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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符P型号页 > 首字符P的型号第159页 > PDTA124EE
分立半导体
数据表
PDTA124E系列
PNP电阻配备晶体管;
R 1 = 22千欧，R2 = 22千欧
产品数据表
取代2003年的数据04月14日
2004年8月02
恩智浦半导体
产品数据表
PNP电阻配备晶体管;
R 1 = 22千欧，R2 = 22千欧
特点
内置偏置电阻
简化的电路设计
减少元件数量
减少取放成本。
应用
通用开关和放大
逆变器和接口电路
电路的驱动程序。
描述
PDTA124E系列
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
O
R1
R2
参数
集电极 - 发射极
电压
输出直流（DC）
偏置电阻
偏置电阻
典型值。
22
22
马克斯。
50
100
单位
V
mA
kΩ
kΩ
PNP电阻配备晶体管（参见“简体外形，
符号和牵制“的包的详细信息） 。
产品概述
包
类型编号
飞利浦
PDTA124EE
PDTA124EEF
PDTA124EK
PDTA124EM
PDTA124ES
PDTA124ET
PDTA124EU
记
1. * = P ：香港制造。
* = T：在马来西亚进行。
* = W ：中国制造。
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54 （ TO-92 ）
SOT23
SOT323
EIAJ
SC-75
SC-89
SC-59
SC-101
SC-43
SC-70
05
3R
05
DH
TA124E
*05
(1)
*05
(1)
PDTC124EE
PDTC124EEF
PDTC124EK
PDTC124EM
PDTC124ES
PDTC124ET
PDTC124EU
标识代码
NPN补
2004年8月02
2
恩智浦半导体
产品数据表
PNP电阻配备晶体管;
R 1 = 22千欧，R2 = 22千欧
简化外形，象征与钉扎
PDTA124E系列
钉扎
类型编号
PDTA124ES
手册， halfpage
简化的外形和符号
针
1
2
2
R1
1
R2
3
MAM338
描述
BASE
集热器
辐射源
1
2
3
3
PDTA124EE
PDTA124EEF
PDTA124EK
PDTA124ET
PDTA124EU
1
顶视图
2
MDB271
1
2
手册， halfpage
BASE
辐射源
集热器
3
R1
1
R2
3
3
2
PDTA124EM
手册， halfpage
1
2
3
R1
3
1
底部视图
MDB267
BASE
辐射源
集热器
3
2
1
R2
2
2004年8月02
3
恩智浦半导体
产品数据表
PNP电阻配备晶体管;
R 1 = 22千欧，R2 = 22千欧
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT416
SOT490
SOT883
T
英镑
T
j
T
AMB
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
μm
铜带线。
热特性
符号
R
日J-一
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT416
SOT490
SOT883
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
μm
铜带线。
2004年8月02
4
参数
从结点到环境的热阻
条件
在自由空气
注1
注1
注1
注1
注1
注1和2
注意到图2和3
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C
注1
注1
注1
注1
注1
注1和2
注意到图2和3
65
65
条件
发射极开路
开基
集电极开路
PDTA124E系列
分钟。
马克斯。
50
50
10
+10
40
100
100
500
250
250
200
150
250
250
+150
150
+150
V
V
V
V
V
单位
mA
mA
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
°C
°C
°C
价值
250
500
500
625
833
500
500
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
恩智浦半导体
产品数据表
PNP电阻配备晶体管;
R 1 = 22千欧，R2 = 22千欧
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2
-------
-
R1
C
c
参数
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
输入截止电压
输入导通电压
输入电阻
电阻率
集电极电容
条件
V
CB
=
50
V ;我
E
= 0
V
CE
=
30
V ;我
B
= 0
V
CE
=
30
V ;我
B
= 0; T
j
= 150
°C
V
EB
=
5
V ;我
C
= 0
V
CE
=
5
V ;我
C
=
5
mA
I
C
=
100 μA;
V
CE
=
5
V
I
C
=
5
毫安; V
CE
=
0.3
V
PDTA124E系列
分钟。
60
2.5
15.4
0.8
典型值。
1.1
1.7
22
1
马克斯。
100
1
50
180
150
0.8
28.6
1.2
3
单位
nA
μA
μA
μA
mV
V
V
kΩ
集电极 - 发射极饱和电压I
C
=
10
毫安;我
B
=
0.5
mA
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
10
V ; F = 1 MHz的
pF
2004年8月02
5
分立半导体
数据表
M3D173
PDTA124EE
PNP电阻配备晶体管
产品speci fi cation
取代1997年的数据7月4日
在分离式半导体文件， SC04
1998年7月23日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP电阻配备晶体管
特点
内置的偏置电阻R1和R2
（每个典型值22千欧）
电路设计的简化
减少了部件的数量
和电路板空间。
应用
特别适用于空间
减少接口和驱动程序
电路
逆变器电路配置
无需使用外部电阻。
描述
在PNP电阻配备晶体管
一个SC- 75塑料封装。
NPN补充： PDTC124EE 。
1
3
2
手册， halfpage
PDTA124EE
3
R1
1
R2
3
1
顶视图
2
MAM345
2
Fig.1简化外形（ SC- 75 ）和符号。
记号
TYPE
数
PDTA124EE
记号
CODE
05
钉扎
针
1
2
3
描述
底座/输入
发射器/地面（+）
集电极/输出
MGA893 - 1
Fig.2
相当于逆变器
符号。
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
O
I
CM
P
合计
h
FE
R1
R2
------
-
R1
参数
集电极 - 发射极电压
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
直流电流增益
输入电阻
电阻率
T
AMB
≤
25
°C
I
C
=
5
毫安; V
CE
=
5
V
条件
开基
60
15.4
0.8
分钟。
22
1
典型值。
马克斯。
50
100
100
150
28.6
1.2
k
单位
V
mA
mA
mW
1998年7月23日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP电阻配备晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
热特性
符号
R
日J-一
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2
------
-
R1
C
c
参数
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
输入截止电压
输入导通电压
输入电阻
电阻率
集电极电容
