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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符P型号页 > 首字符P的型号第630页 > PDTC123JT
分立半导体
数据表
书， halfpage
M3D088
PDTC123JT
NPN电阻配备晶体管
产品speci fi cation
取代1998年5月8日的数据
1999年5月18日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管
特点
内置偏置电阻R1和R2 （典型值2.2 kΩ和47 kΩ的
分别）
电路设计的简化
减少了元件和电路板空间的数量。
K， 4列
PDTC123JT
3
3
应用
特别适用于在界面的空间减少和
驱动电路
无需使用外部逆变电路配置
电阻器。
描述
在SOT23塑料NPN电阻配备晶体管
封装。
1
顶视图
2
MAM097
R1
1
R2
2
Fig.1简化外形（ SOT23 ）和符号。
记号
类型编号
PDTC123JT
记
1.
= P ：香港制造。
= T：在马来西亚。
钉扎
针
1
2
3
底座/输入
发射器/接地
集电极/输出
图2等效逆变器符号。
描述
1
2
MGA893 - 1
标识代码
(1)
25
3
1999年5月18日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
热特性
符号
R
日J-一
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2
-------
-
R1
C
c
参数
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
输入截止电压
输入导通电压
输入电阻
电阻率
集电极电容
条件
I
E
= 0; V
CB
= 50 V
I
B
= 0; V
CE
= 30 V
I
B
= 0; V
CE
= 30 V ;牛逼
j
= 150
°C
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
I
C
= 10毫安; V
CE
= 5 V
I
C
= 100
A;
V
CE
= 5 V
I
C
= 5毫安; V
CE
= 0.3 V
分钟。
100
1.1
1.54
17
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1
价值
500
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
65
65
条件
发射极开路
开基
集电极开路
分钟。
PDTC123JT
马克斯。
50
50
10
+12
5
100
100
250
+150
150
+150
V
V
V
V
V
单位
mA
mA
mW
°C
°C
°C
单位
K / W
典型值。
600
0.75
2.2
21
马克斯。
100
1
50
180
100
500
2.86
26
2.5
单位
nA
A
A
A
mV
mV
V
k
集电极 - 发射极饱和电压I
C
= 5毫安;我
B
= 0.25毫安
pF
1999年5月18日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管
PDTC123JT
手册， halfpage
10
3
MGM912
手册， halfpage
(2)
(1)
10
3
MGM911
的hFE
VCEsat晶体管
(3)
（毫伏）
10
2
10
2
(1) (2) (3)
10
1
10
1
1
10
IC （MA ）
10
2
10
10
1
1
10
IC （MA ）
10
2
V
CE
= 5 V.
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
40 °C.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
AMB
= 100
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
40 °C.
Fig.3
直流电流增益作为集电体的功能
电流;典型值。
Fig.4
集电极 - 发射极饱和电压为
集电极电流的函数;典型值。
手册， halfpage
10
MGM914
10
2
手册， halfpage
第六章（上）
MGM913
六（关闭）
(V)
(V)
10
1
(1)
(2)
(1) (2) (3)
1
(3)
10
1
10
2
10
1
1
IC （MA ）
10
10
1
10
1
1
10
IC （MA ）
10
2
V
CE
= 5 V.
(1) T
AMB
=
40 °C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
= 100
°C.
V
CE
= 0.3 V.
(1) T
AMB
=
40 °C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
= 100
°C.
