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分立半导体
数据表
书， halfpage
M3D186
PDTA144ES
PNP电阻配备晶体管
产品speci fi cation
取代1997年的数据7月1日
在分离式半导体文件， SC04
1998年5月19日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP电阻配备晶体管
特点
内置的偏置电阻R1和R2
（每个典型值47千欧）
电路设计的简化
减少了部件的数量
和电路板空间。
应用
特别适用于空间
减少接口和驱动程序
电路
逆变器电路配置
无需使用外部电阻。
描述
在PNP电阻配备晶体管
TO-92 ; SOT54塑料包装。
NPN补充： PDTC144ES 。
1
2
3
MGL136
MAM338
PDTA144ES
手册， halfpage
2
R1
1
R2
3
1
2
3
Fig.1简化外形（ TO- 92 ; SOT54 ）和符号。
钉扎
针
1
2
3
描述
底座/输入
集电极/输出
发射器/地面（+）
Fig.2
相当于逆变器
符号。
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
O
I
CM
P
合计
h
FE
R1
R2
------
-
R1
参数
集电极 - 发射极电压
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
直流电流增益
输入电阻
电阻率
T
AMB
≤
25
°C
I
C
=
5
毫安; V
CE
=
5
V
条件
开基
80
33
0.8
分钟。
47
1
典型值。
马克斯。
50
100
100
500
61
1.2
k
单位
V
mA
mA
mW
1998年5月19日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP电阻配备晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
热特性
符号
R
日J-一
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2
------
-
R1
C
c
参数
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
输入截止电压
输入导通电压
输入电阻
电阻率
集电极电容
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
10
V ; F = 1 MHz的
条件
I
E
= 0; V
CB
=
50
V
I
B
= 0; V
CE
=
30
V
I
B
= 0; V
CE
=
30
V ;牛逼
j
= 150
°C
I
C
= 0; V
EB
=
5
V
I
C
=
5
毫安; V
CE
=
5
V
I
C
=
100 A;
V
CE
=
5
V
I
C
=
2
毫安; V
CE
=
0.3
V
分钟。
80
3
33
0.8
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1
价值
250
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
65
65
条件
发射极开路
开基
集电极开路
分钟。
PDTA144ES
马克斯。
50
50
10
+10
40
100
100
500
+150
150
+150
V
V
V
V
V
单位
mA
mA
mW
°C
°C
°C
单位
K / W
典型值。
1.2
1.6
47
1
马克斯。
100
1
50
90
150
0.8
61
1.2
3
单位
nA
A
A
A
mV
V
V
k
集电极 - 发射极饱和电压I
C
=
10
毫安;我
B
=
0.5
mA
pF
1998年5月19日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP电阻配备晶体管
PDTA144ES
手册， halfpage
10
3
MBK802
手册， halfpage
(1)
(1)
(2)
(3)
10
1
MBK801
的hFE
VCEsat晶体管
(V)
(2)
(3)
10
2
10
1
10
1
1
10
IC （MA ）
10
2
10
2
10
1
1
10
IC （MA ）
10
2
V
CE
=
5
V.
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
40 °C.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
AMB
= 100
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
40 °C.
Fig.3
直流电流增益作为集电体的功能
电流;典型值。
Fig.4
集电极 - 发射极饱和电压为
集电极电流的函数;典型值。
手册， halfpage
10
MBK804
10
2
手册， halfpage
第六章（上）
MBK803
六（关闭）
(V)
(V)
10
(1)
(1)
(2)
(3)
1
(2)
(3)
1
10
1
10
2
10
1
1
IC （MA ）
10
10
1
10
1
1
10
IC （MA ）
10
2
V
CE
=
5
V.
(1) T
AMB
=
40 °C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
= 100
°C.
V
CE
=
0.3
V.
(1) T
AMB
=
40 °C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
= 100
°C.
