恩智浦半导体
产品数据表
PNP电阻配备晶体管;
R 1 = 22千欧，R2 = 22千欧
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT416
SOT490
SOT883
T
英镑
T
j
T
AMB
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
μm
铜带线。
热特性
符号
R
日J-一
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT416
SOT490
SOT883
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
μm
铜带线。
2004年8月02
4
参数
从结点到环境的热阻
条件
在自由空气
注1
注1
注1
注1
注1
注1和2
注意到图2和3
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C
注1
注1
注1
注1
注1
注1和2
注意到图2和3
65
65
条件
发射极开路
开基
集电极开路
PDTA124E系列
分钟。
马克斯。
50
50
10
+10
40
100
100
500
250
250
200
150
250
250
+150
150
+150
V
V
V
V
V
单位
mA
mA
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
°C
°C
°C
价值
250
500
500
625
833
500
500
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP电阻配备晶体管
特点
内置的偏置电阻R1和R2 （典型每22千欧）
电路设计的简化
减少了元件和电路板空间的数量。
应用
特别适用于在界面的空间减少和
驱动电路
无需使用外部反相器的电路结构
电阻器。
描述
PNP型电阻装备晶体管中的SC- 89 （ SOT490 ）
塑料封装。
记号
类型编号
PDTA124EEF
3R
1
2
MGA893 - 1
PDTA124EEF
钉扎
针
1
2
3
底座/输入
发射器/地面（+）
集电极/输出
描述
手册， halfpage
3
R1
1
R2
3
1
顶视图
2
MAM413
2
Fig.1
简化外形（ SC- 89 ; SOT490 ）
和符号。
标识代码
3
图2的等效电路。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.参考SC- 89 （ SOT490 ）标准安装条件。
2001年6月11日
2
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
65
65
+10
40
100
100
250
+150
150
+150
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
°C
条件
发射极开路
开基
集电极开路
分钟。
马克斯。
50
50
10
V
V
V
单位
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP电阻配备晶体管
热特性
符号
R
日J-一
记
1.参考SC- 89 （ SOT490 ）标准安装条件。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2
-------
-
R1
C
c
参数
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
输入截止电压
输入导通电压
输入电阻
电阻率
集电极电容
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
10
V;
F = 1 MHz的
条件
I
E
= 0; V
CB
=
50
V
I
B
= 0; V
CE
=
30
V
I
B
= 0; V
CE
=
30
V ;牛逼
j
= 150
°C
I
C
= 0; V
EB
=
5
V
I
C
=
5
毫安; V
CE
=
5
V
I
C
=
10
毫安;我
B
=
0.5
mA
I
C
=
100 A;
V
CE
=
5
V
I
C
=
5
毫安; V
CE
=
0.3
V
分钟。
60
2.5
15.4
0.8
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1
PDTA124EEF
价值
500
单位
K / W
典型值。
1.14
1.7
22
1
马克斯。
100
1
50
180
150
0.8
28.6
1.2
3
单位
nA
A
A
A
mV
V
V
k
pF
2001年6月11日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP电阻配备晶体管
数据表状态
数据表状态
(1)
客观的数据
产品
状态
(2)
发展
释义
PDTA124EEF
此数据表包含从客观特定网络阳离子产品数据
发展。飞利浦半导体公司保留修改的权利
特定网络阳离子以任何方式，恕不另行通知。
此数据表包含了从初步的规格数据。
补充资料将在晚些时候公布。飞利浦
半导体公司保留更改特定网络阳离子不正确
注意到，为了提高设计和提供更优秀的
产品。
此数据表包含了从产品speci fi cation数据。飞利浦
半导体公司保留随时更改在任何时间，以正确的
改进设计，制造和供应。变化将是
根据客户产品/流程变更通报
NOTI科幻阳离子（ CPCN ）过程SNW - SQ- 650A 。
初步数据
QUALI科幻阳离子
产品数据
生产
笔记
1.启动或完成设计之前，请咨询最新发布的数据表。
2.本数据手册中描述的设备（S ）的产品的状态可能已经改变，因为这个数据表是
出版。最新的信息可在互联网上的网址http://www.semiconductors.philips.com 。
释义
短特定形式的网络阳离子
在短格式中的数据
规格从与一个完整的数据资料中提取
同类型的编号和标题。有关详细信息，请参阅
相关数据表或数据手册。
极限值定义
给定的限值中
按照绝对最大额定值系统
（ IEC 60134 ） 。应力以上的一个或多个限制的
值可能导致器件的永久性损坏。
这些压力额定值的设备，只有经营
在这些或在上述那些的任何其他条件，在给定的
规范的特点部分将得不到保证。
暴露于长时间限制值可能
影响器件的可靠性。
应用信息
应用程序是
本文所述的任何这些产品都是为
仅用于说明目的。飞利浦半导体制作
任何陈述或保证，这些应用将
适于不经进一步测试或指定的使用
修改。
免责声明
生命支持应用
这些产品都没有
专为生活中使用的支持设备，设备或
系统在这些产品的故障可
合理预期造成人身伤害。飞利浦
使用或销售这些产品的半导体客户
在这些应用中使用这样做在自己的风险和
同意完全赔偿飞利浦半导体的任何
损失从这些应用程序产生的。
有权进行修改
飞利浦半导体
保留修改的权利，恕不另行通知，在
产品，包括电路，标准单元，和/或
软件，为了描述或包含于
提高设计和/或性能。飞利浦
半导体公司不承担任何责任或法律责任
使用任何这些产品，传达没有牌照或标题
任何专利，版权或口罩工作的权利，这些
产品，不作任何陈述或保证的
这些产品均不含专利，版权，或掩码
工作侵权，除非另有说明。
2001年6月11日
5
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