条件
I
C
= 0; V
CB
=
50
V
I
B
= 0; V
CE
=
30
V
I
B
= 0; V
CE
=
30
V ;牛逼
j
= 150
°C
I
C
= 0; V
EB
=
5
V
I
C
=
5
毫安; V
CE
=
5
V
I
C
=
10
毫安;我
B
=
0.5
mA
I
C
=
100 A;
V
CE
=
5
V
I
C
=
5
毫安; V
CE
=
300
mV
分钟。
60
2.5
15.4
0.8
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
10
V ; F = 1 MHz的
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1
价值
833
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
65
65
条件
发射极开路
开基
集电极开路
分钟。
PDTA124EE
马克斯。
50
50
10
+10
40
100
100
150
+150
150
+150
V
V
V
V
V
单位
mA
mA
mW
°C
°C
°C
单位
K / W
典型值。
1.7
22
1
马克斯。
100
1
50
180
150
28.6
1.2
3
单位
nA
A
A
A
mV
mV
V
k
1100 800
pF
1998年7月23日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP电阻配备晶体管
PDTA124EE
手册， halfpage
10
3
MBK790
手册， halfpage
(1)
(2)
(3)
1
MBK789
的hFE
VCEsat晶体管
(V)
10
2
10
1
(1)
(2)
(3)
10
1
10
1
1
10
IC （MA ）
10
2
10
2
10
1
1
10
IC （MA ）
10
2
V
CE
=
5
V.
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
40 °C.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
AMB
= 100
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
40 °C.
Fig.3
直流电流增益作为集电体的功能
电流;典型值。
Fig.4
集电极 - 发射极饱和电压为
集电极电流的函数;典型值。
手册， halfpage
10
MBK792
10
2
手册， halfpage
第六章（上）
MBK791
六（关闭）
(V)
(V)
10
(1)
(1)
(2)
(3)
1
(2)
(3)
1
10
1
10
2
10
1
1
IC （MA ）
10
10
1
10
1
1
10
IC （MA ）
10
2
V
CE
=
5
V.
(1) T
AMB
=
40 °C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
= 100
°C.
V
CE
=
0.3
V.
(1) T
AMB
=
40 °C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
= 100
°C.
Fig.5
输入截止电压作为集电体的功能
电流;典型值。
Fig.6
输入导通电压作为集电体的功能
电流;典型值。
1998年7月23日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP电阻配备晶体管
包装外形
塑料表面贴装封装; 3引线
PDTA124EE
SOT416
D
B
E
A
X
v
M
A
HE
3
Q
A
1
e1
e
bp
2
w
M
B
A1
c
Lp
细节X
0
0.5
规模
1 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
0.95
0.60
A1
最大
0.1
bp
0.30
0.15
c
0.25
0.10
D
1.8
1.4
E
0.9
0.7
e
1
e
1
0.5
H
E
1.75
1.45
L
p
0.45
0.15
Q
0.23
0.13
v
0.2
w
0.2
概要
VERSION
SOT416
参考文献：
IEC
JEDEC
EIAJ
SC-75
欧洲
投影
发行日期
97-02-28
1998年7月23日
5
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PALC20R6Z50INS
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PAL18L8V
PSD4235F2V-A-15U
PSD4135F2-12B81
PIC17C43-16I/L
PST3818
P110KH-0Y15CR100K
P270-SS23R10K
PRA/8050/M/80
P2E/010/2/SM/-
P4KE24A-B
PA1494.442
PT2128A-M22D
P170S-Q35AR100K
P6100
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    PDTA124EE
    -
    -
    -
    -
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更多配单专家
深圳市俊晖半导体有限公司
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电话：13410941925
联系人：李先生【原装正品,可开发票】
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PDTA124EE
NXP
24+
3000
SOT-323
原装正品现货，可开增值税专用发票
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电话：0755-83242658
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PDTA124EE
NXP
24+
15000
SOT-323
100%原装正品，只做原装正品
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电话：13510131896
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PDTA124EE
NXP
15+
99000
SC75SOT416
产品优势可售样板
深圳市科恒伟业电子有限公司
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PDTA124EE
NXP/恩智浦
1926+
9852
SOT416
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NXP/恩智浦
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PDTA124EE
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PDTA124EE
PHILIPS/飞利浦
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8640
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PDTA124EE
NXP
22+/23+
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SOT-23
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NXP
1926+
9854
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联系人：朱先生
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NXP
24+
30000
SC-75-3
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