Fig.5
输入截止电压作为集电体的功能
电流;典型值。
Fig.6
输入导通电压作为集电体的功能
电流;典型值。
1998年5月19日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP电阻配备晶体管
包装外形
塑料单端含铅（通孔）包; 3引线
PDTA144ES
SOT54
c
E
d
A
L
b
1
D
2
e1
e
3
b
1
L1
0
2.5
规模
5 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
5.2
5.0
b
0.48
0.40
b1
0.66
0.56
c
0.45
0.40
D
4.8
4.4
d
1.7
1.4
E
4.2
3.6
e
2.54
e1
1.27
L
14.5
12.7
L1
(1)
2.5
记
这个区域内的终端1.尺寸不受控制允许流胶和终端违规行为。
概要
VERSION
SOT54
参考文献：
IEC
JEDEC
TO-92
EIAJ
SC-43
欧洲
投影
发行日期
97-02-28
1998年5月19日
5
分立半导体
数据表
PDTA144E系列
PNP电阻配备晶体管;
R 1 = 47千欧，R2 = 47千欧
产品speci fi cation
取代2003年的数据04月10日
2004年8月05
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP电阻配备晶体管;
R 1 = 47千欧，R2 = 47千欧
特点
内置偏置电阻
简化的电路设计
减少元件数量
减少取放成本。
应用
通用开关和放大
逆变器和接口电路
电路的驱动程序。
描述
PDTA144E系列
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
O
R1
R2
参数
集电极 - 发射极
电压
输出直流（DC）
偏置电阻
偏置电阻
典型值。
47
47
马克斯。
50
100
单位
V
mA
k
k
PNP电阻配备晶体管（参见“简体外形，
符号和牵制“的包的详细信息） 。
产品概述
包
类型编号
飞利浦
PDTA144EE
PDTA144EEF
PDTA144EK
PDTA144EM
PDTA144ES
PDTA144ET
PDTA144EU
记
1. * = P ：香港制造。
* = T：在马来西亚进行。
* = W ：中国制造。
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54 （ TO-92 ）
SOT23
SOT323
EIAJ
SC-75
SC-89
SC-59
SC-101
SC-43
SC-70
07
07
07
DR
TA144E
*07
(1)
*07
(1)
PDTC144EE
PDTC144EEF
PDTC144EK
PDTC144EM
PDTC144ES
PDTC144ET
PDTC144EU
标识代码
NPN补
2004年8月05
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP电阻配备晶体管;
R 1 = 47千欧，R2 = 47千欧
简化外形，象征与钉扎
PDTA144E系列
钉扎
类型编号
PDTA144ES
手册， halfpage
简化的外形和符号
针
1
2
2
R1
1
R2
3
MAM338
描述
BASE
集热器
辐射源
1
2
3
3
PDTA144EE
PDTA144EEF
PDTA144EK
PDTA144ET
PDTA144EU
1
顶视图
2
MDB271
1
2
手册， halfpage
BASE
辐射源
集热器
3
R1
1
R2
3
3
2
PDTA144EM
手册， halfpage
1
2
3
R1
3
1
底部视图
MDB267
BASE
辐射源
集热器
3
2
1
R2
2
2004年8月05
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP电阻配备晶体管;
R 1 = 47千欧，R2 = 47千欧
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT416
SOT490
SOT883
T
英镑
T
j
T
AMB
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
m
铜带线。
热特性
符号
R
日J-一
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT416
SOT490
SOT883
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
m
铜带线。
2004年8月05
4
参数
从结点到环境的热阻
条件
在自由空气
注1
注1
注1
注1
注1
注1和2
注意到图2和3
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C
注1
注1
注1
注1
注1
注1和2
注意到图2和3
65
65
条件
发射极开路
开基
集电极开路
PDTA144E系列
分钟。
马克斯。
50
50
10
+10
40
100
100
500
250
250
200
150
250
250
+150
150
+150
V
V
V
V
V
单位
mA
mA
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
°C
°C
°C
价值
250
500
500
625
833
500
500
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP电阻配备晶体管;
R 1 = 47千欧，R2 = 47千欧
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2
-------
-
R1
C
c
参数
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
输入截止电压
输入导通电压
输入电阻
电阻率
集电极电容
条件
V
CB
=
50
V ;我
E
= 0
V
CE
=
30
V ;我
B
= 0
V
CE
=
30
V ;我
B
= 0; T
j
= 150
°C
V
EB
=
5
V ;我
C
= 0
V
CE
=
5
V ;我
C
=
5
mA
