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分立半导体
数据表
PDTA143T系列
PNP电阻配备晶体管;
R1 = 4.7千欧, R2 =开放
产品speci fi cation
取代2003年的数据9月8日
2004年8月04
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP电阻配备晶体管;
R1 = 4.7千欧, R2 =开放
特点
内置偏置电阻
简化的电路设计
减少元件数量
减少取放成本。
应用
通用开关和放大
逆变器和接口电路
电路的驱动程序。
描述
PDTA143T系列
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
O
R1
R2
参数
集电极 - 发射极
电压
输出直流(DC)
偏置电阻
开放
典型值。
4.7
马克斯。
50
100
单位
V
mA
k
PNP电阻配备晶体管(参见“简体外形,
符号和牵制“的包的详细信息) 。
产品概述
类型编号
飞利浦
PDTA143TE
PDTA143TEF
PDTA143TK
PDTA143TM
PDTA143TS
PDTA143TT
PDTA143TU
1. * = P :香港制造。
* = T:在马来西亚进行。
* = W :中国制造。
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54 ( TO-92 )
SOT23
SOT323
EIAJ
SC-75
SC-89
SC-59
SC-101
SC-43
SC-70
39
10
45
E6
TA143T
*42
(1)
*45
(1)
PDTC143TE
PDTC143TEF
PDTC143TK
PDTC143TM
PDTC143TS
PDTC143TT
PDTC143TU
标识代码
NPN补
2004年8月04
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP电阻配备晶体管;
R1 = 4.7千欧, R2 =开放
简化外形,象征与钉扎
PDTA143T系列
钉扎
类型编号
PDTA143TS
简化的外形和符号
1
2
手册, halfpage
描述
BASE
集热器
辐射源
3
2
R1
1
3
MAM352
1
2
3
PDTA143TE
PDTA143TEF
PDTA143TK
PDTA143TT
PDTA143TU
1
顶视图
2
MDB272
1
2
手册, halfpage
BASE
辐射源
集热器
3
R1
1
3
3
2
PDTA143TM
手册, halfpage
1
2
3
R1
3
1
2
底部视图
MDB268
BASE
辐射源
集热器
3
2
1
2004年8月04
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP电阻配备晶体管;
R1 = 4.7千欧, R2 =开放
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
O
I
CM
P
合计
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输出直流(DC)
峰值集电极电流
总功耗
SOT23
SOT54
SOT323
SOT346
SOT416
SOT490
SOT883
T
英镑
T
j
T
AMB
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
m
铜带线。
热特性
符号
R
日J-一
SOT23
SOT54
SOT323
SOT346
SOT416
SOT490
SOT883
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
m
铜带线。
参数
从结点到环境的热阻
条件
在自由空气
注1
注1
注1
注1
注1
注1
注意到图2和3
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
25
°C
注1
注1
注1
注1
注1
注1和2
注意到图2和3
65
65
条件
发射极开路
开基
集电极开路
PDTA143T系列
分钟。
马克斯。
50
50
5
100
100
250
500
200
250
150
250
250
+150
150
+150
V
V
V
单位
mA
mA
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
°C
°C
°C
价值
500
250
625
500
833
500
500
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
2004年8月04
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP电阻配备晶体管;
R1 = 4.7千欧, R2 =开放
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
R1
C
c
参数
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
输入电阻
集电极电容
条件
V
CB
=
50
V ;我
E
= 0
V
CE
=
30
V ;我
B
= 0
V
CE
=
30
V ;我
B
= 0; T
j
= 150
°C
V
EB
=
5
V ;我
C
= 0
V
CE
=
5
V ;我
C
=
1
mA
I
C
=
5
毫安;我
B
=
0.25
mA
PDTA143T系列
分钟。
200
3.3
典型值。
4.7
马克斯。
100
1
50
100
150
6.1
3
单位
nA
A
A
nA
mV
k
pF
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
10
V ; F = 1 MHz的
2004年8月04
5
分立半导体
数据表
PDTA143T系列
PNP电阻配备晶体管;
R1 = 4.7千欧, R2 =开放
产品数据表
取代2003年的数据9月8日
2004年8月04
恩智浦半导体
产品数据表
PNP电阻配备晶体管;
R1 = 4.7千欧, R2 =开放
特点
内置偏置电阻
简化的电路设计
减少元件数量
减少取放成本。
应用
通用开关和放大
逆变器和接口电路
电路的驱动程序。
描述
PDTA143T系列
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
O
R1
R2
参数
集电极 - 发射极
电压
输出直流(DC)
偏置电阻
开放
典型值。
4.7
马克斯。
50
100
单位
V
mA
PNP电阻配备晶体管(参见“简体外形,
符号和牵制“的包的详细信息) 。
产品概述
类型编号
飞利浦
PDTA143TE
PDTA143TEF
PDTA143TK
PDTA143TM
PDTA143TS
PDTA143TT
PDTA143TU
1. * = P :香港制造。
* = T:在马来西亚进行。
* = W :中国制造。
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54 ( TO-92 )
SOT23
SOT323
EIAJ
SC-75
SC-89
SC-59
SC-101
SC-43
SC-70
39
10
45
E6
TA143T
*42
(1)