Fig.5
输入截止电压作为集电体的功能
电流;典型值。
Fig.6
输入导通电压作为集电体的功能
电流;典型值。
1999年5月18日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管
包装外形
塑料表面贴装封装; 3引线
PDTC123JT
SOT23
D
B
E
A
X
HE
v
M
A
3
Q
A
A1
1
e1
e
bp
2
w
M
B
细节X
Lp
c
0
1
规模
2 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
1.1
0.9
A
1
马克斯。
0.1
b
p
0.48
0.38
c
0.15
0.09
D
3.0
2.8
E
1.4
1.2
e
1.9
e
1
0.95
H
E
2.5
2.1
L
p
0.45
0.15
Q
0.55
0.45
v
0.2
w
0.1
概要
VERSION
SOT23
参考文献：
IEC
JEDEC
EIAJ
欧洲
投影
发行日期
97-02-28
1999年5月18日
5
分立半导体
数据表
PDTC123J系列
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 2.2千欧，R2 = 47千欧
产品speci fi cation
取代2003年的数据04月10日
2004年8月13日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 2.2千欧，R2 = 47千欧
特点
内置偏置电阻
简化的电路设计
减少元件数量
减少取放成本。
应用
通用开关和放大
逆变器和接口电路
电路的驱动程序。
描述
PDTC123J系列
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
O
R1
R2
参数
集电极 - 发射极
电压
输出直流（DC）
偏置电阻
偏置电阻
典型值。
2.2
47
马克斯。
50
100
单位
V
mA
k
k
NPN电阻配备晶体管（参见“简体外形，
符号和牵制“的包的详细信息） 。
产品概述
包
类型编号
飞利浦
PDTC123JE
PDTC123JEF
PDTC123JK
PDTC123JM
PDTC123JS
PDTC123JT
PDTC123JU
记
1. * = P ：香港制造。
* = T：在马来西亚进行。
* = W ：中国制造。
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54 （ TO-92 ）
SOT23
SOT323
EIAJ
SC-75
SC-89
SC-59
SC-101
SC-43
SC-70
28
28
49
DW
TC123J
*25
(1)
*49
(1)
PDTA123JE
PDTA123JEF
PDTA123JK
PDTA123JM
PDTA123JS
PDTA123JT
PDTA123JU
标识代码
PNP补充
2004年8月13日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 2.2千欧，R2 = 47千欧
简化外形，象征与钉扎
PDTC123J系列
钉扎
类型编号
PDTC123JS
手册， halfpage
简化的外形和符号
针
1
2
2
R1
1
R2
3
MAM364
描述
BASE
集热器
辐射源
1
2
3
3
PDTC123JE
PDTC123JEF
PDTC123JK
PDTC123JT
PDTC123JU
1
顶视图
2
MDB269
1
2
手册， halfpage
BASE
辐射源
集热器
3
R1
1
R2
3
3
2
PDTC123JM
手册， halfpage
1
2
3
R1
1
3
1
底部视图
MHC506
BASE
辐射源
集热器
3
2
R2
2
2004年8月13日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 2.2千欧，R2 = 47千欧
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT416
SOT490
SOT883
T
英镑
T
j
T
AMB
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
m
铜带线。
热特性
符号
R
日J-一
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT416
SOT490
SOT883
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
m
铜带线。
2004年8月13日
4
参数
从结点到环境的热阻
条件
在自由空气
注1
注1
注1
注1
注1
注1和2
注意到图2和3
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C
注1
注1
注1
注1
注1
注1和2
注意到图2和3
65
65
条件
发射极开路
开基
集电极开路
PDTC123J系列
分钟。
马克斯。
50
50
10
+12
5
100
100
500
250
250
200
150
250
250
+150
150
+150
V
V
V
V
V
单位
mA
mA
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
°C
°C
°C
价值
250
500
500
625
833
500
500
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 2.2千欧，R2 = 47千欧
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2
-------
-
R1
C
c
参数
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
输入截止电压
输入导通电压
输入电阻
电阻率
集电极电容
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
条件
V
CB
= 50 V ;我
E
= 0
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0; T
j
= 150
°C
V
EB
= 5 V ;我
C
= 0
V
CE
= 5 V ;我
C
= 10毫安
I
C
= 5毫安;我
B
= 0.25毫安
I
C
= 100
A;
V
CE
= 5 V
I
C
= 5毫安; V
CE
= 0.3 V
PDTC123J系列
分钟。
100
1.1
1.54
17
典型值。
0.6
0.75
2.2
21
马克斯。
100
1
50
180
100
0.5
2.86
26
2.5
单位
nA
A
A
A
mV
V
V
k
pF
2004年8月13日
5
分立半导体
数据表
书， halfpage
M3D088
PDTC123JT
NPN电阻配备晶体管
产品speci fi cation
取代1998年5月8日的数据
1999年5月18日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管
特点
内置偏置电阻R1和R2 （典型值2.2 kΩ和47 kΩ的
分别）
电路设计的简化
减少了元件和电路板空间的数量。
K， 4列
PDTC123JT
3
3
应用
特别适用于在界面的空间减少和
驱动电路
无需使用外部逆变电路配置
电阻器。
描述
在SOT23塑料NPN电阻配备晶体管
封装。
1
顶视图
2
MAM097
R1
1
R2
2
Fig.1简化外形（ SOT23 ）和符号。
记号
类型编号
PDTC123JT
记
1.
