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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符P型号页 > 首字符P的型号第1148页 > PDTC114TK
分立半导体
数据表
PDTA114T系列
PNP电阻配备晶体管;
R1 = 10 kΩ的， R2 =开放
产品speci fi cation
取代2003年的数据09年9月
2004年8月02
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP电阻配备晶体管;
R1 = 10 kΩ的， R2 =开放
特点
内置偏置电阻
简化的电路设计
减少元件数量
减少取放成本。
应用
通用开关和放大
逆变器和接口电路
电路的驱动程序。
描述
PDTA114T系列
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
O
R1
R2
参数
集电极 - 发射极
电压
输出直流（DC）
偏置电阻
开放
典型值。
10
马克斯。
50
100
单位
V
mA
k
PNP电阻配备晶体管（参见“简体外形，
符号和牵制“的包的详细信息） 。
产品概述
包
类型编号
飞利浦
PDTA114TE
PDTA114TEF
PDTA114TK
PDTA114TM
PDTA114TS
PDTA114TT
PDTA114TU
记
1. * = P ：香港制造。
* = T：在马来西亚进行。
* = W ：中国制造。
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54 （ TO-92 ）
SOT23
SOT323
EIAJ
SC-75
SC-89
SC-59
SC-101
SC-43
SC-70
11
46
23
DE
TA114T
*11
(1)
*23
(1)
PDTC114TE
PDTC114TEF
PDTC114TK
PDTC114TM
PDTC114TS
PDTC114TT
PDTC114TU
标识代码
NPN补
2004年8月02
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP电阻配备晶体管;
R1 = 10 kΩ的， R2 =开放
简化外形，象征与钉扎
PDTA114T系列
钉扎
类型编号
PDTA114TS
简化的外形和符号
针
1
2
手册， halfpage
描述
BASE
集热器
辐射源
3
2
R1
1
3
MAM352
1
2
3
PDTA114TE
PDTA114TEF
PDTA114TK
PDTA114TT
PDTA114TU
1
顶视图
2
MDB272
1
2
手册， halfpage
BASE
辐射源
集热器
3
R1
1
3
3
2
PDTA114TM
手册， halfpage
1
2
3
R1
3
1
2
底部视图
MDB268
BASE
辐射源
集热器
3
2
1
2004年8月02
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP电阻配备晶体管;
R1 = 10 kΩ的， R2 =开放
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
O
I
CM
P
合计
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT416
SOT883
SOT490
T
英镑
T
j
T
AMB
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
m
铜带线。
热特性
符号
R
日J-一
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT416
SOT883
SOT490
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
m
铜带线。
参数
从结点到环境的热阻
条件
在自由空气
注1
注1
注1
注1
注1
注意到图2和3
注1和2
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C
注1
注1
注1
注1
注1
注意到图2和3
注1和2
65
65
条件
发射极开路
开基
集电极开路
PDTA114T系列
分钟。
马克斯。
50
50
5
100
100
500
250
250
200
150
250
250
+150
150
+150
V
V
V
单位
mA
mA
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
°C
°C
°C
价值
250
500
500
625
833
500
500
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
2004年8月02
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP电阻配备晶体管;
R1 = 10 kΩ的， R2 =开放
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
R1
C
c
参数
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
输入电阻
集电极电容
条件
V
CB
=
50
V ;我
E
= 0
V
CE
=
30
V ;我
B
= 0
V
CE
=
30
V ;我
B
= 0; T
j
= 150
°C
V
EB
=
5
V ;我
C
= 0
V
CE
=
5
V ;我
C
=
1
mA
I
C
=
10
毫安;我
B
=
0.5
mA
PDTA114T系列
分钟。
200
7
典型值。
10
马克斯。
100
1
50
100
150
13
3
单位
nA
A
A
nA
mV
k
pF
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
10
V ; F = 1 MHz的
2004年8月02
5
分立半导体
数据表
书， halfpage
M3D114
PDTC114TK
NPN电阻配备晶体管
产品speci fi cation
取代1997年5月28日的数据
在分离式半导体文件， SC04
