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分立半导体
数据表
PDTC143T系列
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 4.7千欧, R2 =开放
产品speci fi cation
取代2004年的数据4月6日
2004年8月06
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 4.7千欧, R2 =开放
特点
内置偏置电阻
简化的电路设计
减少元件数量
减少取放成本。
应用
通用开关和放大
逆变器和接口电路
电路应用。
描述
PDTC143T系列
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
O
R1
R2
参数
集电极 - 发射极
电压
输出直流(DC)
偏置电阻
开放
典型值。
4.7
马克斯。
50
100
单位
V
mA
k
NPN电阻配备晶体管(参见“简体外形,
符号和牵制“的包的详细信息) 。
产品概述
类型编号
飞利浦
PDTC143TE
PDTC143TEF
PDTC143TK
PDTC143TM
PDTC143TS
PDTC143TT
PDTC143TU
1. * = P :香港制造。
* = T:在马来西亚进行。
* = W :中国制造。
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54 ( TO-92 )
SOT23
SOT323
EIAJ
SC-75
SC-89
SC-59
SC-101
SC-43
SC-70
40
11
52
DM
TC143T
*33
(1)
*52
(1)
PDTA143TE
PDTA143TEF
PDTA143TK
PDTA143TM
PDTA143TS
PDTA143TT
PDTA143TU
标识代码
PNP补充
2004年8月06
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 4.7千欧, R2 =开放
简化外形,象征与钉扎
PDTC143T系列
钉扎
类型编号
PDTC143TS
手册, halfpage
简化的外形和符号
1
2
1
2
3
1
3
MAM361
描述
BASE
集热器
辐射源
2
R1
3
PDTC143TE
PDTC143TEF
PDTC143TK
PDTC143TT
PDTC143TU
1
顶视图
2
MDB270
1
2
手册, halfpage
BASE
辐射源
集热器
3
R1
1
3
3
2
PDTC143TM
手册, halfpage
1
2
3
R1
1
3
1
2
底部视图
MHC507
BASE
辐射源
集热器
3
2
2004年8月06
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 4.7千欧, R2 =开放
订购信息
类型编号
名字
PDTC143TE
PDTC143TEF
PDTC143TK
PDTC143TM
PDTC143TS
PDTC143TT
PDTC143TU
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
PDTC143T系列
VERSION
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54
SOT23
SOT323
无铅超小型塑料封装; 3焊区;体
1.0
×
0.6
×
0.5 mm
塑料单端含铅(通孔)包; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
O
I
CM
P
合计
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输出直流(DC)
集电极电流
总功耗
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT490
SOT883
SOT416
T
英镑
T
j
T
AMB
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
m
铜带线。
储存温度
结温
工作环境
温度
T
AMB
25
°C
注1
注1
注1
注1
注1和2
注意到图2和3
注1
65
65
500
250
250
200
250
250
150
+150
150
+150
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
°C
°C
°C
条件
发射极开路
开基
集电极开路
分钟。
50
50
5
100
100
马克斯。
V
V
V
mA
mA
单位
2004年8月06
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 4.7千欧, R2 =开放
热特性
符号
R
号(j -a)的
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT490
SOT883
SOT416
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
m
铜带线。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
R1
C
c
参数
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
输入电阻
集电极电容
I
E
= i
e
= 0 ; V
CB
= 10 V;
F = 1 MHz的
条件
V
CB
= 50 V ;我
E
= 0 A
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0 A
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0 ;吨
j
= 150
°C
V
EB
= 5 V ;我
C
= 0 A
V
CE
= 5 V ;我
C
= 1毫安
I
C
= 5毫安;我
B
= 0.25毫安
参数
从结点到环境的热阻
条件
在自由空气
注1
注1
注1
注1
注1和2
注意到图2和3
注1
PDTC143T系列
价值
250
500
500
625
500
500
833
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
分钟。
200
3.3
典型值。
4.7
马克斯。
100
1
50
100
100
6.1
2.5
单位
nA
A
A
nA
mV
k
pF
2004年8月06
5
分立半导体
数据表
PDTC143T系列
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 4.7千欧, R2 =开放