= P ：香港制造。
= T：在马来西亚。
钉扎
针
1
2
3
底座/输入
发射器/接地
集电极/输出
图2等效逆变器符号。
描述
1
2
MGA893 - 1
标识代码
(1)
25
3
1999年5月18日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
热特性
符号
R
日J-一
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2
-------
-
R1
C
c
参数
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
输入截止电压
输入导通电压
输入电阻
电阻率
集电极电容
条件
I
E
= 0; V
CB
= 50 V
I
B
= 0; V
CE
= 30 V
I
B
= 0; V
CE
= 30 V ;牛逼
j
= 150
°C
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
I
C
= 10毫安; V
CE
= 5 V
I
C
= 100
A;
V
CE
= 5 V
I
C
= 5毫安; V
CE
= 0.3 V
分钟。
100
1.1
1.54
17
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1
价值
500
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
65
65
条件
发射极开路
开基
集电极开路
分钟。
PDTC123JT
马克斯。
50
50
10
+12
5
100
100
250
+150
150
+150
V
V
V
V
V
单位
mA
mA
mW
°C
°C
°C
单位
K / W
典型值。
600
0.75
2.2
21
马克斯。
100
1
50
180
100
500
2.86
26
2.5
单位
nA
A
A
A
mV
mV
V
k
集电极 - 发射极饱和电压I
C
= 5毫安;我
B
= 0.25毫安
pF
1999年5月18日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管
PDTC123JT
手册， halfpage
10
3
MGM912
手册， halfpage
(2)
(1)
10
3
MGM911
的hFE
VCEsat晶体管
(3)
（毫伏）
10
2
10
2
(1) (2) (3)
10
1
10
1
1
10
IC （MA ）
10
2
10
10
1
1
10
IC （MA ）
10
2
V
CE
= 5 V.
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
40 °C.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
AMB
= 100
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
40 °C.
Fig.3
直流电流增益作为集电体的功能
电流;典型值。
Fig.4
集电极 - 发射极饱和电压为
集电极电流的函数;典型值。
手册， halfpage
10
MGM914
10
2
手册， halfpage
第六章（上）
MGM913
六（关闭）
(V)
(V)
10
1
(1)
(2)
(1) (2) (3)
1
(3)
10
1
10
2
10
1
1
IC （MA ）
10
10
1
10
1
1
10
IC （MA ）
10
2
V
CE
= 5 V.
(1) T
AMB
=
40 °C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
= 100
°C.
V
CE
= 0.3 V.
(1) T
AMB
=
40 °C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
= 100
°C.