*45
(1)
PDTC143TE
PDTC143TEF
PDTC143TK
PDTC143TM
PDTC143TS
PDTC143TT
PDTC143TU
标识代码
NPN补
2004年8月04
2
恩智浦半导体
产品数据表
PNP电阻配备晶体管;
R1 = 4.7千欧, R2 =开放
简化外形,象征与钉扎
PDTA143T系列
钉扎
类型编号
PDTA143TS
简化的外形和符号
1
2
手册, halfpage
描述
BASE
集热器
辐射源
3
2
R1
1
3
MAM352
1
2
3
PDTA143TE
PDTA143TEF
PDTA143TK
PDTA143TT
PDTA143TU
1
顶视图
2
MDB272
1
2
手册, halfpage
BASE
辐射源
集热器
3
R1
1
3
3
2
PDTA143TM
手册, halfpage
1
2
3
R1
3
1
2
底部视图
MDB268
BASE
辐射源
集热器
3
2
1
2004年8月04
3
恩智浦半导体
产品数据表
PNP电阻配备晶体管;
R1 = 4.7千欧, R2 =开放
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
O
I
CM
P
合计
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输出直流(DC)
峰值集电极电流
总功耗
SOT23
SOT54
SOT323
SOT346
SOT416
SOT490
SOT883
T
英镑
T
j
T
AMB
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
μm
铜带线。
热特性
符号
R
日J-一
SOT23
SOT54
SOT323
SOT346
SOT416
SOT490
SOT883
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
μm
铜带线。
参数
从结点到环境的热阻
条件
在自由空气
注1
注1
注1
注1
注1
注1
注意到图2和3
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
25
°C
注1
注1
注1
注1
注1
注1和2
注意到图2和3
65
65
条件
发射极开路
开基
集电极开路
PDTA143T系列
分钟。
马克斯。
50
50
5
100
100
250
500
200
250
150
250
250
+150
150
+150
V
V
V
单位
mA
mA
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
°C
°C
°C
价值
500
250
625
500
833
500
500
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
2004年8月04
4
恩智浦半导体
产品数据表
PNP电阻配备晶体管;
R1 = 4.7千欧, R2 =开放
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
R1
C
c
参数
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
输入电阻
集电极电容
条件
V
CB
=
50
V ;我
E
= 0
V
CE
=
30
V ;我
B
= 0
V
CE
=
30
V ;我
B
= 0; T
j
= 150
°C
V
EB
=
5
V ;我
C
= 0
V
CE
=
5
V ;我
C
=
1
mA
PDTA143T系列
分钟。
200
3.3
典型值。
4.7
马克斯。
100
1
50
100
150
6.1
3
单位
nA
μA
μA
nA
mV
pF
集电极 - 发射极饱和电压I
C
=
5
毫安;我
B
=
0.25
mA
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
10
V ; F = 1 MHz的
2004年8月04
5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    PDTA143TM
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
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2443+
23000
SOT883
一级代理专营,原装现货,价格优势
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电话:0755-23914006/18318877587
联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
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24+
21000
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300000¥/片,真实库存信息/只做原装正品/支持实单
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电话:0755-83798683
联系人:许先生
地址:深圳市前海深港合作区前湾一路 1 号 A 栋 201 室
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NEXPERIA/安世
300000
SOT883
原厂代理支持订货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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21+
13000
SOT883
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
PDTA143TM
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
PDTA143TM
NEXPERIA/安世
21+
305000
SOT883
全新原装正品/质量有保证
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电话:19928739245
联系人:黄生
地址:深圳市福田区振兴路上步工业区505栋608室
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2020+
30000
SOT883
全新进口原装正品现货库存
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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电话:021-51097965
联系人:杨全兴
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电话:0755-82723916/82731800
联系人:朱小姐
地址:深圳市福田区华发北路华发大厦517A-C
PDTA143TM
NXP
24+
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