产品数据表
取代2004年的数据4月6日
2004年8月06
恩智浦半导体
产品数据表
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 4.7千欧, R2 =开放
特点
内置偏置电阻
简化的电路设计
减少元件数量
减少取放成本。
应用
通用开关和放大
逆变器和接口电路
电路应用。
描述
PDTC143T系列
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
O
R1
R2
参数
集电极 - 发射极
电压
输出直流(DC)
偏置电阻
开放
典型值。
4.7
马克斯。
50
100
单位
V
mA
NPN电阻配备晶体管(参见“简体外形,
符号和牵制“的包的详细信息) 。
产品概述
类型编号
飞利浦
PDTC143TE
PDTC143TEF
PDTC143TK
PDTC143TM
PDTC143TS
PDTC143TT
PDTC143TU
1. * = P :香港制造。
* = T:在马来西亚进行。
* = W :中国制造。
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54 ( TO-92 )
SOT23
SOT323
EIAJ
SC-75
SC-89
SC-59
SC-101
SC-43
SC-70
40
11
52
DM
TC143T
*33
(1)
*52
(1)
PDTA143TE
PDTA143TEF
PDTA143TK
PDTA143TM
PDTA143TS
PDTA143TT
PDTA143TU
标识代码
PNP补充
2004年8月06
2
恩智浦半导体
产品数据表
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 4.7千欧, R2 =开放
简化外形,象征与钉扎
PDTC143T系列
钉扎
类型编号
PDTC143TS
手册, halfpage
简化的外形和符号
1
2
1
2
3
1
3
MAM361
描述
BASE
集热器
辐射源
2
R1
3
PDTC143TE
PDTC143TEF
PDTC143TK
PDTC143TT
PDTC143TU
1
顶视图
2
MDB270
1
2
手册, halfpage
BASE
辐射源
集热器
3
R1
1
3
3
2
PDTC143TM
手册, halfpage
1
2
3
R1
1
3
1
2
底部视图
MHC507
BASE
辐射源
集热器
3
2
2004年8月06
3
恩智浦半导体
产品数据表
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 4.7千欧, R2 =开放
订购信息
类型编号
名字
PDTC143TE
PDTC143TEF
PDTC143TK
PDTC143TM
PDTC143TS
PDTC143TT
PDTC143TU
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
PDTC143T系列
VERSION
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54
SOT23
SOT323
无铅超小型塑料封装; 3焊区;体
1.0
×
0.6
×
0.5 mm
塑料单端含铅(通孔)包; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
O
I
CM
P
合计
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输出直流(DC)
集电极电流
总功耗
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT490
SOT883
SOT416
T
英镑
T
j
T
AMB
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
μm
铜带线。
储存温度
结温
工作环境
温度
T
AMB
25
°C
注1
注1
注1
注1
注1和2
注意到图2和3
注1
65
65
500
250
250
200
250
250
150
+150
150
+150
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
°C
°C
°C
条件
发射极开路
开基
集电极开路
分钟。
50
50
5
100
100
马克斯。
V
V
V
mA
mA
单位
2004年8月06
4
恩智浦半导体
产品数据表
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 4.7千欧, R2 =开放
热特性
符号
R
号(j -a)的
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT490
SOT883
SOT416
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
μm
铜带线。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
R1
C
c
参数
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
输入电阻
集电极电容
I
E
= i
e
= 0 ; V
CB
= 10 V;
F = 1 MHz的
条件
V
CB
= 50 V ;我
E
= 0 A
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0 A
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0 ;吨
j
= 150
°C
V
EB
= 5 V ;我
C
= 0 A
V
CE
= 5 V ;我
C
= 1毫安
参数
从结点到环境的热阻
条件
在自由空气
注1
注1
注1
注1
注1和2
注意到图2和3
注1
PDTC143T系列
价值
250
500
500
625
500
500
833
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
分钟。
200
3.3
典型值。
4.7
马克斯。
100
1
50
100
100
6.1
2.5
单位
nA
μA
μA
nA
mV
pF
集电极 - 发射极饱和电压I
C
= 5毫安;我
B
= 0.25毫安
2004年8月06
5
分立半导体
数据表
PDTC143T系列
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 4.7千欧, R2 =开放
产品speci fi cation
取代2004年的数据4月6日
2004年8月06