I
C
=
10
毫安;我
B
=
0.5
mA
I
C
=
100 A;
V
CE
=
5
V
I
C
=
2
毫安; V
CE
=
0.3
V
PDTA144E系列
分钟。
80
3
33
0.8
典型值。
1.2
1.6
47
1
马克斯。
100
1
50
90
150
0.8
61
1.2
3
单位
nA
A
A
A
mV
V
V
k
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
10
V ; F = 1 MHz的
pF
2004年8月05
5
分立半导体
数据表
PDTA144E系列
PNP电阻配备晶体管;
R 1 = 47千欧，R2 = 47千欧
产品数据表
取代2003年的数据04月10日
2004年8月05
恩智浦半导体
产品数据表
PNP电阻配备晶体管;
R 1 = 47千欧，R2 = 47千欧
特点
内置偏置电阻
简化的电路设计
减少元件数量
减少取放成本。
应用
通用开关和放大
逆变器和接口电路
电路的驱动程序。
描述
PDTA144E系列
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
O
R1
R2
参数
集电极 - 发射极
电压
输出直流（DC）
偏置电阻
偏置电阻
典型值。
47
47
马克斯。
50
100
单位
V
mA
kΩ
kΩ
PNP电阻配备晶体管（参见“简体外形，
符号和牵制“的包的详细信息） 。
产品概述
包
类型编号
飞利浦
PDTA144EE
PDTA144EEF
PDTA144EK
PDTA144EM
PDTA144ES
PDTA144ET
PDTA144EU
记
1. * = P ：香港制造。
* = T：在马来西亚进行。
* = W ：中国制造。
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54 （ TO-92 ）
SOT23
SOT323
EIAJ
SC-75
SC-89
SC-59
SC-101
SC-43
SC-70
07
07
07
DR
TA144E
*07
(1)
*07
(1)
PDTC144EE
PDTC144EEF
PDTC144EK
PDTC144EM
PDTC144ES
PDTC144ET
PDTC144EU
标识代码
NPN补
2004年8月05
2
恩智浦半导体
产品数据表
PNP电阻配备晶体管;
R 1 = 47千欧，R2 = 47千欧
简化外形，象征与钉扎
PDTA144E系列
钉扎
类型编号
PDTA144ES
手册， halfpage
简化的外形和符号
针
1
2
2
R1
1
R2
3
MAM338
描述
BASE
集热器
辐射源
1
2
3
3
PDTA144EE
PDTA144EEF
PDTA144EK
PDTA144ET
PDTA144EU
1
顶视图
2
MDB271
1
2
手册， halfpage
BASE
辐射源
集热器
3
R1
1
R2
3
3
2
PDTA144EM
手册， halfpage
1
2
3
R1
3
1
底部视图
MDB267
BASE
辐射源
集热器
3
2
1
R2
2
2004年8月05
3
恩智浦半导体
产品数据表
PNP电阻配备晶体管;
R 1 = 47千欧，R2 = 47千欧
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT416
SOT490
SOT883
T
英镑
T
j
T
AMB
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
μm
铜带线。
热特性
符号
R
日J-一
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT416
SOT490
SOT883
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
μm
铜带线。
2004年8月05
4
参数
从结点到环境的热阻
条件
在自由空气
注1
注1
注1
注1
注1
注1和2
注意到图2和3
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C
注1
注1
注1
注1
注1
注1和2
注意到图2和3
65
65
条件
发射极开路
开基
集电极开路
PDTA144E系列
分钟。
马克斯。
50
50
10
+10
40
100
100
500
250
250
200
150
250
250
+150
150
+150
V
V
V
V
V
单位
mA
mA
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
°C
°C
°C
价值
250
500
500
625
833
500
500
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
恩智浦半导体
产品数据表
PNP电阻配备晶体管;
R 1 = 47千欧，R2 = 47千欧
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2
-------
-
R1
C
c
参数
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
输入截止电压
输入导通电压
输入电阻
电阻率
集电极电容
条件
V
CB
=
50
V ;我
E
= 0
V
CE
=
30
V ;我
B
= 0
V
CE
=
30
V ;我
B
= 0; T
j
= 150
°C
V
EB
=
5
V ;我
C
= 0
V
CE
=
5
V ;我
C
=
5
mA
I
C
=
100 μA;
V
CE
=
5
V
I
C
=
2
毫安; V
CE
=
0.3
V
PDTA144E系列
分钟。
80
3
33
0.8
典型值。
1.2
1.6
47
1
马克斯。
100
1
50
90
150
0.8
61
1.2
3
单位
nA
μA
μA
μA
mV
V
V
kΩ
集电极 - 发射极饱和电压I
C
=
10
毫安;我
B
=
0.5
mA
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
10
V ; F = 1 MHz的
pF
2004年8月05
5
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