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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符P型号页 > 首字符P的型号第295页 > PDTA124X
分立半导体
数据表
PDTA124X系列
PNP电阻配备晶体管;
R 1 = 22千欧，R2 = 47千欧
产品speci fi cation
取代2004年的数据4月7日
2004年8月04
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP电阻配备晶体管;
R 1 = 22千欧，R2 = 47千欧
特点
内置偏置电阻
简化的电路设计
减少元件数量
减少取放成本。
应用
通用开关和放大
逆变器和接口电路
电路的驱动程序。
描述
PDTA124X系列
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
O
R1
R2
参数
集电极 - 发射极
电压
输出直流（DC）
偏置电阻
偏置电阻
典型值。
22
47
马克斯。
50
100
单位
V
mA
k
k
PNP电阻配备晶体管（参见“简体外形，
符号和牵制“的包的详细信息） 。
产品概述
包
类型编号
飞利浦
PDTA124XE
PDTA124XEF
PDTA124XK
PDTA124XM
PDTA124XS
PDTA124XT
PDTA124XU
记
1. * = P ：香港制造。
* = T：在马来西亚进行。
* = W ：中国制造。
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54 （ TO-92 ）
SOT23
SOT323
EIAJ
SC-75
SC-89
SC-59
SC-101
SC-43
SC-70
31
31
44
DK
TA124X
*47
(1)
*44
(1)
PDTC124XE
PDTC124XEF
PDTC124XK
PDTC124XM
PDTC124XS
PDTC124XT
PDTC124XU
标识代码
NPN补
2004年8月04
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP电阻配备晶体管;
R 1 = 22千欧，R2 = 47千欧
简化外形，象征与钉扎
PDTA124X系列
钉扎
类型编号
PDTA124XS
手册， halfpage
简化的外形和符号
针
1
2
2
R1
1
R2
3
MAM338
描述
BASE
集热器
辐射源
1
2
3
3
PDTA124XE
PDTA124XEF
PDTA124XK
PDTA124XT
PDTA124XU
1
顶视图
2
MDB271
1
2
手册， halfpage
BASE
辐射源
集热器
3
R1
1
R2
3
3
2
PDTA124XM
手册， halfpage
1
2
3
R1
3
1
底部视图
MDB267
BASE
辐射源
集热器
3
2
1
R2
2
2004年8月04
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP电阻配备晶体管;
R 1 = 22千欧，R2 = 47千欧
订购信息
包
类型编号
名字
PDTA124XE
PDTA124XEF
PDTA124XK
PDTA124XM
PDTA124XS
PDTA124XT
PDTA124XU
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
PDTA124X系列
VERSION
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54
SOT23
SOT323
无铅超小型塑料封装; 3焊区;体
1.0
×
0.6
×
0.5 mm
塑料单端含铅（通孔）包; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT416
SOT490
SOT883
T
英镑
T
j
T
AMB
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
m
铜带线。
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C
注1
注1
注1
注1
注1
注1和2
注意到图2和3
65
65
500
250
250
200
150
250
250
+150
150
+150
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
°C
°C
°C
+10
40
100
100
V
V
mA
mA
条件
发射极开路
开基
集电极开路
分钟。
马克斯。
50
50
10
V
V
V
单位
2004年8月04
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP电阻配备晶体管;
R 1 = 22千欧，R2 = 47千欧
热特性
符号
R
号（j -a）的
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT416
SOT490
SOT883
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
m
铜带线。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2