Fig.5
输入截止电压作为集电体的功能
电流;典型值。
Fig.6
输入导通电压作为集电体的功能
电流;典型值。
1999年5月18日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管
包装外形
塑料表面贴装封装; 3引线
PDTC123JT
SOT23
D
B
E
A
X
HE
v
M
A
3
Q
A
A1
1
e1
e
bp
2
w
M
B
细节X
Lp
c
0
1
规模
2 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
1.1
0.9
A
1
马克斯。
0.1
b
p
0.48
0.38
c
0.15
0.09
D
3.0
2.8
E
1.4
1.2
e
1.9
e
1
0.95
H
E
2.5
2.1
L
p
0.45
0.15
Q
0.55
0.45
v
0.2
w
0.1
概要
VERSION
SOT23
参考文献：
IEC
JEDEC
EIAJ
欧洲
投影
发行日期
97-02-28
1999年5月18日
5
分立半导体
数据表
PDTC114Y系列
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 10 kΩ的， R2 = 47 kΩ的
产品数据表
取代2003年的数据09月10日
2004年8月17日
恩智浦半导体
产品数据表
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 10 kΩ的， R2 = 47 kΩ的
特点
内置偏置电阻
简化的电路设计
减少元件数量
减少取放成本。
应用
通用开关和放大
逆变器和接口电路
电路的驱动程序。
描述
PDTC114Y系列
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
O
R1
R2
参数
集电极 - 发射极
电压
输出直流（DC）
偏置电阻
偏置电阻
典型值。
10
47
马克斯。
50
100
单位
V
mA
kΩ
kΩ
NPN电阻配备晶体管（参见“简体外形，
符号和牵制“的包的详细信息） 。
产品概述
包
类型编号
飞利浦
PDTC114YE
PDTC114YEF
PDTC114YK
PDTC114YM
PDTC114YS
PDTC114YT
PDTC114YU
记
1. * = P ：香港制造。
* = T：在马来西亚进行。
* = W ：中国制造。
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54 （ TO-92 ）
SOT23
SOT323
EIAJ
SC-75
SC-89
SC-59
SC-101
SC-43
SC-70
33
12
47
DU
TC114Y
*27
(1)
*30
(1)
PDTA114YE
PDTA114YEF
PDTA114YK
PDTA114YM
PDTA114YS
PDTA114YT
PDTA114YU
标识代码
PNP补充
2004年8月17日
2
恩智浦半导体
产品数据表
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 10 kΩ的， R2 = 47 kΩ的
简化外形，象征与钉扎
PDTC114Y系列
钉扎
类型编号
PDTC114YS
手册， halfpage
简化的外形和符号
针
1
2
2
R1
1
R2
3
MAM364
描述
BASE
集热器
辐射源
1
2
3
3
PDTC114YE
PDTC114YEF
PDTC114YK
PDTC114YT
PDTC114YU
1
顶视图
2
MDB269
1
2
手册， halfpage
BASE
辐射源
集热器
3
R1
1
R2
3
3
2
PDTC114YM
手册， halfpage
1
2
3
R1
1
3
1
底部视图
MHC506
BASE
辐射源
集热器
3
2
R2
2
2004年8月17日
3
恩智浦半导体
产品数据表
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 10 kΩ的， R2 = 47 kΩ的
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT416
SOT883
SOT490
T
英镑
T
j
T
AMB
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
μm
铜带线。
热特性
符号
R
日J-一
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT416
SOT883
SOT490
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
μm
铜带线。
2004年8月17日
4
参数
从结点到环境的热阻
条件
在自由空气
注1
注1
注1
注1
注1
注意到图2和3
注1和2
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C
注1
注1
注1
注1
注1
注意到图2和3
注1和2
条件
发射极开路
开基
集电极开路
PDTC114Y系列
分钟。
马克斯。
50
50
10
+40
6
100
100
500
250
250
200
150
250
250
+150
150
+150
V
V
V
V
V
单位
mA
mA
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
°C
