PDTB113E系列
PNP 500毫安， 50 V电阻配备晶体管;
R 1 = 1千欧，R2 = 1kΩ的
牧师02 - 2009年11月16日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
500毫安PNP电阻配备齐全的晶体管（ RET ）的家庭。
表1中。
产品概述
包
恩智浦
PDTB113EK
PDTB113ES
[1]
PDTB113ET
[1]
类型编号
NPN补
JEITA
SC-59A
SC-43A
-
JEDEC
TO-236
TO-92
TO-236AB
PDTD113EK
PDTD113ES
PDTD113ET
SOT346
SOT54
SOT23
此外，在SOT54A和SOT54变种封装（见
第2节） 。
1.2产品特点
内置偏置电阻
简化网络连接的ES电路设计
500毫安输出电流能力
减少了元件数量
减少取放成本
±10
％电阻容差的比例
1.3应用
在汽车电子化的应用和
工业领域
控制IC的输入
节约成本的替代BC807系列
在数字应用
负荷开关
1.4快速参考数据
表2中。
符号
V
首席执行官
I
O
R1
R2/R1
快速参考数据
参数
集电极 - 发射极电压
输出直流（DC）
偏置电阻器1 （输入）
偏置电阻率
条件
开基
民
-
-
0.7
0.9
典型值
-
-
1.0
1.0
最大
50
500
1.3
1.1
单位
V
mA
kΩ
恩智浦半导体
PDTB113E系列
PNP 500毫安电阻配备晶体管; R 1 = 1千欧，R2 = 1kΩ的
2.管脚信息
表3中。
针
SOT54
1
2
3
输入端（基极）
输出（集电极）
GND （发射器）
1
2
3
001aab347
006aaa148
钉扎
描述
简化的轮廓
符号
2
R1
1
R2
3
SOT54A
1
2
3
输入端（基极）
输出（集电极）
GND （发射器）
1
2
3
001aab348
006aaa148
2
R1
1
R2
3
SOT54变种
1
2
3
输入端（基极）
输出（集电极）
GND （发射器）
1
2
3
001aab447
006aaa148
2
R1
1
R2
3
SOT23 ， SOT346
1
2
3
输入端（基极）
GND （发射器）
输出（集电极）
1
2
006aaa144
sym003
3
R1
3
1
R2
2
PDTB113E_SER_2
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
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恩智浦半导体
PDTB113E系列
PNP 500毫安电阻配备晶体管; R 1 = 1千欧，R2 = 1kΩ的
3.订购信息
表4 。
订购信息
包
名字
PDTB113EK
PDTB113ES
[1]
PDTB113ET
[1]
类型编号
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料单端含铅（通孔）包;
3 LEADS
塑料表面贴装封装; 3引线
VERSION
SOT346
SOT54
SOT23
SC-59A
SC-43A
-
此外，在SOT54A和SOT54变种封装（见
第2节
和
第9节） 。
4.标记
表5 。
标记代码
标识代码
[1]
E4
B113ES
*7U
类型编号
PDTB113EK
PDTB113ES
PDTB113ET
[1]
* = - ：香港制造
* = P ：香港制造
* = T：在马来西亚
* = W ：中国制造
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
负
I
O
P
合计
输出直流（DC）
总功耗
SOT346
SOT54
SOT23
T
英镑
T
j
T
AMB
[1]
条件
发射极开路
开基
集电极开路
民
-
-
-
-
-
-
最大
50
50
10
+10
10
500
250
500
250
+150
150
+150
单位
V
V
V
V
V
mA
mW
mW
mW
°C
°C
°C
T
AMB
≤
25
°C
[1]
[1]
[1]
-
-
-
65
-
65
储存温度
结温
环境温度
设备安装在一FR4印刷电路板（PCB） ，单面铜，镀锡和标准
足迹。
NXP B.V. 2009保留所有权利。
PDTB113E_SER_2
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恩智浦半导体
PDTB113E系列
PNP 500毫安电阻配备晶体管; R 1 = 1千欧，R2 = 1kΩ的
6.热特性
表7中。
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
热阻
从结点到
环境
SOT346
SOT54
SOT23
[1]
条件
在自由空气
[1]
民
典型值
最大
单位
-
-
-
-
-
-
500
250
500
K / W
K / W
K / W
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
7.特点
表8 。
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号参数
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2/R1
C
c
条件
民
-
-
-
-
33
-
0.6
1.0
0.7
0.9
-
典型值
-
-
-
-
-
-
1.1
1.4
1.0
1.0
11
最大
100
100
0.5
4.0
-
0.3
1.5
1.8
1.3
1.1
-
pF
mV
V
V
kΩ
单位
nA
nA
μA
mA
集电极 - 基极截止V
CB
=
40
V ;我
E
= 0 A
当前
V
CB
=
50
V ;我
E
= 0 A
集电极 - 发射极
截止电流
发射极 - 基极截止
当前
直流电流增益
集电极 - 发射极
饱和电压
断态输入
电压
通态输入
电压
偏置电阻器1 （输入）
偏置电阻率
集电极电容V
CB
=
10
V ;我
E
= i
e
= 0 A;
F = 100 MHz的
V
CE
=
50
V ;我
B
= 0 A
V
EB
=
5
V ;我
C
= 0 A
V
CE
=
5
V ;我
C
=
50
mA
I
C
=
50
毫安;我
B
=
2.5
mA
V
CE
=
5
V ;我
C
=
100 μA
V
CE
=
0.3
V;
I
C
=
20
mA
PDTB113E_SER_2
NXP B.V. 2009保留所有权利。
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4 10
恩智浦半导体
PDTB113E系列
PNP 500毫安电阻配备晶体管; R 1 = 1千欧，R2 = 1kΩ的
10
3
h
FE
10
2
(1)
(2)
(3)
006aaa345
10
1
(1)
(2)
006aaa346
V
CESAT
(V)
(3)
10
1
10
1
10
1
1
10
10
2
I
C
（MA ）
10
3
10
2
10
10
2
I
C
（MA ）
10
3
V
CE
=
5
V
(1) T
AMB
= 100
°C
(2) T
AMB
= 25
°C
(3) T
AMB
=
40 °C
I
C
/I
B
= 20
(1) T
AMB
= 100
°C
(2) T
AMB
= 25
°C
(3) T
AMB
=
40 °C
图1 。
直流电流增益作为集电体的功能
电流;典型值
006aaa347
图2 。
集电极 - 发射极饱和电压为
集电极电流的函数;典型值
006aaa348
10
10
V
我（上）
(V)
(1)
(2)
(3)
V
我（关闭）
(V)
(1)
(2)
(3)
1
1
10
1
10
1
1
10
10
2
I
C
（MA ）
10
3
10
1
10
1
1
I
C
（MA ）
10
V
CE
=
0.3
V
(1) T
AMB
=
40 °C
(2) T
AMB
= 25
°C
(3) T
AMB
= 100
°C
V
CE
=
5
V
(1) T
AMB
=
40 °C
(2) T
AMB
= 25
°C
(3) T
AMB
= 100
°C
图3 。
导通状态的输入电压的一个函数
集电极电流;典型值
图4 。
断态输入电压的函数
集电极电流;典型值
PDTB113E_SER_2
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
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QQ：2881677436 复制