1998年5月19日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管
特点
内置偏置电阻R1 （典型值的10kΩ ）
电路设计的简化
减少了部件的数量
和电路板空间。
应用
特别适用于空间
减少接口和驱动程序
电路
逆变器电路配置
无需使用外部电阻器。
描述
在NPN电阻配备晶体管
一个SC- 59塑料封装。
PNP补充： PDTA114TK 。
1
3
2
手册， halfpage
PDTC114TK
3
3
R1
1
2
1
顶视图
2
MAM290
Fig.1简化外形（ SC - 59）和符号。
记号
TYPE
数
PDTC114TK
记号
CODE
24
钉扎
针
1
2
3
描述
底座/输入
发射器/接地
集电极/输出
MGA893 - 1
Fig.2
相当于逆变器
符号。
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
O
I
CM
P
合计
h
FE
R1
参数
集电极 - 发射极电压
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
直流电流增益
输入电阻
T
AMB
≤
25
°C
I
C
= 1毫安; V
CE
= 5 V
条件
开基
200
7
分钟。
10
典型值。
马克斯。
50
100
100
250
13
k
单位
V
mA
mA
mW
1998年5月19日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
O
I
CM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
热特性
符号
R
日J-一
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
R1
C
c
参数
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
输入电阻
集电极电容
I
E
= I
e
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
条件
I
E
= 0; V
CB
= 50 V
I
B
= 0; V
CE
= 30 V
I
B
= 0; V
CE
= 30 V ;牛逼
j
= 150
°C
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
I
C
= 1毫安; V
CE
= 5 V
I
C
= 10毫安;我
B
- 0.5毫安
分钟。
200
7
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1
价值
500
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
条件
发射极开路
开基
集电极开路
65
65
分钟。
PDTC114TK
马克斯。
50
50
5
100
100
250
+150
150
+150
V
V
V
单位
mA
mA
mW
°C
°C
°C
单位
K / W
典型值。
10
马克斯。
100
1
50
100
150
13
2.5
单位
nA
A
A
nA
mV
k
pF
1998年5月19日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管
PDTC114TK
MGM902
手册， halfpage
(1)
600
手册， halfpage
10
1
MGM901
的hFE
(1)
(2)
(3)
VCEsat晶体管
(V)
400
(2)
(3)
200
0
10
1
1
10
IC （MA ）
10
2
10
2
10
1
1
10
IC （MA ）
10
2
V
CE
= 5 V.
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
40 °C.
I
C
/I
B
= 10.
(1) T
AMB
= 100
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
40 °C.
Fig.3
直流电流增益作为集电体的功能
电流;典型值。
Fig.4
集电极 - 发射极饱和电压为
集电极电流的函数;典型值。
1998年5月19日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管
包装外形
塑料表面贴装封装; 3引线
PDTC114TK
SOT346
E
D
B
A
X
HE
v
M
A
3
Q
A
A1
1
e1
e
bp
2
w
M
B
细节X
Lp
c
0
1
规模
2 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
1.3
1.0
A
1
0.1
0.013
b
p
0.50
0.35
c
0.26
0.10
D
3.1
2.7
E
1.7
1.3
e
1.9
e
1
0.95
H
E
3.0
2.5
L
p
0.6
0.2
Q
0.33
0.23
v
0.2
w
0.2
概要
VERSION
SOT346
参考文献：
IEC
JEDEC
TO-236
EIAJ
SC-59
欧洲
投影
发行日期
97-02-28
1998年5月19日
5
分立半导体
数据表
书， halfpage
M3D114
PDTC114TK
NPN电阻配备晶体管
产品speci fi cation
取代1997年5月28日的数据
在分离式半导体文件， SC04
1998年5月19日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管
特点
内置偏置电阻R1 （典型值的10kΩ ）
电路设计的简化
减少了部件的数量
和电路板空间。
应用
特别适用于空间
减少接口和驱动程序
电路
逆变器电路配置
无需使用外部电阻器。
描述
在NPN电阻配备晶体管
一个SC- 59塑料封装。
PNP补充： PDTA114TK 。
1
3
2
手册， halfpage
PDTC114TK
3
3
R1
1
2
1
顶视图
2
MAM290
Fig.1简化外形（ SC - 59）和符号。
记号
TYPE
数
PDTC114TK
记号
CODE
24
钉扎
针
1
2
3
描述
底座/输入
发射器/接地
集电极/输出
MGA893 - 1
Fig.2
相当于逆变器
