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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符P型号页 > 首字符P的型号第7页 > PDTC114EK
分立半导体
数据表
PDTC114E系列
NPN电阻配备晶体管;
R 1 = 10 k ，R 2 = 10 k
产品speci fi cation
取代2003年的数据04月10日
2004年8月05
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管;
R 1 = 10 k ，R 2 = 10 k
特点
内置偏置电阻
简化的电路设计
减少元件数量
减少取放成本。
应用
通用开关和放大
逆变器和接口电路
电路的驱动程序。
描述
PDTC114E系列
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
O
R1
R2
参数
集电极 - 发射极
电压
输出直流（DC）
偏置电阻
偏置电阻
典型值。
10
10
马克斯。
50
100
单位
V
mA
k
k
NPN电阻配备晶体管（参见“简体外形，
符号和牵制“的包的详细信息） 。
产品概述
包
类型编号
飞利浦
PDTC114EE
PDTC114EEF
PDTC114EK
PDTC114EM
PDTC114ES
PDTC114ET
PDTC114EU
记
1. * = P ：香港制造。
* = T：在马来西亚进行。
* = W ：中国制造。
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54 （ TO-92 ）
SOT23
SOT323
EIAJ
SC-75
SC-89
SC-59
SC-101
SC-43
SC-70
09
09
04
DS
TC114E
*16
(1)
*09
(1)
PDTA114EE
PDTA114EEF
PDTA114EK
PDTA114EM
PDTA114ES
PDTA114ET
PDTA114EU
标识代码
PNP补充
2004年8月05
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管;
R 1 = 10 k ，R 2 = 10 k
简化外形，象征与钉扎
PDTC114E系列
钉扎
类型编号
PDTC114ES
手册， halfpage
简化的外形和符号
针
1
2
2
R1
1
R2
3
MAM364
描述
BASE
集热器
辐射源
1
2
3
3
PDTC114EE
PDTC114EEF
PDTC114EK
PDTC114ET
PDTC114EU
1
顶视图
2
MDB269
1
2
手册， halfpage
BASE
辐射源
集热器
3
R1
1
R2
3
3
2
PDTC114EM
手册， halfpage
1
2
3
R1
1
3
1
底部视图
MHC506
BASE
辐射源
集热器
3
2
R2
2
2004年8月05
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管;
R 1 = 10 k ，R 2 = 10 k
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT416
SOT490
SOT883
T
英镑
T
j
T
AMB
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
m
铜带线。
热特性
符号
R
日J-一
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT416
SOT490
SOT883
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
m
铜带线。
2004年8月05
4
参数
从结点到环境的热阻
条件
在自由空气
注1
注1
注1
注1
注1
注1和2
注意到图2和3
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C
注1
注1
注1
注1
注1
注1和2
注意到图2和3
条件
发射极开路
开基
集电极开路
PDTC114E系列
分钟。
马克斯。
50
50
10
+40
10
100
100
500
250
250
200
150
250
250
+150
150
+150
V
V
V
V
V
单位
mA
mA
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
°C
°C
°C
65
65
价值
250
500
500
625
833
500
500
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管;
R 1 = 10 k ，R 2 = 10 k
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2
-------
-
R1
C
c
参数
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
输入截止电压
输入导通电压
输入电阻
电阻率
集电极电容
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
条件
V
CB
= 50 V ;我
E
= 0
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0; T
j
= 150
°C
V
EB
= 5 V ;我
C
= 0
V
CE
= 5 V ;我
C
= 5毫安
I
C
= 10毫安;我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100
A;
V
