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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符P型号页 > 首字符P的型号第343页 > PDTA143EE
分立半导体
数据表
PDTA143E系列
PNP电阻配备晶体管;
R1 = 4.7千欧， R2 = 4.7 kΩ的
产品数据表
取代2003年的数据9月8日
2004年8月04
恩智浦半导体
产品数据表
PNP电阻配备晶体管;
R1 = 4.7千欧， R2 = 4.7 kΩ的
特点
内置偏置电阻
简化的电路设计
减少元件数量
减少取放成本。
应用
通用开关和放大
逆变器和接口电路
电路的驱动程序。
描述
PDTA143E系列
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
O
R1
R2
参数
集电极 - 发射极
电压
输出直流（DC）
偏置电阻
偏置电阻
典型值。
4.7
4.7
马克斯。
50
100
单位
V
mA
kΩ
kΩ
PNP电阻配备晶体管（参见“简体外形，
符号和牵制“的包的详细信息） 。
产品概述
包
类型编号
飞利浦
PDTA143EE
PDTA143EEF
PDTA143EK
PDTA143EM
PDTA143ES
PDTA143ET
PDTA143EU
记
1. * = P ：香港制造。
* = T：在马来西亚进行。
* = W ：中国制造。
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54 （ TO-92 ）
SOT23
SOT323
EIAJ
SC-75
SC-89
SC-59
SC-101
SC-43
SC-70
01
50
01
DL
TA143E
*01
(1)
*01
(1)
PDTC143EE
PDTC143EEF
PDTC143EK
PDTC143EM
PDTC143ES
PDTC143ET
PDTC143EU
标识代码
NPN补
2004年8月04
2
恩智浦半导体
产品数据表
PNP电阻配备晶体管;
R1 = 4.7千欧， R2 = 4.7 kΩ的
简化外形，象征与钉扎
PDTA143E系列
钉扎
类型编号
PDTA143ES
手册， halfpage
简化的外形和符号
针
1
2
2
R1
1
R2
3
MAM338
描述
BASE
集热器
辐射源
1
2
3
3
PDTA143EE
PDTA143EEF
PDTA143EK
PDTA143ET
PDTA143EU
1
顶视图
2
MDB271
1
2
手册， halfpage
BASE
辐射源
集热器
3
R1
1
R2
3
3
2
PDTA143EM
手册， halfpage
1
2
3
R1
3
1
底部视图
MDB267
BASE
辐射源
集热器
3
2
1
R2
2
2004年8月04
3
恩智浦半导体
产品数据表
PNP电阻配备晶体管;
R1 = 4.7千欧， R2 = 4.7 kΩ的
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
SOT23
SOT54
SOT323
SOT346
SOT416
SOT490
SOT883
T
英镑
T
j
T
AMB
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
μm
铜带线。
热特性
符号
R
日J-一
SOT23
SOT54
SOT323
SOT346
SOT416
SOT490
SOT883
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
μm
铜带线。
2004年8月04
4
参数
从结点到环境的热阻
条件
在自由空气
注1
注1
注1
注1
注1
注1和2
注意到图2和3
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C
注1
注1
注1
注1
注1
注1和2
注意到图2和3
65
65
条件
发射极开路
开基
集电极开路
PDTA143E系列
分钟。
马克斯。
50
50
10
+10
30
100
100
250
500
200
250
150
250
250
+150
150
+150
V
V
V
V
V
单位
mA
mA
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
°C
°C
°C
价值
500
250
625
500
833
500
500
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
恩智浦半导体
产品数据表
PNP电阻配备晶体管;
R1 = 4.7千欧， R2 = 4.7 kΩ的
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2
-------
-
R1
C
c
参数
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
输入截止电压
输入导通电压
输入电阻
电阻率
集电极电容
条件
V
CB
=
50
V ;我
E
= 0
V
CE
=
30
V ;我
B
= 0
V
CE
=
30
V ;我
B
= 0; T
j
= 150
°C
V
EB
=
5
V ;我
C
= 0
V
CE
=
5
V ;我
C
=
10
mA
I
C
=
100 μA;
V
CE
=
5
V
I
C
=
20
毫安; V
CE
=
0.3
V
PDTA143E系列
分钟。
30
2.5
3.3
0.8
典型值。
1.1
1.9
4.7
1
马克斯。
100
1
50
0.9
150
0.5
6.1
1.2
3
单位
nA
μA
μA
mA
mV
V
V
kΩ
集电极 - 发射极饱和电压I
C
=
10
毫安;我
B
=
0.5
mA
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
10
V ; F = 1 MHz的
pF
2004年8月04
5
分立半导体
数据表
PDTA143E系列
PNP电阻配备晶体管;
R1 = 4.7千欧， R2 = 4.7 kΩ的
产品speci fi cation
取代2003年的数据9月8日
2004年8月04
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP电阻配备晶体管;
