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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符P型号页 > 首字符P的型号第648页 > PDTC115EEF
分立半导体
数据表
PDTC115E系列
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 100千欧， R2 = 100 kΩ的
产品speci fi cation
取代2004年的数据4月6日
2004年8月06
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 100千欧， R2 = 100 kΩ的
特点
内置偏置电阻
简化的电路设计
减少元件数量
减少取放成本。
应用
通用开关和放大
逆变器和接口电路
电路的驱动程序。
描述
PDTC115E系列
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
O
R1
R2
参数
集电极 - 发射极
电压
输出直流（DC）
偏置电阻
偏置电阻
典型值。
100
100
马克斯。
50
20
单位
V
mA
k
k
NPN配备电阻晶体管（参见“简体外形，
符号和牵制“的包的详细信息） 。
产品概述
包
类型编号
飞利浦
PDTC115EE
PDTC115EEF
PDTC115EK
PDTC115EM
PDTC115ES
PDTC115ET
PDTC115EU
记
1. * = P ：香港制造。
* = T：在马来西亚进行。
* = W ：中国制造。
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54 （ TO-92 ）
SOT23
SOT323
EIAJ
SC-75
SC-89
SC-59
SC-101
SC-43
SC-70
46
49
56
DV
TC115E
*44
(1)
*15
(1)
PDTA115EE
PDTA115EEF
PDTA115EK
PDTA115EM
PDTA115ES
PDTA115ET
PDTA115EU
标识代码
PNP补充
2004年8月06
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 100千欧， R2 = 100 kΩ的
简化外形，象征与钉扎
PDTC115E系列
钉扎
类型编号
PDTC115ES
手册， halfpage
简化的外形和符号
针
1
2
2
R1
1
R2
3
MAM364
描述
BASE
集热器
辐射源
1
2
3
3
PDTC115EE
PDTC115EEF
PDTC115EK
PDTC115ET
PDTC115EU
1
顶视图
2
MDB269
1
2
手册， halfpage
BASE
辐射源
集热器
3
R1
1
R2
3
3
2
PDTC115EM
手册， halfpage
1
2
3
R1
1
3
1
底部视图
MHC506
BASE
辐射源
集热器
3
2
R2
2
2004年8月06
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 100千欧， R2 = 100 kΩ的
订购信息
包
类型编号
名字
PDTC115EE
PDTC115EEF
PDTC115EK
PDTC115EM
PDTC115ES
PDTC115ET
PDTC115EU
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
PDTC115E系列
VERSION
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54
SOT23
SOT323
无铅超小型塑料封装; 3焊区;体
1.0
×
0.6
×
0.5 mm
塑料单端含铅（通孔）包; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT416
SOT883
SOT490
T
英镑
T
j
T
AMB
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
m
铜带线。
储存温度
结温
工作环境
温度
T
AMB
≤
25
°C
注1
注1
注1
注1
注1
注意到图2和3
注1和2
65
65
500
250
250
200
150
250
250
+150
150
+150
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
°C
°C
°C
+40
10
20
100
V
V
mA
mA
条件
发射极开路
开基
集电极开路
分钟。
50
50
10
马克斯。
V
V
V
单位
2004年8月06
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 100千欧， R2 = 100 kΩ的
热特性
符号
R
号（j -a）的
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT416
SOT833
SOT490
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
m
铜带线。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2
-------
-
R1
C
c
参数
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
输入截止电压
输入导通电压
输入电阻
电阻率
集电极电容
I
E
= i
e
= 0 ; V
CB
= 10 V;
F = 1 MHz的
条件
V
CB
= 50 V ;我
E
= 0 A
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0 A
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0 ;吨
j
= 150
°C
V
EB
= 5 V ;我
C
= 0 A
V
CE
= 5 V ;我
C
= 5毫安
I
C
= 5毫安;我
B
= 0.25毫安
I
C
= 100
A;
V
CE
= 5 V
I
C
= 1毫安; V
CE
= 0.3 V
参数
从结点到环境的热阻
条件
在自由空气
注1
注1
注1
注1
注1
注意到图2和3
注1和2
PDTC115E系列
价值
250
500
500
625
833
500
500
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
分钟。
80
3
70
0.8
典型值。
1.1
1.5
100
1
马克斯。
100
1
50
50
150
0.5
130
1.2
2.5
单位