CE
= 5 V
I
C
= 10毫安; V
CE
= 0.3 V
PDTC114E系列
分钟。
30
2.5
7
0.8
典型值。
1.1
1.8
10
1
马克斯。
100
1
50
400
150
0.8
13
1.2
2.5
单位
nA
A
A
A
mV
V
V
k
pF
2004年8月05
5
分立半导体
数据表
书， halfpage
M3D114
PDTC114EK
NPN电阻配备晶体管
产品speci fi cation
取代1998年的5月19日的数据
1998年11月26日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管
特点
内置的偏置电阻R1和R2
（每个典型值的10kΩ ）
电路设计的简化
减少了部件的数量
和电路板空间。
应用
特别适用于空间
减少接口和驱动程序
电路
逆变器电路配置
无需使用外部电阻。
描述
在NPN电阻配备晶体管
一个SC- 59塑料封装。
PNP补充： PDTA114EK 。
1
3
2
MGA893 - 1
PDTC114EK
3
3
R1
1
R2
2
1
顶视图
2
MAM284
Fig.1简化外形（ SC - 59）和符号。
记号
TYPE
数
PDTC114EK
记号
CODE
04
钉扎
针
1
2
3
描述
底座/输入
发射器/接地
集电极/输出
Fig.2
相当于逆变器
符号。
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
O
I
CM
P
合计
h
FE
R1
R2
-------
-
R1
参数
集电极 - 发射极电压
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
直流电流增益
输入电阻
电阻率
T
AMB
≤
25
°C
I
C
= 5毫安; V
CE
= 5 V
条件
开基
30
7
0.8
分钟。
10
1
典型值。
马克斯。
50
100
100
250
13
1.2
k
单位
V
mA
mA
mW
1998年11月26日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
热特性
符号
R
日J-一
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2
-------
-
R1
C
c
参数
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
输入截止电压
输入导通电压
输入电阻
电阻率
集电极电容
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
条件
I
E
= 0; V
CB
= 50 V
I
B
= 0; V
CE
= 30 V
I
B
= 0; V
CE
= 30 V ;牛逼
j
= 150
°C
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
I
C
= 5毫安; V
CE
= 5 V
I
C
= 10毫安;我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100
A;
V
CE
= 5 V
I
C
= 10毫安; V
CE
= 0.3 V
分钟。
30
2.5
7
0.8
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
65
65
条件
发射极开路
开基
集电极开路
分钟。
PDTC114EK
马克斯。
50
50
10
+40
10
100
100
250
+150
150
+150
V
V
V
V
V
单位
mA
mA
mW
°C
°C
°C
价值
500
单位
K / W
典型值。
1.1
1.8
10
1
马克斯。
100
1
50
400
150
0.8
13
1.2
2.5
单位
nA
A
A
A
mV
V
V
k
pF
1998年11月26日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管
PDTC114EK
手册， halfpage
10
3
MGM898
手册， halfpage
1
MGM897
的hFE
(2)
(1)
VCEsat晶体管
(V)
10
2
(3)
10
1
(1)
(2)
(3)
10
1
10
1
1
10
IC （MA ）
10
2
10
2
1
10
IC （MA ）
10
2
V
CE
= 5 V.
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
40 °C.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
AMB
= 100
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
40 °C.
Fig.3
直流电流增益作为集电体的功能
电流;典型值。
Fig.4
集电极 - 发射极饱和电压为
集电极电流的函数;典型值。
手册， halfpage
10
MGM900
10
2
手册， halfpage
第六章（上）
MGM899
六（关闭）
(V)
(V)
10
(1)
(2)
(3)
(1) (2) (3)
1
1
10
1
10
2
10
1
1
IC （MA ）
10
10
1
10
1
1
10
IC （MA ）
10
2
V
CE
= 5 V.
(1) T
AMB
=
40 °C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
= 100
°C.
V
CE
= 0.3 V.
(1) T
AMB
=
40 °C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
= 100
°C.
