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分立半导体

数据表

书， halfpage

M3D088

PDTC143ET

NPN电阻配备晶体管

产品speci fi cation

取代1998年的5月18日的数据

1999年04月15日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN电阻配备晶体管

特点

内置的偏置电阻R1和R2

（典型值4.7 kΩ的每一个）

电路设计的简化

减少了部件的数量

和电路板空间。

应用

特别适用于空间

减少接口和驱动程序

电路

逆变器电路配置

无需使用外部电阻。

描述

在NPN电阻配备晶体管

SOT23塑料包装。

PNP补充： PDTA143ET 。

钉扎

MGA893 - 1

PDTC143ET

手册中， 4列

3

3

R1

1

R2

2

1

2

MAM097

顶视图

Fig.1简化外形（ SOT23 ）和符号。

记号

TYPE

数

PDTC143ET

2

1

3

记号

CODE

(1)

02

记

1.

= P ：香港制造。

= T：在马来西亚。

针

1

2

3

描述

底座/输入

发射器/接地

集电极/输出

Fig.2

相当于逆变器

符号。

1999年04月15日

2

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN电阻配备晶体管

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

V

I

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

输入电压

积极

负

I

O

I

CM

P

合计

T

英镑

T

j

T

AMB

记

1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。

热特性

符号

R

日J-一

记

1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。

特征

T

AMB

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

h

FE

V

CESAT

V

我（关闭）

V

我（上）

R1

R2

-------

-

R1

C

c

参数

集电极截止电流

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和

电压

输入截止电压

输入导通电压

输入电阻

电阻率

集电极电容

I

E

= i

e

= 0; V

CB

= 10 V ; F = 1 MHz的

条件

I

E

= 0; V

CB

= 50 V

I

B

= 0; V

CE

= 30 V

I

B

= 0; V

CE

= 30 V ;牛逼

j

= 150

°C

I

C

= 0; V

EB

= 5 V

I

C

= 10毫安; V

CE

= 5 V

I

C

= 10毫安;我

B

- 0.5毫安

I

C

= 100

A;

V

CE

= 5 V

I

C

能力= 20 mA ; V

CE

= 0.3 V

分钟。

30

2.5

3.3

0.8

参数

从结点到环境的热阻

条件

注1

输出直流（DC）

峰值集电极电流

总功耗

储存温度

结温

工作环境温度

T

AMB

≤

25

°C;

注1

65

65

条件

发射极开路

开基

集电极开路

分钟。

PDTC143ET

马克斯。

50

50

10

30

10

100

100

250

+150

150

+150

V

V

V

V

V

单位

mA

mA

mW

°C

°C

°C

价值

500

单位

K / W

典型值。

1.1

1.9

4.7

1

马克斯。

100

1

50

0.9

150

0.5

6.1

1.2

2.5

单位

nA

A

A

mA

mV

V

V

k

pF

1999年04月15日

3

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN电阻配备晶体管

PDTC143ET

手册， halfpage

10

3

MGM920

手册， halfpage

1

MGM919

的hFE

(1)

(2)

(3)

VCEsat晶体管

(V)

10

2

10

1

(1)

(2)

(3)

10

1

10

1

1

10

IC （MA ）

10

2

10

2

1

10

IC （MA ）

10

2

V

CE

= 5 V.

(1) T

AMB

= 150

°C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

=

40 °C.

I

C

/I

B

= 20.

(1) T

AMB

= 100

°C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

=

40 °C.

Fig.3

直流电流增益作为集电体的功能

电流;典型值。

Fig.4

集电极 - 发射极饱和电压为

集电极电流的函数;典型值。

手册， halfpage

10

MGM922

10

2

手册， halfpage

第六章（上）

MGM921

六（关闭）

(V)

(V)

10

(1)

(2)

(3)

(1) (2) (3)

1

1

10

1

10

2

10

1

1

IC （MA ）

10

10

1

10

1

1

10

IC （MA ）

10

2

V

CE

= 5 V.

(1) T

AMB

=

40 °C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

= 100

°C.

V

CE

= 0.3 V.

(1) T

AMB

=

40 °C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

= 100

°C.

Fig.5

输入截止电压作为集电体的功能

电流;典型值。

Fig.6

输入导通电压作为集电体的功能

电流;典型值。

1999年04月15日

4

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN电阻配备晶体管

包装外形

塑料表面贴装封装; 3引线

PDTC143ET

SOT23

D

B

E

A

X

HE

v

M

A

3

Q

A

A1

1

e1

e

bp

2

w

M

B

细节X

Lp

c

0

1

规模

2 mm

外形尺寸（mm是原始尺寸）

单位

mm

A

1.1

0.9

A

1

马克斯。

0.1

b

p

0.48

0.38

c

0.15

0.09

D

3.0

2.8

E

1.4

1.2

e

1.9

e

1

0.95

H

E

2.5

2.1

L

p

0.45

0.15

Q

0.55

0.45

v

0.2

w

0.1

概要

VERSION

SOT23

参考文献：

IEC

JEDEC

EIAJ

欧洲

投影

发行日期

97-02-28

1999年04月15日

5

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