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分立半导体
数据表
PDTA124T系列
PNP电阻配备晶体管;
R1 = 22 kΩ的, R2 =开放
产品数据表
取代2004年05月05数据
2004年8月04
恩智浦半导体
产品数据表
PNP电阻配备晶体管;
R1 = 22 kΩ的, R2 =开放
特点
内置偏置电阻
简化的电路设计
减少元件数量
减少取放成本。
应用
通用开关和放大
逆变器和接口电路
电路的驱动程序。
描述
PDTA124T系列
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
O
R1
R2
参数
集电极 - 发射极
电压
输出直流(DC)
偏置电阻
开放
典型值。
22
马克斯。
50
100
单位
V
mA
PNP电阻配备晶体管(参见“简体外形,
符号和牵制“的包的详细信息) 。
产品概述
类型编号
飞利浦
PDTA124TE
PDTA124TEF
PDTA124TK
PDTA124TM
PDTA124TS
PDTA124TT
PDTA124TU
1. * = P :香港制造。
* = T:在马来西亚进行。
* = W :中国制造。
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54 ( TO-92 )
SOT23
SOT323
EIAJ
SC-75
SC-89
SC-59
SC-101
SC-43
SC-70
3R
24
59
DJ
TA124T
* AE
(1)
*7B
(1)
PDTC124TE
PDTC124TEF
PDTC124TK
PDTC124TM
PDTC124TS
PDTC124TT
PDTC124TU
标识代码
NPN补
2004年8月04
2
恩智浦半导体
产品数据表
PNP电阻配备晶体管;
R1 = 22 kΩ的, R2 =开放
简化外形,象征与钉扎
PDTA124T系列
钉扎
类型编号
PDTA124TS
简化的外形和符号
1
2
手册, halfpage
描述
BASE
集热器
辐射源
3
2
R1
1
3
MAM352
1
2
3
PDTA124TE
PDTA124TEF
PDTA124TK
PDTA124TT
PDTA124TU
1
顶视图
2
MDB272
1
2
手册, halfpage
BASE
辐射源
集热器
3
R1
1
3
3
2
PDTA124TM
手册, halfpage
1
2
3
R1
3
1
2
底部视图
MDB268
BASE
辐射源
集热器
3
2
1
2004年8月04
3
恩智浦半导体
产品数据表
PNP电阻配备晶体管;
R1 = 22 kΩ的, R2 =开放
订购信息
TYPE
PDTA124TE
PDTA124TEF
PDTA124TK
PDTA124TM
PDTA124TS
PDTA124TT
PDTA124TU
名字
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
无铅超小型塑料封装; 3焊区;体
1.0
×
0.6
×
0.5 mm
PDTA124T系列
VERSION
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54
SOT23
SOT323
塑料单端含铅(通孔)包; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
O
I
CM
P
合计
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输出直流(DC)
峰值集电极电流
总功耗
SOT23
SOT54
SOT323
SOT346
SOT416
SOT490
SOT883
T
英镑
T
j
T
AMB
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
μm
铜带线。
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
25
°C
注1
注1
注1
注1
注1
注1和2
注意到图2和3
65
65
250
500
200
250
150
250
250
+150
150
+150
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
°C
°C
°C
条件
发射极开路
开基
集电极开路
分钟。
马克斯。
50
50
5
100
100
V
V
V
mA
mA
单位
2004年8月04
4
恩智浦半导体
产品数据表
PNP电阻配备晶体管;
R1 = 22 kΩ的, R2 =开放
热特性
符号
R
号(j -a)的
SOT23
SOT54
SOT323
SOT346
SOT416
SOT490
SOT883
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
μm
铜带线。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
参数
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
条件
V
CB
=
50
V ;我
E
= 0 A
V
CE
=
30
V ;我
B
= 0 A
V
CE
=
30
V ;我
B
= 0 A;
T
j
= 150
°C
I
EBO
h
FE
V
CESAT
R1
C
c
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
输入电阻
集电极电容
I
E
= i
e
= 0 ; V
CB
=
10
V;
F = 1 MHz的
V
EB
=
5
V ;我
C
= 0 A
V
CE
=
5
V ;我
C
=
1
mA
参数
从结点到环境的热阻
条件
在自由空气
注1
注1
注1
注1
注1
注1和2
注意到图2和3
PDTA124T系列
价值
500
250
625
500
833
500
500
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
分钟。
100
15.4
典型值。
22
马克斯。
100
1
50
100
150
28.6
3
单位
nA
μA
μA
nA
mV
pF
集电极 - 发射极饱和电压I
C
=
10
毫安;我
B
=
0.5
mA
2004年8月04
5
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    电话:0755-82780082
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