-------
-
R1
C
c
参数
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
输入截止电压
输入导通电压
输入电阻
电阻率
集电极电容
I
E
= i
e
= 0 ; V
CB
=
10
V;
F = 1 MHz的
条件
V
CB
=
50
V ;我
E
= 0 A
V
CE
=
30
V ;我
B
= 0 A
V
CE
=
30
V ;我
B
= 0; T
j
= 150
°C
V
EB
=
5
V ;我
C
= 0 A
V
CE
=
5
V ;我
C
=
5
mA
I
C
=
10
毫安;我
B
=
0.5
mA
I
C
=
100 A;
V
CE
=
5
V
I
C
=
2
毫安; V
CE
=
0.3
V
参数
从结点到环境的热阻
条件
在自由空气
注1
注1
注1
注1
注1
注1和2
注意到图2和3
PDTA124X系列
价值
250
500
500
625
833
500
500
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
分钟。
80
2
15.4
1.7
典型值。
0.8
1.1
22
2.1
马克斯。
100
1
50
120
150
0.5
28.6
2.6
3
单位
nA
A
A
A
mV
V
V
k
pF
2004年8月04
5
PDTA124X系列
PNP电阻配备晶体管; R 1 = 22千欧，R2 = 47千欧
牧师08 - 2009年9月3日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
PNP电阻配备齐全的晶体管（ RET ）的家庭。
表1中。
产品概述
包
恩智浦
PDTA124XE
PDTA124XEF
PDTA124XK
PDTA124XM
PDTA124XS
[1]
PDTA124XT
PDTA124XU
[1]
类型编号
NPN补
JEITA
SC-75
SC-89
SC-59A
SC-101
SC-43A
-
SC-70
JEDEC
-
-
TO-236
-
TO-92
TO-236AB
-
PDTC124XE
PDTC124XEF
PDTC124XK
PDTC124XM
PDTC124XS
PDTC124XT
PDTC124XU
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54
SOT23
SOT323
此外，在SOT54A和SOT54变种封装（见
第2部分）
1.2产品特点
I
内置偏置电阻
I
简化网络连接的ES电路设计
I
百毫安输出电流能力
I
减少了元件数量
I
减少取放成本
1.3应用
I
数字应用
I
控制IC的输入
I
节约成本的替代BC857系列
在数字应用
I
负荷开关
1.4快速参考数据
表2中。
符号
V
首席执行官
I
O
R1
R2/R1
快速参考数据
参数
集电极 - 发射极电压
输出直流（DC）
偏置电阻器1 （输入）
偏置电阻率
条件
开基
民
-
-
15.4
1.7
典型值
-
-
22
2.1
最大
50
100
28.6
2.6
单位
V
mA
k
恩智浦半导体
PDTA124X系列
PNP电阻配备晶体管; R 1 = 22千欧，R2 = 47千欧
2.管脚信息
表3中。
针
SOT54
1
2
3
输入端（基极）
输出（集电极）
GND （发射器）
1
2
3
001aab347
006aaa148
钉扎
描述
简化的轮廓
符号
2
R1
1
R2
3
SOT54A
1
2
3
输入端（基极）
输出（集电极）
GND （发射器）
1
2
3
001aab348
006aaa148
2
R1
1
R2
3
SOT54变种
1
2
3
输入端（基极）
输出（集电极）
GND （发射器）
1
2
3
001aab447
006aaa148
2
R1
1
R2
3
SOT23封装; SOT323 ; SOT346 ; SOT416 ; SOT490
1
2
3
输入端（基极）
GND （发射器）
输出（集电极）
1
2
006aaa144
sym003
3
R1
3
1
R2
2
SOT883
1
2
3
输入端（基极）
GND （发射器）
输出（集电极）
1
3
2
透明
顶视图
1
R2
R1
3
2
sym003
PDTA124X_SER_8
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师08 - 2009年9月3日
2 12
恩智浦半导体
PDTA124X系列
PNP电阻配备晶体管; R 1 = 22千欧，R2 = 47千欧
3.订购信息
表4 。
订购信息
包
名字
PDTA124XE
PDTA124XEF
PDTA124XK
PDTA124XM
PDTA124XS
[1]
PDTA124XT
PDTA124XU
[1]
类型编号
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
无铅超小型塑料封装; 3焊区;
机身1.0
×
0.6
×
0.5 mm
塑料单端含铅（通孔）包;
3 LEADS
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
VERSION
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54
SOT23
SOT323
SC-75
SC-89
SC-59A
SC-101
SC-43A
-
SC-70
