
34
54
26
E2
TC143X
*32
*53
类型编号
PDTC143XE
PDTC143XEF
PDTC143XK
PDTC143XM
PDTC143XS
PDTC143XT
PDTC143XU
[1]
* = - ：香港制造
* = P ：香港制造
* = T：在马来西亚
* = W ：中国制造
PDTC143X_SER_10
NXP B.V. 2009保留所有权利。
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恩智浦半导体
PDTC143X系列
NPN电阻配备晶体管; R 1 = 4.7 k ，R 2 = 10 k
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
输出电流
峰值集电极电流
总功耗
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54
SOT23
SOT323
T
英镑
T
j
T
AMB
[1]
[2]
[3]
条件
发射极开路
开基
集电极开路
民
-
-
-
-
-
-
最大
50
50
7
+20
7
100
100
单位
V
V
V
V
V
mA
mA
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
T
AMB
≤
25
°C
[1]
[1][2]
[1]
[2][3]
[1]
[1]
[1]
-
-
-
-
-
-
-
-
65
-
65
150
250
250
250
500
250
200
+150
150
+150
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
°C
°C
°C
储存温度
结温
环境温度
设备安装在一FR4印刷电路板（PCB） ，单面铜，镀锡和标准
足迹。
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
设备安装在一FR4印刷电路板60
μm
铜扁线，标准的足迹。
PDTC143X_SER_10
NXP B.V. 2009保留所有权利。
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恩智浦半导体
PDTC143X系列
NPN电阻配备晶体管; R 1 = 4.7 k ，R 2 = 10 k
6.热特性
表7中。
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
从热阻
结到环境
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54
SOT23
SOT323
[1]
[2]
[3]
条件
在自由空气
[1]
[1][2]
[1]
[2][3]
[1]
[1]
[1]
民
典型值
最大
单位
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
833
500
500
500
250
500
625
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
设备安装在一FR4印刷电路板60
μm
铜扁线，标准的足迹。
7.特点
表8 。
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
参数
集电极 - 基极截止
当前
集电极 - 发射极
截止电流
发射极 - 基极截止
当前
直流电流增益
集电极 - 发射极
饱和电压
断态电压输入
通态输入电压
偏置电阻器1 （输入）
偏置电阻率
集电极电容
V
CB
= 10 V ;我
E
= i
e
= 0 A;
F = 1 MHz的
条件
V
CB
= 50 V ;我
E
= 0 A
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0 A
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0 A;
T
j
= 150
°C
V
EB
= 5 V ;我
C
= 0 A
V
CE
= 5 V ;我
C
= 10毫安
I
C
= 10毫安;我
B
- 0.5毫安
V
CE
= 5 V ;我
C
= 100
μA
V
CE
= 300 mV的;我
C
= 20毫安
民
-
-
-
-
50
-
-
2.5
3.3
1.7
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
4.7
2.1
-
最大
100
1
50
600
-
100
0.3
-
6.1
2.6
2.5
pF
mV
V
V
kΩ
单位
nA
μA
μA
μA
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2/R1
C
c
PDTC143X_SER_10
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
启10 - 2009年11月16日
5 12
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PTA4553-2215CPA203
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PS7141E-1A-A
PI74FCT240CTL
P0300Q22CLRP
PIC16C62B-20I/SO
PS9552-V
P140KV-Y25AR100K
PSD854415MIT
PSD4135G3V-C-90J
PSD913F1-90M
PI74FCT162374CTSP
P414
P3203ACMCL
P35-4100-2
PRV61QLCHE
PI49FCT20802LE
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    PDTC143XK
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
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