R1 = 4.7千欧， R2 = 4.7 kΩ的
特点
内置偏置电阻
简化的电路设计
减少元件数量
减少取放成本。
应用
通用开关和放大
逆变器和接口电路
电路的驱动程序。
描述
PDTA143E系列
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
O
R1
R2
参数
集电极 - 发射极
电压
输出直流（DC）
偏置电阻
偏置电阻
典型值。
4.7
4.7
马克斯。
50
100
单位
V
mA
k
k
PNP电阻配备晶体管（参见“简体外形，
符号和牵制“的包的详细信息） 。
产品概述
包
类型编号
飞利浦
PDTA143EE
PDTA143EEF
PDTA143EK
PDTA143EM
PDTA143ES
PDTA143ET
PDTA143EU
记
1. * = P ：香港制造。
* = T：在马来西亚进行。
* = W ：中国制造。
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54 （ TO-92 ）
SOT23
SOT323
EIAJ
SC-75
SC-89
SC-59
SC-101
SC-43
SC-70
01
50
01
DL
TA143E
*01
(1)
*01
(1)
PDTC143EE
PDTC143EEF
PDTC143EK
PDTC143EM
PDTC143ES
PDTC143ET
PDTC143EU
标识代码
NPN补
2004年8月04
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP电阻配备晶体管;
R1 = 4.7千欧， R2 = 4.7 kΩ的
简化外形，象征与钉扎
PDTA143E系列
钉扎
类型编号
PDTA143ES
手册， halfpage
简化的外形和符号
针
1
2
2
R1
1
R2
3
MAM338
描述
BASE
集热器
辐射源
1
2
3
3
PDTA143EE
PDTA143EEF
PDTA143EK
PDTA143ET
PDTA143EU
1
顶视图
2
MDB271
1
2
手册， halfpage
BASE
辐射源
集热器
3
R1
1
R2
3
3
2
PDTA143EM
手册， halfpage
1
2
3
R1
3
1
底部视图
MDB267
BASE
辐射源
集热器
3
2
1
R2
2
2004年8月04
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP电阻配备晶体管;
R1 = 4.7千欧， R2 = 4.7 kΩ的
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
SOT23
SOT54
SOT323
SOT346
SOT416
SOT490
SOT883
T
英镑
T
j
T
AMB
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
m
铜带线。
热特性
符号
R
日J-一
SOT23
SOT54
SOT323
SOT346
SOT416
SOT490
SOT883
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
m
铜带线。
2004年8月04
4
参数
从结点到环境的热阻
条件
在自由空气
注1
注1
注1
注1
注1
注1和2
注意到图2和3
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C
注1
注1
注1
注1
注1
注1和2
注意到图2和3
65
65
条件
发射极开路
开基
集电极开路
PDTA143E系列
分钟。
马克斯。
50
50
10
+10
30
100
100
250
500
200
250
150
250
250
+150
150
+150
V
V
V
V
V
单位
mA
mA
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
°C
°C
°C
价值
500
250
625
500
833
500
500
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP电阻配备晶体管;
R1 = 4.7千欧， R2 = 4.7 kΩ的
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2
-------
-
R1
C
c
参数
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
输入截止电压
输入导通电压
输入电阻
电阻率
集电极电容
条件
V
CB
=
50
V ;我
E
= 0
V
CE
=
30
V ;我
B
= 0
V
CE
=
30
V ;我
B
= 0; T
j
= 150
°C
V
EB
=
5
V ;我
C
= 0
V
CE
=
5
V ;我
C
=
10
mA
I
C
=
10
毫安;我
B
=
0.5
mA
I
C
=
100 A;
V
CE
=
5
V
I
C
=
20
毫安; V
CE
=
0.3
V
PDTA143E系列
分钟。
30
2.5
3.3
0.8
典型值。
1.1
1.9
4.7
1
马克斯。
100
1
50
0.9
150
0.5
6.1
1.2
3
单位
nA
A
A
mA
mV
V
V
k
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
10
V ; F = 1 MHz的
pF
2004年8月04
5
分立半导体
数据表
M3D173
PDTA143EE
PNP电阻配备晶体管
产品speci fi cation
取代1997年的数据7月2日
在分离式半导体文件， SC04
1998年7月23日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP电阻配备晶体管
特点
内置的偏置电阻R1和R2
（典型值4.7 kΩ的每一个）
电路设计的简化
减少了部件的数量
和电路板空间。
应用
特别适用于空间
减少接口和驱动程序
电路
逆变器电路配置
无需使用外部电阻。
描述
在PNP电阻配备晶体管
一个SC- 75塑料封装。
NPN补充： PDTC143EE 。
钉扎
针
1
2
3
描述
底座/输入
发射器/地面（+）