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 4.7千欧, R2 =开放
特点
内置偏置电阻
简化的电路设计
减少元件数量
减少取放成本。
应用
通用开关和放大
逆变器和接口电路
电路应用。
描述
PDTC143T系列
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
O
R1
R2
参数
集电极 - 发射极
电压
输出直流(DC)
偏置电阻
开放
典型值。
4.7
马克斯。
50
100
单位
V
mA
k
NPN电阻配备晶体管(参见“简体外形,
符号和牵制“的包的详细信息) 。
产品概述
类型编号
飞利浦
PDTC143TE
PDTC143TEF
PDTC143TK
PDTC143TM
PDTC143TS
PDTC143TT
PDTC143TU
1. * = P :香港制造。
* = T:在马来西亚进行。
* = W :中国制造。
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54 ( TO-92 )
SOT23
SOT323
EIAJ
SC-75
SC-89
SC-59
SC-101
SC-43
SC-70
40
11
52
DM
TC143T
*33
(1)
*52
(1)
PDTA143TE
PDTA143TEF
PDTA143TK
PDTA143TM
PDTA143TS
PDTA143TT
PDTA143TU
标识代码
PNP补充
2004年8月06
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 4.7千欧, R2 =开放
简化外形,象征与钉扎
PDTC143T系列
钉扎
类型编号
PDTC143TS
手册, halfpage
简化的外形和符号
1
2
1
2
3
1
3
MAM361
描述
BASE
集热器
辐射源
2
R1
3
PDTC143TE
PDTC143TEF
PDTC143TK
PDTC143TT
PDTC143TU
1
顶视图
2
MDB270
1
2
手册, halfpage
BASE
辐射源
集热器
3
R1
1
3
3
2
PDTC143TM
手册, halfpage
1
2
3
R1
1
3
1
2
底部视图
MHC507
BASE
辐射源
集热器
3
2
2004年8月06
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 4.7千欧, R2 =开放
订购信息
类型编号
名字
PDTC143TE
PDTC143TEF
PDTC143TK
PDTC143TM
PDTC143TS
PDTC143TT
PDTC143TU
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
PDTC143T系列
VERSION
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54
SOT23
SOT323
无铅超小型塑料封装; 3焊区;体
1.0
×
0.6
×
0.5 mm
塑料单端含铅(通孔)包; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
O
I
CM
P
合计
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输出直流(DC)
集电极电流
总功耗
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT490
SOT883
SOT416
T
英镑
T
j
T
AMB
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
m
铜带线。
储存温度
结温
工作环境
温度
T
AMB
25
°C
注1
注1
注1
注1
注1和2
注意到图2和3
注1
65
65
500
250
250
200
250
250
150
+150
150
+150
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
°C
°C
°C
条件
发射极开路
开基
集电极开路
分钟。
50
50
5
100
100
马克斯。
V
V
V
mA
mA
单位
2004年8月06
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 4.7千欧, R2 =开放
热特性
符号
R
号(j -a)的
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT490
SOT883
SOT416
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
m
铜带线。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
R1
C
c
参数
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
输入电阻
集电极电容
I
E
= i
e
= 0 ; V
CB
= 10 V;
F = 1 MHz的
条件
V
CB
= 50 V ;我
E
= 0 A
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0 A
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0 ;吨
j
= 150
°C
V
EB
= 5 V ;我
C
= 0 A
V
CE
= 5 V ;我
C
= 1毫安
I
C
= 5毫安;我
B
= 0.25毫安
参数
从结点到环境的热阻
条件
在自由空气
注1
注1
注1
注1
注1和2
注意到图2和3
注1
PDTC143T系列
价值
250
500
500
625
500
500
833
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
分钟。
200
3.3
典型值。
4.7
马克斯。
100
1
50
100
100
6.1
2.5
单位
nA
A
A
nA
mV
k
pF
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5
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    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    PDTC143T
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
PDTC143T
√ 欧美㊣品
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