符号。
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
O
I
CM
P
合计
h
FE
R1
参数
集电极 - 发射极电压
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
直流电流增益
输入电阻
T
AMB
≤
25
°C
I
C
= 1毫安; V
CE
= 5 V
条件
开基
200
7
分钟。
10
典型值。
马克斯。
50
100
100
250
13
k
单位
V
mA
mA
mW
1998年5月19日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
O
I
CM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
热特性
符号
R
日J-一
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
R1
C
c
参数
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
输入电阻
集电极电容
I
E
= I
e
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
条件
I
E
= 0; V
CB
= 50 V
I
B
= 0; V
CE
= 30 V
I
B
= 0; V
CE
= 30 V ;牛逼
j
= 150
°C
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
I
C
= 1毫安; V
CE
= 5 V
I
C
= 10毫安;我
B
- 0.5毫安
分钟。
200
7
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1
价值
500
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
条件
发射极开路
开基
集电极开路
65
65
分钟。
PDTC114TK
马克斯。
50
50
5
100
100
250
+150
150
+150
V
V
V
单位
mA
mA
mW
°C
°C
°C
单位
K / W
典型值。
10
马克斯。
100
1
50
100
150
13
2.5
单位
nA
A
A
nA
mV
k
pF
1998年5月19日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管
PDTC114TK
MGM902
手册， halfpage
(1)
600
手册， halfpage
10
1
MGM901
的hFE
(1)
(2)
(3)
VCEsat晶体管
(V)
400
(2)
(3)
200
0
10
1
1
10
IC （MA ）
10
2
10
2
10
1
1
10
IC （MA ）
10
2
V
CE
= 5 V.
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
40 °C.
I
C
/I
B
= 10.
(1) T
AMB
= 100
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
40 °C.
Fig.3
直流电流增益作为集电体的功能
电流;典型值。
Fig.4
集电极 - 发射极饱和电压为
集电极电流的函数;典型值。
1998年5月19日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管
包装外形
塑料表面贴装封装; 3引线
PDTC114TK
SOT346
E
D
B
A
X
HE
v
M
A
3
Q
A
A1
1
e1
e
bp
2
w
M
B
细节X
Lp
c
0
1
规模
2 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
1.3
1.0
A
1
0.1
0.013
b
p
0.50
0.35
c
0.26
0.10
D
3.1
2.7
E
1.7
1.3
e
1.9
e
1
0.95
H
E
3.0
2.5
L
p
0.6
0.2
Q
0.33
0.23
v
0.2
w
0.2
概要
VERSION
SOT346
参考文献：
IEC
JEDEC
TO-236
EIAJ
SC-59
欧洲
投影
发行日期
97-02-28
1998年5月19日
5
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PPE1.2KV
PSD4235G2-20B81
PK25FG160
PIC18F4321T-E/PT
PS216
PT7673N
PF0464.123
P54FCT652CTLB
P2H7M440H
PIC16F871-I/P
PTV09A-2025F-A502
PSD913F1V-20B81
PSD953F4-70MIT
PD36S48-150
PEEL18CV8ZT-25
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    PDTC114TK
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市科恒伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2236823936 复制

电话：0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人：李小姐
地址：深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票！！
PDTC114TK
NXP
1926+
28562
SOT-23
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险！！
深圳市科恒伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2236823936 复制

电话：0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人：李小姐
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