PDTA143X系列
PNP电阻配备晶体管; R1 = 4.7千欧， R2 = 10 kΩ的
牧师04 - 2007年4月16日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
PNP电阻配备齐全的晶体管（ RET ）系列小型塑料封装。
表1中。
产品概述
包
恩智浦
PDTA143XE
PDTA143XK
PDTA143XM
PDTA143XS
[1]
PDTA143XT
PDTA143XU
[1]
类型编号
NPN补
JEITA
SC-75
SC-59A
SC-101
SC-43A
-
SC-70
JEDEC
-
TO-236
-
TO-92
TO-236AB
-
PDTC143XE
PDTC143XK
PDTC143XM
PDTC143XS
PDTC143XT
PDTC143XU
SOT416
SOT346
SOT883
SOT54
SOT23
SOT323
此外，在SOT54A和SOT54变种封装（见
第2节） 。
1.2产品特点
I
百毫安输出电流能力
I
内置偏置电阻
I
简化网络连接的ES电路设计
I
减少了元件数量
I
减少取放成本
1.3应用
I
数字应用
I
IC的输入控制
I
节约成本的替代BC857系列
在数字应用
I
低电流外设驱动器
1.4快速参考数据
表2中。
符号
V
首席执行官
I
O
R1
R2/R1
快速参考数据
参数
集电极 - 发射极电压
输出电流
偏置电阻器1 （输入）
偏置电阻率
条件
开基
民
-
-
3.3
1.7
典型值
-
-
4.7
2.1
最大
50
100
6.1
2.6
单位
V
mA
k
恩智浦半导体
PDTA143X系列
PNP电阻配备晶体管; R1 = 4.7千欧， R2 = 10 kΩ的
2.管脚信息
表3中。
针
SOT54
1
2
3
输入端（基极）
输出（集电极）
GND （发射器）
1
2
3
001aab347
006aaa148
钉扎
描述
简化的轮廓
符号
2
R1
1
R2
3
SOT54A
1
2
3
输入端（基极）
输出（集电极）
GND （发射器）
1
2
3
001aab348
006aaa148
2
R1
1
R2
3
SOT54变种
1
2
3
输入端（基极）
输出（集电极）
GND （发射器）
1
2
3
001aab447
006aaa148
2
R1
1
R2
3
SOT23封装; SOT323 ; SOT346 ; SOT416
1
2
3
输入端（基极）
GND （发射器）
输出（集电极）
1
2
006aaa144
sym003
3
R1
3
1
R2
2
SOT883
1
2
3
输入端（基极）
GND （发射器）
输出（集电极）
1
3
2
透明
顶视图
1
R2
R1
3
2
sym003
PDTA143X_SER_4
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
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PNP电阻配备晶体管; R1 = 4.7千欧， R2 = 10 kΩ的
3.订购信息
表4 。
订购信息
包
名字
PDTA143XE
PDTA143XK
PDTA143XM
PDTA143XS
[1]
PDTA143XT
PDTA143XU
[1]
类型编号
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
VERSION
SOT416
SOT346
SC-75
SC-59A
SC-101
SC-43A
-
SC-70
无铅超小型塑料封装; 3焊区; SOT883
机身1.0
×
0.6
×
0.5 mm
塑料单端含铅（通孔）包; SOT54
3 LEADS
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
SOT23
SOT323
此外，在SOT54A和SOT54变种封装（见
第2节
和
第9节） 。
4.标记
表5 。
标记代码
标识代码
[1]
35
25
DN
TA143X
*31
*46
类型编号
PDTA143XE
PDTA143XK
PDTA143XM
PDTA143XS
PDTA143XT
PDTA143XU
[1]
* = - ：香港制造
* = P ：香港制造
* = T：在马来西亚
* = W ：中国制造
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
负
I
O
I
CM
输出电流
峰值集电极电流
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
-
-
-
-
+7
20
100
100
V
V
mA
mA
条件
发射极开路
开基
集电极开路
民
-
-
-
最大
50
50
7
单位
V
V
V
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PNP电阻配备晶体管; R1 = 4.7千欧， R2 = 10 kΩ的
表6 。
极限值
- 续
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
P
合计
参数
总功耗
PDTA143XE
PDTA143XK
PDTA143XM
PDTA143XS
PDTA143XT
PDTA143XU
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
[3]
条件
T
AMB
≤
25
°C
[1]
[1]
[2][3]
[1]
[1]
[1]
民
-
-
-
-
-
-
-
65
65
最大
150
250
250
500
250
200
150
+150
+150
单位
mW
mW
mW
mW
mW
mW
°C
°C
°C
结温
环境温度
储存温度
设备安装在一FR4印刷电路板（PCB） ，单面铜，镀锡和标准
足迹。
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
设备安装在一FR4印刷电路板60
m
铜扁线，标准的足迹。
6.热特性
表7中。
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
从热阻
结到环境
PDTA143XE
PDTA143XK
PDTA143XM
PDTA143XS
PDTA143XT
PDTA143XU
[1]
[2]
[3]
条件
在自由空气
[1]
[1]
[2][3]
[1]
[1]
[1]
民
典型值
最大
单位
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
833
500
500
250
500
625
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
设备安装在一FR4印刷电路板60
m
铜扁线，标准的足迹。
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PNP电阻配备晶体管; R1 = 4.7千欧， R2 = 10 kΩ的
7.特点
表8 。
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号参数
I
CBO
I
首席执行官
集电极 - 基极截止
当前
集电极 - 发射极
截止电流
发射极 - 基极截止
当前
直流电流增益
集电极 - 发射极
饱和电压
断态电压输入
通态输入电压
偏置电阻器1 （输入）
偏置电阻率
集电极电容
V
CB
=
10
V ;我
E
= i
e
= 0 A;
F = 1 MHz的
条件
V
CB
=
50
V ;我
E
= 0 A
V
CE
=
30
V ;我
B
= 0 A
V
CE
=
30
V ;我
B
= 0 A;
T
j
= 150
°C
V
EB
=
5
V ;我
C
= 0 A
V
CE
=
5
V ;我
C
=
10
mA
I
C
=
10
毫安;
I
B
=
0.5
mA
V
CE
=
5
V ;我
C
=
100 A
V
CE
=
0.3
V;
I
C
=
20
mA
民
-
-
-
-
50
-
-
2.5
3.3
1.7
-
典型值
-
-
-
-
-
-
0.9
1.5
4.7
2.1
-
最大
100
1
50
600
-
150
0.3
-
6.1
2.6
3
pF
mV
V
V
k
单位
nA
A
A
A
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2/R1
C
c
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