nA
A
A
A
mV
V
V
k
pF
2004年8月06
5
分立半导体
数据表
PDTC115E系列
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 100千欧， R2 = 100 kΩ的
产品数据表
取代2004年的数据4月6日
2004年8月06
恩智浦半导体
产品数据表
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 100千欧， R2 = 100 kΩ的
特点
内置偏置电阻
简化的电路设计
减少元件数量
减少取放成本。
应用
通用开关和放大
逆变器和接口电路
电路的驱动程序。
描述
PDTC115E系列
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
O
R1
R2
参数
集电极 - 发射极
电压
输出直流（DC）
偏置电阻
偏置电阻
典型值。
100
100
马克斯。
50
20
单位
V
mA
kΩ
kΩ
NPN配备电阻晶体管（参见“简体外形，
符号和牵制“的包的详细信息） 。
产品概述
包
类型编号
飞利浦
PDTC115EE
PDTC115EEF
PDTC115EK
PDTC115EM
PDTC115ES
PDTC115ET
PDTC115EU
记
1. * = P ：香港制造。
* = T：在马来西亚进行。
* = W ：中国制造。
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54 （ TO-92 ）
SOT23
SOT323
EIAJ
SC-75
SC-89
SC-59
SC-101
SC-43
SC-70
46
49
56
DV
TC115E
*44
(1)
*15
(1)
PDTA115EE
PDTA115EEF
PDTA115EK
PDTA115EM
PDTA115ES
PDTA115ET
PDTA115EU
标识代码
PNP补充
2004年8月06
2
恩智浦半导体
产品数据表
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 100千欧， R2 = 100 kΩ的
简化外形，象征与钉扎
PDTC115E系列
钉扎
类型编号
PDTC115ES
手册， halfpage
简化的外形和符号
针
1
2
2
R1
1
R2
3
MAM364
描述
BASE
集热器
辐射源
1
2
3
3
PDTC115EE
PDTC115EEF
PDTC115EK
PDTC115ET
PDTC115EU
1
顶视图
2
MDB269
1
2
手册， halfpage
BASE
辐射源
集热器
3
R1
1
R2
3
3
2
PDTC115EM
手册， halfpage
1
2
3
R1
1
3
1
底部视图
MHC506
BASE
辐射源
集热器
3
2
R2
2
2004年8月06
3
恩智浦半导体
产品数据表
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 100千欧， R2 = 100 kΩ的
订购信息
包
类型编号
名字
PDTC115EE
PDTC115EEF
PDTC115EK
PDTC115EM
PDTC115ES
PDTC115ET
PDTC115EU
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
PDTC115E系列
VERSION
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54
SOT23
SOT323
无铅超小型塑料封装; 3焊区;体
1.0
×
0.6
×
0.5 mm
塑料单端含铅（通孔）包; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT416
SOT883
SOT490
T
英镑
T
j
T
AMB
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
μm
铜带线。
储存温度
结温
工作环境
温度
T
AMB
≤
25
°C
注1
注1
注1
注1
注1
注意到图2和3
注1和2
65
65
500
250
250
200
150
250
250
+150
150
+150
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
°C
°C
°C
+40
10
20
100
V
V
mA
mA
条件
发射极开路
开基
集电极开路
分钟。
50
50
10
马克斯。
V
V
V
单位
2004年8月06
4
恩智浦半导体
产品数据表
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 100千欧， R2 = 100 kΩ的
热特性
符号
R
号（j -a）的
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT416
SOT833
SOT490
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
μm
铜带线。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2
-------
-
R1
C
c
参数
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
输入截止电压
输入导通电压
输入电阻
电阻率
集电极电容
I
E
= i
e
= 0 ; V
CB
= 10 V;
F = 1 MHz的
条件
V
CB
= 50 V ;我
E
= 0 A
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0 A
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0 ;吨
j
= 150
°C
V
EB
= 5 V ;我
C
= 0 A
V
CE
= 5 V ;我
C
= 5毫安
I
C
= 100
μA;
V
CE
= 5 V
I
C
= 1毫安; V
CE
= 0.3 V
参数
从结点到环境的热阻
条件
在自由空气
注1
注1
注1
注1
注1
注意到图2和3
注1和2
PDTC115E系列
价值
250
500
500
625
833
500
500
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
分钟。
80
3
70
0.8
典型值。
1.1
1.5
100
1
马克斯。
100
1
50
50
150
0.5
130
1.2
2.5
单位
nA
μA
μA
μA
mV
V
V
kΩ
集电极 - 发射极饱和电压I
C
= 5毫安;我
B
= 0.25毫安
pF
2004年8月06
5
分立半导体
数据表
