飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管;
R 1 = 10 k ，R 2 = 10 k
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT416
SOT490
SOT883
T
英镑
T
j
T
AMB
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
m
铜带线。
热特性
符号
R
日J-一
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT416
SOT490
SOT883
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
m
铜带线。
2004年8月05
4
参数
从结点到环境的热阻
条件
在自由空气
注1
注1
注1
注1
注1
注1和2
注意到图2和3
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C
注1
注1
注1
注1
注1
注1和2
注意到图2和3
条件
发射极开路
开基
集电极开路
PDTC114E系列
分钟。
马克斯。
50
50
10
+40
10
100
100
500
250
250
200
150
250
250
+150
150
+150
V
V
V
V
V
单位
mA
mA
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
°C
°C
°C
65
65
价值
250
500
500
625
833
500
500
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管
特点
功耗媲美
SOT23
内置的偏置电阻R1和R2
（每个典型值的10kΩ ）
电路设计的简化
减少了部件的数量
和电路板空间。
应用
特别适用于空间
减少接口和驱动程序
电路
逆变器电路配置
无需使用外部电阻。
描述
NPN电阻配备晶体管
封装在一个超小型塑料
贴片的SC- 89 （ SOT490 ）封装。
PNP补充： PDTA114EEF 。
钉扎
针
1
2
3
描述
底座/输入
发射器/接地
集电极/输出
1
2
MGA893 - 1
PDTC114EEF
手册， halfpage
3
R1
1
R2
3
1
顶视图
2
MAM412
2
Fig.1简化外形（ SC- 89 ; SOT490 ）和符号。
记号
TYPE
数
PDTC114EEF
记号
CODE
09
3
Fig.2
相当于逆变器
符号。
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
O
I
CM
P
合计
h
FE
R1
R2
------
-
R1
参数
集电极 - 发射极电压
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
直流电流增益
输入电阻
电阻率
T
AMB
≤
25
°C
I
C
= 5毫安; V
CE
= 5 V
条件
开基
30
7
0.8
分钟。
10
1
典型值。
马克斯。
50
100
100
250
13
1.2
k
单位
V
mA
mA
mW
1999年5月31日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.参考SC- 89 （ SOT490 ）标准安装条件。
热特性
符号
R
日J-一
记
1.参考SC- 89 （ SOT490 ）标准安装条件。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2
------
-
R1
C
c
参数
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
输入截止电压
输入导通电压
输入电阻
电阻率
集电极电容
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
条件
I
E
= 0; V
CB
= 50 V
I
B
= 0; V
CE
= 30 V
I
B
= 0; V
CE
= 30 V ;牛逼
j
= 150
°C
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
I
C
= 5毫安; V
CE
= 5 V
I
C
= 10毫安;我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100
A;
V
CE
= 5 V
I
C
= 10毫安; V
CE
= 0.3 V
分钟。
30
2.5
7
0.8
参数
条件
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
65
65
条件
发射极开路
开基
集电极开路
分钟。
PDTC114EEF
马克斯。
50
50
10
+40
10
100
100
250
+150
250
+150
V
V
V
V
V
单位
mA
mA
mW
°C
°C
°C
马克斯。
500
单位
K / W
从结点到环境的热阻在自由空气中;注1
典型值。
1.1
1.8
10
1
马克斯。
100
1
50
400
150
0.8
13
1.2
2.5
单位
nA
A
A
A
mV
V
V
k
pF
1999年5月31日
3
恩智浦半导体
产品数据表
NPN电阻配备晶体管;
R 1 = 10 k ，R 2 = 10 k
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT416
SOT490
SOT883
T
英镑
T
j
T
AMB
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
μm
铜带线。
热特性
符号
R
日J-一
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT416
SOT490
SOT883
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
μm
铜带线。
2004年8月05
4
参数
从结点到环境的热阻
条件
在自由空气
注1
注1
注1
注1
注1
注1和2
注意到图2和3
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C
注1
注1
注1
注1
注1
注1和2
注意到图2和3
条件
发射极开路
开基
集电极开路
PDTC114E系列
分钟。
马克斯。
50
50
10
+40
10
100
100
500
250
250
200
150
250
250
+150
150
+150
V
V
V
V
V
单位
mA
mA
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
°C
°C
°C
65
65
价值
250
500
500
625
833
500
500
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
QQ：2880707522 复制