此外，在SOT54A和SOT54变种封装（见
第2节
和
第9节）
4.标记
表5 。
标记代码
标识代码
[1]
31
31
44
DK
TA124X
*47
*44
类型编号
PDTA124XE
PDTA124XEF
PDTA124XK
PDTA124XM
PDTA124XS
PDTA124XT
PDTA124XU
[1]
* = - ：香港制造
* = P ：香港制造
* = T：在马来西亚
* = W ：中国制造
PDTA124X_SER_8
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师08 - 2009年9月3日
3 12
恩智浦半导体
PDTA124X系列
PNP电阻配备晶体管; R 1 = 22千欧，R2 = 47千欧
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54
SOT23
SOT323
T
英镑
T
j
T
AMB
[1]
[2]
[3]
条件
发射极开路
开基
集电极开路
民
-
-
-
-
-
-
-
最大
50
50
7
+7
40
100
100
150
250
250
250
500
250
200
+150
150
+150
单位
V
V
V
V
V
mA
mA
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
°C
°C
°C
T
AMB
≤
25
°C
[1]
[1][2]
[1]
[2][3]
[1]
[1]
[1]
-
-
-
-
-
-
-
65
-
65
储存温度
结温
环境温度
设备安装在一FR4印刷电路板（PCB） ，单面铜，镀锡和标准
足迹。
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
设备安装在一FR4印刷电路板60
m
铜扁线，标准的足迹。
PDTA124X_SER_8
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师08 - 2009年9月3日
4 12
恩智浦半导体
PDTA124X系列
PNP电阻配备晶体管; R 1 = 22千欧，R2 = 47千欧
6.热特性
表7中。
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
从热阻
结到环境
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54
SOT23
SOT323
[1]
[2]
[3]
条件
在自由空气
[1]
[1][2]
[1]
[2][3]
[1]
[1]
[1]
民
典型值
最大
单位
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
833
500
500
500
250
500
625
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
设备安装在一FR4印刷电路板60
m
铜扁线，标准的足迹。
7.特点
表8 。
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定编
符号
I
CBO
I
首席执行官
参数
集电极 - 基极截止
当前
集电极 - 发射极截止
当前
发射极 - 基极截止
当前
直流电流增益
集电极 - 发射极
饱和电压
断态电压输入
通态输入电压
偏置电阻器1 （输入）
偏置电阻率
集电极电容
V
CB
=
10
V ;我
E
= i
e
= 0 A;
F = 1 MHz的
条件
V
CB
=
50
V ;我
E
= 0 A
V
CE
=
30
V ;我
B
= 0 A
V
CE
=
30
V ;我
B
= 0 A;
T
j
= 150
°C
V
EB
=
5
V ;我
C
= 0 A
V
CE
=
5
V ;我
C
=
5
mA
I
C
=
10
毫安;
I
B
=
0.5
mA
V
CE
=
5
V ;我
C
=
100 A
V
CE
=
0.3
V ;我
C
=
2
mA
民
-
-
-
-
80
-
-
2
15.4
1.7
-
典型值
-
-
-
-
-
-
0.8
1.1
22
2.1
-
最大
100
1
50
120
-
150
0.5
-
28.6
2.6
3
pF
mV
V
V
k
单位
nA
A
A
A
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2/R1
C
c
PDTA124X_SER_8
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
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PL34220191000FXBC
PK0406-2R7
PIC16C63A-04E/SO
P6SMB6.8AT3
PSD4235G2V-70U
PE-65612NL
PW-1634CA-CDB
PIC16C57-04I/SO
PIC18F1230-E/SOQTP
PL34120191000JDBC
P14TG-4805E41H35
PL34020101000GHEX
PG2157
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    -
    -
    -
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