PDTA115E系列
PNP电阻配备晶体管;
R1 = 100千欧， R2 = 100 kΩ的
产品speci fi cation
取代2004年05月05数据
2004年7月30日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP电阻配备晶体管;
R1 = 100千欧， R2 = 100 kΩ的
特点
内置偏置电阻
简化的电路设计
减少元件数量
减少取放成本。
应用
通用开关和放大
逆变器和接口电路
电路的驱动程序。
描述
PDTA115E系列
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
O
R1
R2
参数
集电极 - 发射极
电压
输出直流（DC）
偏置电阻
偏置电阻
典型值。
100
100
马克斯。
50
20
单位
V
mA
k
k
PNP电阻配备晶体管（参见“简体外形，
符号和牵制“的包的详细信息） 。
产品概述
包
类型编号
飞利浦
PDTA115EE
PDTA115EEF
PDTA115EK
PDTA115EM
PDTA115ES
PDTA115ET
PDTA115EU
记
1. * = P ：香港制造。
* = T：在马来西亚进行。
* = W ：中国制造。
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54 （ TO-92 ）
SOT23
SOT323
EIAJ
SC-75
SC-89
SC-59
SC-101
SC-43
SC-70
5E
6B
62
F6
TA115E
* AB
(1)
*7C
(1)
PDTC115EE
PDTC115EEF
PDTC115EK
PDTC115EM
PDTC115ES
PDTC115ET
PDTC115EU
标识代码
NPN补
2004年7月30日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP电阻配备晶体管;
R1 = 100千欧， R2 = 100 kΩ的
简化外形，象征与钉扎
PDTA115E系列
钉扎
类型编号
PDTA115ES
手册， halfpage
简化的外形和符号
针
1
2
2
R1
1
R2
3
MAM338
描述
BASE
集热器
辐射源
1
2
3
3
PDTA115EE
PDTA115EEF
PDTA115EK
PDTA115ET
PDTA115EU
1
顶视图
2
MDB271
1
2
手册， halfpage
BASE
辐射源
集热器
3
R1
1
R2
3
3
2
PDTA115EM
手册， halfpage
1
2
3
R1
3
1
底部视图
MDB267
BASE
辐射源
集热器
3
2
1
R2
2
2004年7月30日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP电阻配备晶体管;
R1 = 100千欧， R2 = 100 kΩ的
订购信息
包
类型编号
名字
PDTA115EE
PDTA115EEF
PDTA115EK
PDTA115EM
PDTA115ES
PDTA115ET
PDTA115EU
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
PDTA115E系列
VERSION
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54
SOT23
SOT323
无铅超小型塑料封装; 3焊区;体
1.0
×
0.6
×
0.5 mm
塑料单端含铅（通孔）包; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
SOT23
SOT54
SOT323
SOT346
SOT416
SOT490
SOT883
T
英镑
T
j
T
AMB
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
m
铜带线。
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C
注1
注1
注1
注1
注1
注1和2
注意到图2和3
65
65
250
500
200
250
150
250
250
+150
150
+150
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
°C
°C
°C
+10
40
20
100
V
V
mA
mA
条件
发射极开路
开基
集电极开路
分钟。
马克斯。
50
50
10
V
V
V
单位
2004年7月30日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP电阻配备晶体管;
R1 = 100千欧， R2 = 100 kΩ的
热特性
符号
R
号（j -a）的
SOT23
SOT54
SOT323
SOT346
SOT416
SOT490
SOT883
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
m
铜带线。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
参数
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
条件
V
CB
=
50
V ;我
E
= 0 A
V
CE
=
30
V ;我
B
= 0 A
V
CE
=
30
V ;我
B
= 0 A;
T
j
= 150
°C
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2
-------
-
R1
C
c
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
输入截止电压
输入导通电压
输入电阻
电阻率
集电极电容
I
E
= i
e
= 0 ; V
CB
=
10
V;
F = 1 MHz的
V
EB
=
5
V ;我
C
= 0 A
V
CE
=
5
V ;我
C
=
5
mA
I
C
=
5
毫安;我
B
=
0.25
mA
I
C
=
100 A;
V
CE
=
5
V
I
C
=
1
毫安; V
CE
=
0.3
V
参数
从结点到环境的热阻
条件
T
AMB
≤
25
°C
注1
注1
注1
注1
注1
注1和2
注意到图2和3
PDTA115E系列
价值
500
250
625
500
833
500
500
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
分钟。
80
3
70
0.8
典型值。
1.2
1.6
100
1
马克斯。
100
1
50
50
150
0.5
130
1.2
3
单位
nA
A
A
A
mV
V
V
k
pF
2004年7月30日
5
分立半导体
数据表
PDTC115E系列