°C
°C
65
65
价值
250
500
500
625
833
500
500
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
恩智浦半导体
产品数据表
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 10 kΩ的， R2 = 47 kΩ的
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2
-------
-
R1
C
c
参数
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
输入截止电压
输入导通电压
输入电阻
电阻率
集电极电容
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
条件
V
CB
= 50 V ;我
E
= 0
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0; T
j
= 150
°C
V
EB
= 5 V ;我
C
= 0
V
CE
= 5 V ;我
C
= 5毫安
I
C
= 100
μA;
V
CE
= 5 V
I
C
= 1毫安; V
CE
= 0.3 V
PDTC114Y系列
分钟。
100
1.4
7
3.7
典型值。
0.7
0.8
10
4.7
马克斯。
100
1
50
150
100
0.5
13
5.7
2.5
单位
nA
μA
μA
μA
mV
V
V
kΩ
集电极 - 发射极饱和电压I
C
= 5毫安;我
B
= 0.25毫安
pF
2004年8月17日
5
汽车小信号
分立器件解决方案
我们的创新产品组合推动未来
汽车
通过增强的功能简化了设计
从单个产品提供更多的功能，我们帮助
缩短开发时间。只需几个小信号分立器件数
电路块可以构建和与之不同的数
对帐单，材料成分可以降低显着。
我们的小信号分立器件产品组合提供了动力和性能
水平以前只有更大的包，允许相关
你用更紧凑的替代中等功率产品
替代品。因为你现在可以得到高性能
晶体管和二极管的低成本小信号的包，就可以
显着降低成本。无论是卓越的ESD保护或
loadswitch的功能集成到单个组件
我们的投资组合可以更容易地设计出一个新的系统。
2
小信号分立器件解决方案
作为汽车制造商努力提高安全性，性能，舒适性和
燃料 - 英法fi效率水平，车辆的半导体含量上升和电子
系统正变得越来越复杂。因此，系统供应商必须满足
日益严格的要求。在这两种汽车的基础上我们的专业知识
和小信号分立器件解决方案，飞利浦提供了一个广泛的离散组合
组件，帮助供应商达到严格和多样化的技术要求
在汽车电子。宽范围，使汽车设计者是
灵活的在他们的设计中。通过集成产品的手段的部件数
降低，从而可以降低成本。
我们的所有新产品发布在著名的SOT23封装，
以及在像SOT323 （SC- 70） ， SOD323更小封装（SC- 76）
和SOD323F （ SC - 90 ） 。为了支持朝着一体化的趋势也
多个晶体管和二极管可集成到只是一个
单包像SOT457 （ SC - 74）和SOT363 （ SC - 88 ） 。
飞利浦拥有全部到位的技术引领小信号的方式
分立器件产品，让开发汽车应用
将驱动未来。
关键的家庭
- 低V
CESAT
（ BISS ）晶体管
- 电阻 - 配备晶体管（分辨率增强技术）
- 复杂的分立器件
BISS Loadswitches
匹配的晶体管配对
MOSFET驱动器
- 低V
F
（ MEGA ）肖特基整流器器
- ESD保护二极管
重点班妮科幻TS
- 更多的权力
- 降低成本
- 更多功能
- 提高可靠性
- 汽车包
3
低V
CESAT
（ BISS ）晶体管
这些突破性小信号（ BISS ）晶体管提供最好的一流的
因此，英法fi效率，得到了热出您的应用程序。这些成本效益
替代中等功率晶体管提供1 - 5 SOT223的一种功能
（ SC - 73 ） ， SOT89 （ SC - 62 ） ， SOT23和SOT457 （ SC - 74 ） 。
主要特点
- 减少热和电抗性
- 高达5 A集电极电流能力我
C
- 高达10 A的峰值集电极电流I
CM
- 高性能boardspace比
- 高电流增益
FE
- 即使在高我
C
- 可用的产品范围广泛
重点班妮科幻TS
- 减少热量的产生，因此，在使用
高温环境下可能
- 成本效益的替代介质
功率晶体管
- 小信号性能提高
离散足迹
VCC
调节器
MSD923
DC / DC转换器
主要应用领域
- 应用中的热量是一个问题
（例如引擎 - 或仪表板安装
组件）
- 高和低侧开关，例如在控制
单位
- 司机在低电源电压应用，
例如风机，电机
- 感性负载的驱动程序，例如继电器，蜂鸣器
- MOSFET驱动器
减少热量的产生与BISS晶体管
SOT223 ：我
C
= 1.55 ;我
B
= 0.1 A; PCB的FR4 + 1厘米
2
Cu
BCP51 ，T
j
= 130°C
PBSS9110Z ，T
j
= 103°C
SOT223 （ SC- 73 ）
PBSS5350Z ，T
j
= 60°C
SOT89 （ SC- 62 ）
PBSS5540Z ，T
j
= 45°C
SOT23
SOT457 （ SC- 74 ）
P
合计
2000毫瓦
I
C
(A)
V
首席执行官
(V)
30
1.0
40
60
100
30
2.0
40
50
20
30
3.0
50
60
80
100
4.0
5.0
40
80
20
PBSS4540Z
PBSS5540Z