集电极/输出
MGA893 - 1
PDTA143EE
手册， halfpage
3
R1
1
R2
3
1
顶视图
2
MAM345
2
Fig.1简化外形（ SC- 75 ）和符号。
记号
TYPE
数
PDTA143EE
2
1
3
记号
CODE
01
Fig.2
相当于逆变器
符号。
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
O
I
CM
P
合计
h
FE
R1
R2
------
-
R1
参数
集电极 - 发射极电压
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
直流电流增益
输入电阻
电阻率
T
AMB
≤
25
°C
I
C
=
10
毫安; V
CE
=
5
V
条件
开基
30
3.3
0.8
分钟。
4.7
1
典型值。
马克斯。
50
100
100
150
6.1
1.2
k
单位
V
mA
mA
mW
1998年7月23日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP电阻配备晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
热特性
符号
R
日J-一
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2
------
-
R1
C
c
参数
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
输入截止电压
输入导通电压
输入电阻
电阻率
集电极电容
条件
I
C
= 0; V
CB
=
50
V
I
B
= 0; V
CE
=
30
V
I
B
= 0; V
CE
=
30
V ;牛逼
j
= 150
°C
I
C
= 0; V
EB
=
5
V
I
C
=
10
毫安; V
CE
=
5
V
I
C
=
100 A;
V
CE
=
5
V
I
C
=
20
毫安; V
CE
=
300
mV
分钟。
30
2.5
3.3
0.8
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
10
V ; F = 1 MHz的
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1
价值
833
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
65
65
条件
发射极开路
开基
集电极开路
分钟。
PDTA143EE
马克斯。
50
50
10
+10
30
100
100
150
+150
150
+150
V
V
V
V
V
单位
mA
mA
mW
°C
°C
°C
单位
K / W
典型值。
1.9
4.7
1
马克斯。
100
1
50
0.9
150
6.1
1.2
3
单位
nA
A
A
mA
mV
mV
V
k
集电极 - 发射极饱和电压I
C
=
10
毫安;我
B
=
0.5
mA
1100 500
pF
1998年7月23日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP电阻配备晶体管
PDTA143EE
手册， halfpage
10
3
MBK794
手册， halfpage
1
MBK793
的hFE
(1)
(2)
(3)
VCEsat晶体管
(V)
10
2
10
1
(1)
(2)
(3)
10
1
10
1
1
10
IC （MA ）
10
2
10
2
1
10
IC （MA ）
10
2
V
CE
=
5
V.
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
40 °C.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
AMB
= 100
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
40 °C.
Fig.3
直流电流增益作为集电体的功能
电流;典型值。
Fig.4
集电极 - 发射极饱和电压为
集电极电流的函数;典型值。
手册， halfpage
10
MBK796
10
2
手册， halfpage
第六章（上）
MBK795
六（关闭）
(V)
(V)
10
1
(1)
(2)
(3)
(1) (2) (3)
1
10
1
10
2
10
1
1
IC （MA ）
10
10
1
10
1
1
10
IC （MA ）
10
2
V
CE
=
5
V.
(1) T
AMB
=
40 °C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
= 100
°C.
V
CE
=
0.3
V.
(1) T
AMB
=
40 °C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
= 100
°C.
Fig.5
输入截止电压作为集电体的功能
电流;典型值。
Fig.6
输入导通电压作为集电体的功能
电流;典型值。
1998年7月23日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP电阻配备晶体管
包装外形
塑料表面贴装封装; 3引线
PDTA143EE
SOT416
D
B
E
A
X
v
M
A
HE
3
Q
A
1
e1
e
bp
2
w
M
B
A1
c
Lp
细节X
0
0.5
规模
1 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
0.95
0.60
A1
最大
0.1
bp
0.30
0.15
c
0.25
0.10
D
1.8
1.4
E
0.9
0.7
e
1
e
1
0.5
H
E
1.75
1.45
L
p
0.45
0.15
Q
0.23
0.13
v
0.2
w
0.2
概要
VERSION
SOT416
参考文献：
IEC
JEDEC
EIAJ
SC-75
欧洲
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发行日期
97-02-28
1998年7月23日
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