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 100千欧， R2 = 100 kΩ的
产品speci fi cation
取代2004年的数据4月6日
2004年8月06
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 100千欧， R2 = 100 kΩ的
特点
内置偏置电阻
简化的电路设计
减少元件数量
减少取放成本。
应用
通用开关和放大
逆变器和接口电路
电路的驱动程序。
描述
PDTC115E系列
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
O
R1
R2
参数
集电极 - 发射极
电压
输出直流（DC）
偏置电阻
偏置电阻
典型值。
100
100
马克斯。
50
20
单位
V
mA
k
k
NPN配备电阻晶体管（参见“简体外形，
符号和牵制“的包的详细信息） 。
产品概述
包
类型编号
飞利浦
PDTC115EE
PDTC115EEF
PDTC115EK
PDTC115EM
PDTC115ES
PDTC115ET
PDTC115EU
记
1. * = P ：香港制造。
* = T：在马来西亚进行。
* = W ：中国制造。
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54 （ TO-92 ）
SOT23
SOT323
EIAJ
SC-75
SC-89
SC-59
SC-101
SC-43
SC-70
46
49
56
DV
TC115E
*44
(1)
*15
(1)
PDTA115EE
PDTA115EEF
PDTA115EK
PDTA115EM
PDTA115ES
PDTA115ET
PDTA115EU
标识代码
PNP补充
2004年8月06
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 100千欧， R2 = 100 kΩ的
简化外形，象征与钉扎
PDTC115E系列
钉扎
类型编号
PDTC115ES
手册， halfpage
简化的外形和符号
针
1
2
2
R1
1
R2
3
MAM364
描述
BASE
集热器
辐射源
1
2
3
3
PDTC115EE
PDTC115EEF
PDTC115EK
PDTC115ET
PDTC115EU
1
顶视图
2
MDB269
1
2
手册， halfpage
BASE
辐射源
集热器
3
R1
1
R2
3
3
2
PDTC115EM
手册， halfpage
1
2
3
R1
1
3
1
底部视图
MHC506
BASE
辐射源
集热器
3
2
R2
2
2004年8月06
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 100千欧， R2 = 100 kΩ的
订购信息
包
类型编号
名字
PDTC115EE
PDTC115EEF
PDTC115EK
PDTC115EM
PDTC115ES
PDTC115ET
PDTC115EU
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
PDTC115E系列
VERSION
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54
SOT23
SOT323
无铅超小型塑料封装; 3焊区;体
1.0
×
0.6
×
0.5 mm
塑料单端含铅（通孔）包; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT416
SOT883
SOT490
T
英镑
T
j
T
AMB
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
m
铜带线。
储存温度
结温
工作环境
温度
T
AMB
≤
25
°C
注1
注1
注1
注1
注1
注意到图2和3
注1和2
65
65
500
250
250
200
150
250
250
+150
150
+150
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
°C
°C
°C
+40
10
20
100
V
V
mA
mA
条件
发射极开路
开基
集电极开路
分钟。
50
50
10
马克斯。
V
V
V
单位
2004年8月06
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 100千欧， R2 = 100 kΩ的
热特性
符号
R
号（j -a）的
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT416
SOT833
SOT490
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
m
铜带线。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2
-------
-
R1
C
c
参数
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
输入截止电压
输入导通电压
输入电阻
电阻率
集电极电容
I
E
= i
e
= 0 ; V
CB
= 10 V;
F = 1 MHz的
条件
V
CB
= 50 V ;我
E
= 0 A
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0 A
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0 ;吨
j
= 150
°C
V
EB
= 5 V ;我
C
= 0 A
V
CE
= 5 V ;我
C
= 5毫安
I
C
= 5毫安;我
B
= 0.25毫安
I
C
= 100
A;
V
CE
= 5 V
I
C
= 1毫安; V
CE
= 0.3 V
参数
从结点到环境的热阻
条件
在自由空气
注1
注1
注1
注1
注1
注意到图2和3
注1和2
PDTC115E系列
价值
250
500
500
625
833
500
500
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
分钟。
80
3
70
0.8
典型值。
1.1
1.5
100
1
马克斯。
100
1
50
50
150
0.5
130
1.2
2.5
单位
nA
A
A
A
mV
V
V
k
pF
2004年8月06
5
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PEC16-4230F-N0024
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