PBSS4350Z
PBSS5350Z
PBSS8110Z
PBSS9110Z
NPN
PNP
P
合计
1300毫瓦
NPN
PNP
NPN
P
合计
480毫瓦
PNP
PBSS5130T
PBSS5140T
PBSS5160T
PBSS9110T
PBSS5230T
PBSS5240T
PBSS5350T
NPN
PBSS4130T
PBSS4140T
PBSS4160T
PBSS8110T
PBSS4230T
PBSS4240T
P
合计
750毫瓦
PNP
PBSS4140DPN （ NPN / PNP ）
PBSS8110D
PBSS9110D
PBSS4240DPN （ NPN / PNP ）
PBSS4250X
PBSS4320X
PBSS4330X
PBSS4350X
PBSS5250X
PBSS5320X
PBSS5330X
PBSS5350X
PBSS4350T
PBSS4350D
PBSS303ND
PBSS304ND
PBSS305ND
PBSS5350D
PBSS303PD
PBSS304PD
PBSS305PD
PBSS5440D
PBSS4540X
PBSS4480X
PBSS4520X
PBSS5540X
PBSS5480X
PBSS5520X
PBSS4440D
4
电阻配备晶体管（分辨率增强技术）
为汽车行业开发特别是， 500毫安可再生能源技术相结合的晶体管
用两个电阻来提供用于数字应用的最佳解决方案集成
车载系统，例如控制单元。也有单一个广泛的产品组合
和双百毫安可再生能源技术可用于标准的小信号数字化应用。
主要特点
- 集成的晶体管和两个电阻
一包
- 初始500毫安组合与几个电阻
SOT23和SOT346组合（ SC- 59A ）
- 进一步电阻器组合和双
版本计划
重点班妮科幻TS
- 降低处理成本和库存成本
- 减少boardspace要求
- 更短的安装时间并减少
拾取和放置的努力
- 简单的设计过程
- 提高最终产品的可靠性，由于
更少的焊接点
SOT23
SOT346 （ SC- 59A ）
动力
供应
R4
R3
控制
输入
R1
R2
Tr2
Tr1
RLOAD
高边开关
bra182
主要应用领域
- 数字化应用
- 开关负载，如对于仪表板
- 控制IC的输入，例如发动机
控制单元
500毫安可再生能源技术
I
C
MAX 。 （MA ）
500
V
首席执行官
MAX 。 （V ）
50
R1 （ kΩ的）
1
2.2
1
2.2
R2值（kΩ ）
1
2.2
10
10
NPN
PDTD113ET
PDTD123ET
PDTD113ZT
PDTD123YT
PNP
PDTB113ET
PDTB123ET
PDTB113ZT
PDTB123YT
NPN
PDTD113EK
PDTD123EK
PDTD113ZK
PDTD123YK
PNP
PDTB113EK
PDTB123EK
PDTB113ZK
PDTB123YK
SOT363 （ SC -88 ）
百毫安可再生能源技术
SOT23
SOT323 （ SC- 70 ）
CON组fi guration
I
C
MAX 。 （MA ）
V
首席执行官
MAX 。 （V ）
R1 （ kΩ）连接R2 （千欧）
2.2
R1 = R2
4.7
10
22
47
100
2.2
2.2
4.7
R1
≠
R2
100
50
4.7
10
22
47
47
2.2
只有R1
4.7
10
22
47
100
2.2
4.7
10
22
47
100
10
47
10
47
47
47
10
22
-
-
-
-
-
-
NPN
PDTC123ET
PDTC143ET
PDTC114ET
PDTC124ET
PDTC144ET
PDTC115ET
PDTC123YT
PDTC123JT
PDTC143XT
PDTC143ZT
PDTC114YT
PDTC124XT
PDTC144VT
PDTC144WT
PDTC123TT
PDTC143TT
PDTC114TT
PDTC124TT
PDTC144TT
PDTC115TT
PNP
PDTA123ET
PDTA143ET
PDTA114ET
PDTA124ET
PDTA144ET
PDTA115ET
PDTA123YT
PDTA123JT
PDTA143XT
PDTA143ZT
PDTA114YT
PDTA124XT
PDTA144VT
单身
NPN
PDTC123EU
PDTC143EU
PDTC114EU
PDTC124EU
PDTC144EU
PDTC115EU
PDTC123YU
PDTC123JU
PDTC143XU
PDTC143ZU
PDTC114YU
PDTC124XU
PDTC144VU
PDTC144WU
PDTC123TU
PDTC143TU
PDTC114TU
PDTC124TU
PDTC144TU
PDTC115TU
PNP
PDTA123EU
PDTA143EU
PDTA114EU
PDTA124EU
PDTA144EU
PDTA115EU
PDTA123YU
PDTA123JU
PDTA143XU
PDTA143ZU
PDTA114YU
PDTA124XU
PDTA144VU
PDTA144WU
PDTA123TU
PDTA143TU
PDTA114TU
PDTA124TU
PDTA144TU
PDTA115TU
PUMH17
PUMH30
PUMH7
PUMH4
PUMH19
PUMH14
PUMH10
PUMH18
PUMH13
PUMH9
PUMH16
NPN / NPN
PUMH20
PUMH15
PUMH11
PUMH1
PUMH2
PUMH24
双
NPN / PNP
