飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管;
R 1 = 22千欧，R2 = 22千欧
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT416
SOT490
SOT883
T
英镑
T
j
T
AMB
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
m
铜带线。
热特性
符号
R
日J-一
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT416
SOT490
SOT883
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
m
铜带线。
2004年8月17日
4
参数
从结点到环境的热阻
条件
在自由空气
注1
注1
注1
注1
注1
注1和2
注意到图2和3
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C
注1
注1
注1
注1
注1
注1和2
注意到图2和3
条件
发射极开路
开基
集电极开路
PDTC124E系列
分钟。
马克斯。
50
50
10
+40
10
100
100
500
250
250
200
150
250
250
+150
150
+150
V
V
V
V
V
单位
mA
mA
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
°C
°C
°C
65
65
价值
250
500
500
625
833
500
500
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管;
R 1 = 22千欧，R2 = 22千欧
特点
内置偏置电阻
250 mW的总功耗
很小1.6
×
0.85
×
0.7毫米包
扁平引线
出色的共面性
改进的热行为
减少了元件和印刷电路板所需的数
区。
应用
通用开关和放大
逆变器和接口电路
驱动电路。
描述
在SOT490 NPN电阻配备晶体管（ SC- 89 ）
塑料封装。
1
2
MAM412
PDTC124EEF
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
O
R1
R2
钉扎
针
1
2
3
底座/输入
发射器/地面（+）
集电极/输出
描述
参数
集电极 - 发射极电压
输出直流（DC）
偏置电阻
偏置电阻
马克斯。
50
100
22
22
单位
V
mA
k
k
手册， halfpage
3
R1
1
R2
3
2
记号
类型编号
PDTC124EEF
标识代码
36
顶视图
Fig.1简化外形（ SOT490 ）和符号。
1
2
MGA893 - 1
3
图2等效逆变器符号。
2002年3月14日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管;
R 1 = 22千欧，R2 = 22千欧
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
i
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
65
65
条件
发射极开路
开基
集电极开路
分钟。
PDTC124EEF
马克斯。
50
50
10
+40
10
100
100
250
+150
150
+150
V
V
V
V
V
单位
mA
mA
mW
°C
°C
°C
1.对于安装条件，请参阅
“热的考虑和设计，占地面积为SOT490在SC18数据手册” 。
热特性
符号
R
日J-一
记
1.对于安装条件，请参阅
“热的考虑和设计，占地面积为SOT490在SC18数据手册” 。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2
-------
-
R1
C
c
参数
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
输入过电压
输入电压
输入电阻
电阻率
集电极电容
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V;
F = 1 MHz的
3
条件
V
CB
= 50 V ;我
E
= 0
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0; T
j
= 150
°C
V
EB
= 5 V ;我
C
= 0
V
CE
= 5 V ;我
C
= 5毫安
I
C
= 10毫安;我
B
- 0.5毫安
V
CE
= 5 V ;我
C
= 100
A
V
CE
= 0.3 V ;我
C
= 5毫安
分钟。
60
2.5
15.4
0.8
典型值。
1.1
1.7
22
1
马克斯。
100
1
50
180
150
0.8
28.6
1.2
2.5
pF
mV
V
V
k
单位
nA
A
A
A
参数
热阻结到
环境
条件
在自由空气中;注1
价值
500
单位
K / W
2002年3月14日
恩智浦半导体
产品数据表
NPN电阻配备晶体管;
R 1 = 22千欧，R2 = 22千欧
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT416
SOT490
SOT883
T
英镑
T
j
T
AMB
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
μm
铜带线。
热特性
符号
R
日J-一
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT416
SOT490
SOT883
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
μm
铜带线。
2004年8月17日
4
参数
从结点到环境的热阻
条件
在自由空气
注1
注1
注1
注1
注1
注1和2
注意到图2和3
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C
注1
注1
注1
注1
注1
注1和2
注意到图2和3
条件
发射极开路
开基
集电极开路
PDTC124E系列
分钟。
马克斯。
50
50
10
+40
10
100
100
500
250
250
200
150
250
250
+150
150
+150
V
V
V
V
V
单位
mA
mA
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
°C
°C
°C
65
65
价值
250
500
500
625
833
500
500
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
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