Fig.5
输入截止电压作为集电体的功能
电流;典型值。
Fig.6
输入导通电压作为集电体的功能
电流;典型值。
1998年11月26日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管
包装外形
塑料表面贴装封装; 3引线
PDTC114EK
SOT346
E
D
B
A
X
HE
v
M
A
3
Q
A
A1
1
e1
e
bp
2
w
M
B
细节X
Lp
c
0
1
规模
2 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
1.3
1.0
A
1
0.1
0.013
b
p
0.50
0.35
c
0.26
0.10
D
3.1
2.7
E
1.7
1.3
e
1.9
e
1
0.95
H
E
3.0
2.5
L
p
0.6
0.2
Q
0.33
0.23
v
0.2
w
0.2
概要
VERSION
SOT346
参考文献：
IEC
JEDEC
TO-236
EIAJ
SC-59
欧洲
投影
发行日期
98-07-17
1998年11月26日
5
分立半导体
数据表
PDTC114E系列
NPN电阻配备晶体管;
R 1 = 10 k ，R 2 = 10 k
产品数据表
取代2003年的数据04月10日
2004年8月05
恩智浦半导体
产品数据表
NPN电阻配备晶体管;
R 1 = 10 k ，R 2 = 10 k
特点
内置偏置电阻
简化的电路设计
减少元件数量
减少取放成本。
应用
通用开关和放大
逆变器和接口电路
电路的驱动程序。
描述
PDTC114E系列
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
O
R1
R2
参数
集电极 - 发射极
电压
输出直流（DC）
偏置电阻
偏置电阻
典型值。
10
10
马克斯。
50
100
单位
V
mA
kΩ
kΩ
NPN电阻配备晶体管（参见“简体外形，
符号和牵制“的包的详细信息） 。
产品概述
包
类型编号
飞利浦
PDTC114EE
PDTC114EEF
PDTC114EK
PDTC114EM
PDTC114ES
PDTC114ET
PDTC114EU
记
1. * = P ：香港制造。
* = T：在马来西亚进行。
* = W ：中国制造。
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54 （ TO-92 ）
SOT23
SOT323
EIAJ
SC-75
SC-89
SC-59
SC-101
SC-43
SC-70
09
09
04
DS
TC114E
*16
(1)
*09
(1)
PDTA114EE
PDTA114EEF
PDTA114EK
PDTA114EM
PDTA114ES
PDTA114ET
PDTA114EU
标识代码
PNP补充
2004年8月05
2
恩智浦半导体
产品数据表
NPN电阻配备晶体管;
R 1 = 10 k ，R 2 = 10 k
简化外形，象征与钉扎
PDTC114E系列
钉扎
类型编号
PDTC114ES
手册， halfpage
简化的外形和符号
针
1
2
2
R1
1
R2
3
MAM364
描述
BASE
集热器
辐射源
1
2
3
3
PDTC114EE
PDTC114EEF
PDTC114EK
PDTC114ET
PDTC114EU
1
顶视图
2
MDB269
1
2
手册， halfpage
BASE
辐射源
集热器
3
R1
1
R2
3
3
2
PDTC114EM
手册， halfpage
1
2
3
R1
1
3
1
底部视图
MHC506
BASE
辐射源
集热器
3
2
R2
2
2004年8月05
3
恩智浦半导体
产品数据表
NPN电阻配备晶体管;
R 1 = 10 k ，R 2 = 10 k
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT416
SOT490
SOT883
T
英镑
T
j
T
AMB
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
μm
铜带线。
热特性
符号
R
日J-一
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT416
SOT490
SOT883
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
μm
铜带线。
2004年8月05
4
参数
从结点到环境的热阻
条件
在自由空气
注1
注1
注1
注1
注1
注1和2
注意到图2和3
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C
注1
注1
注1
注1
注1
注1和2
注意到图2和3
条件
发射极开路
开基
集电极开路
PDTC114E系列
分钟。
马克斯。
50
50
10
+40
10
100
100
500
250
250
200
150
250
250
+150
150
+150
V
V
V
V
V
单位
mA
mA
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
°C
°C
°C
65
65
价值
250
500
500
625
833
500
500
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
恩智浦半导体
产品数据表
NPN电阻配备晶体管;
R 1 = 10 k ，R 2 = 10 k
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2
-------
-
R1
C
c
参数
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
输入截止电压
输入导通电压
输入电阻
电阻率
集电极电容
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
条件
V
CB
= 50 V ;我
E
= 0
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0; T
j
= 150
°C
V
EB
= 5 V ;我
C
= 0
V
CE
= 5 V ;我
C
= 5毫安
I
C
= 100
μA;
V
CE
= 5 V
I
C
= 10毫安; V
CE
= 0.3 V
PDTC114E系列
分钟。
30
2.5
7
0.8
典型值。
1.1
1.8
10
1
马克斯。
100
1
50
400
150
0.8
13
1.2
2.5
单位
nA
μA
μA
μA
mV
V
V
kΩ
集电极 - 发射极饱和电压I
C
= 10毫安;我
B
- 0.5毫安
pF
2004年8月05
5
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PAL18X2VM
P87C58EFBB
PSD934F4-12UI
PAL16R8BNC
P2300SCMCLRP
P0901UCL
PC3752C-12C3T
PLL502-35QCL
PI49FCT3807C
PSD4235G3V-C-20B81
PMD18K80
PIC18F8490T-E/PT
P4C198L-55CMB
PL8908
PT-50
PT50
PE4547
P80C52SBAA
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