PUMD20
PUMD15
PUMD3
PUMD2
PUMD12
PUMD24
PUMD10
PUMD18
PUMD13
PUMD9
PUMD16
PUMD17
PUMD30
PUMD6
PUMD4
PUMD19
PUMD14
PNP / PNP
PUMB20
PUMB15
PUMB11
PUMB1
PUMB2
PUMB24
PUMB10
PUMB18
PUMB13
PUMB9
PUMB16
PUMB17
PUMB30
PUMB3
PUMB4
PUMB19
PUMB14
PDTA144WT
PDTA123TT
PDTA143TT
PDTA114TT
PDTA124TT
PDTA144TT
PDTA115TT
5
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推荐型号
P4C151-20DMB
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P80C851IBB
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PTV09A-4220F-B102
PSD914F4A-12MT
PIC18LF258EPTQTP
PFW5006
PIC16CR64-04E/JW
PN1011-150M
PDA54-12SRWA
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    PDTC123JT
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
辉华拓展
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电话：0755-83202411
联系人：杨泽鹏
地址：深圳市福田区 汉国中心55楼
PDTC123JT
NXP(恩智浦)
22+
27991
原装原厂公司现货
深圳市高胜电子经营部
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2355640692 复制
电话：755-83258123
联系人：赵先生
地址：深圳市福田区振中路新亚洲电子商城2期N4A073
PDTC123JT
NXP
18+
593
SOT-23
进口原装现货
深圳市科恒伟业电子有限公司
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电话：0755-88917652分机801-83200050
联系人：柯
地址：深圳市福田区华强北振兴华101号华匀大厦二栋五楼516室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票！！
PDTC123JT
NXP/恩智浦
21+
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只做原装正品现货或订货！代理渠道订货假一赔三！
瀚佳科技（深圳）有限公司
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电话：0755-23915992/23140719
联系人：李
地址：深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1709室
PDTC123JT
NEXPERIA
24+
68500
SOT23
一级代理/放心采购
北京元坤国际科技有限公司
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
PDTC123JT
NEXPERIA
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18600
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全新原装正品/质量有保证
深圳市百润电子有限公司
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电话：17876146278/15814081976
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地址：华强广场B座7楼001室
PDTC123JT
NXP
22+
15000
N/A
原装正品 现货库存 价钱优势 联系电话：15814081976（同微信）梁小姐
深圳市俊晖半导体有限公司
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电话：13410941925
联系人：李先生【原装正品,可开发票】
地址：深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋1511A12
PDTC123JT
NXP
24+
6000
SOT-23
原装正品现货，可开增值税专用发票
深圳信泰电子器材有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1248156793 复制 点击这里给我发消息 QQ：519794981 复制

电话：0755-83242658
联系人：廖先生
地址：广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
PDTC123JT
NXP
24+
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